【导读】存储产业由“去库存”转至“补库存”，加上HBM需求大增，大厂包括三星、SK海力士等稼动率正逐渐恢复；惟存储产业的产能扩张在2024年仍属节制，产品报价上涨趋势不变。

存储产业由“去库存”转至“补库存”，加上HBM需求大增，大厂包括三星、SK海力士等稼动率正逐渐恢复；惟存储产业的产能扩张在2024年仍属节制，产品报价上涨趋势不变。

美光指出，数据中心需求增长，有助抵销个人电脑与智能手机市场复苏缓慢情势，2024年市况将复苏、价格回升，2025年进一步上涨，且市场规模将创新高。

业界预期，随市场回温，产业复苏顺序，将依序由下游模组厂、上游制造、代工厂到封测厂，业绩逐渐回到增长轨道。

据了解，11-12月期间，随PC及手机补库存需求延续，SK海力士及威腾分别提升DRAM及NAND Flash工厂稼动率。

三星及SK海力士的DRAM及NAND Flash投片量，预计于第四季恢复至2022年第四季的高峰，但稼动率虽有所提升，产品报价尚未回到成本之上。

资本支出方面，在第四季期间，产业界出现上修消息的公司，为中国的CXMT及YMTC。其中，CXMT在获得许可投资19nm DDR3／DDR4后，积极扩产，预计在2024上半年投放合肥二期及北京二期新厂。

YMTC则自行研发第二代128层NAND Flash制程（X2），并培植本土设备供应链，预计在2024年重启扩产。

目前DRAM及NAND设备产能利用率，仅在先前高峰时的75-80％、60-65％，而原厂的资本支出，将主要用于1b／1c nm制程扩充，以及HBM／200L 3D NAND相关需求。

近期存储市场报价趋于稳定，主要是因年末需求减缓，交易行情较为冷清，但各大原厂在亏损下，涨价意图坚决，因此在未回到成本之上前，预期产品报价涨势趋势不变。

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