资讯
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
工作原理中可以看出，MOS管的栅极G和源极S之间是绝缘的，由于Sio2绝缘层的存在，在栅极G和源极S之间等效是一个电容存在，电压VGS产生电场从而导致源极-漏极电流的产生。
此时的栅极电压VGS决定了漏极电......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
这个过程与MOS管的过程略有不同，同时栅极电压也达到了米勒平台电压。
第3阶段：栅极电流对Cge和Cgc电容充电，这个时候VGE是完全不变的，值得我们注意的是Vce的变化非常快。
第4阶段：栅极电......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
于高端和低端的位置不同，而MOS的开启条件为Vgs>Vth，这便会导致想要高端MOS导通，则其栅极对地所需的电压较大。
补充说明：因为低端MOS源极接地，想要导通只需要令其栅极电压大于开启电压......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
完全开启，则设备在传导过程中将具有高电阻，并且会以热量的形式消耗大量功率，10 到 15 伏之间的栅极电压可确保大多数 mos 管完全开启。
九、缓慢......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
路
如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压，则应插入4个分压器
，
每个分压器由齐纳二极管和恒定电阻组成
。齐纳电压必须大于导通晶体管所需的阈值电压......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
真面目！;
硬件设计 | MOS管篇
一般情况下，普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压......
电机驱动芯片A4950及H桥电路分析(2023-08-15)
管在负载的低电位一端。如下图所示：Q1、Q3为高端驱动，Q2、Q4为低端驱动。在H桥中也常常被称为上臂和下臂。
此外，如果对MOS管原理有所了解，则可看出，打开高端NMOS所需的栅极电压......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
的两种极性。
MOS 管的栅极电容较大，通常约1nF，所以为了避免迟缓的开关时间，采用推挽输出的比较器更合适。为了实现尽量快的响应时间，比较器必须尽可能快的关闭MOS 管，更强......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应改变衬底电压就能调制漏极电......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
通常使用+12V的驱动电压，+15V通常用于驱动SiC，GaN的栅极电压为+5V。0-V 的栅极电压可以使所有器件处于关断状态。 一般而言，MOSFET 不需要负偏置栅极驱动，SiC和GaN......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
理想的PCB 布局和长封装引线引入寄生电感时，开关期间开关管的栅-源极电压会因为高di/dt 和dv/dt 而产生高振铃。如果振铃超过开关管的栅极阈值电压，则存在意外接通和直通的风险。在开关管上施加负压是......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
生产工艺决定的。
看到这里的电容相信很多同学就明白了，我们为什么说MOS管的开关也需要栅极电流的参与。我们可以这样理解，当我们栅极接通电压后，那么此时将先给CGS充电，当CGS充满电后，才会......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
用于高端驱动的NMOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压。而高端驱动的MOS管导通时源极电压与漏极电压（VCC）相同，所以这时栅极电压要比VCC大4V或10V。
如果在同一个系统里，要得到比VCC大的电压......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
，第一代MOS器件的工作电压是5V，栅极长度是25um，随着MOS器件的特征尺寸不断缩小到亚微米，MOS器件的工作电压并没有减小，它的工作电压依然是5V，直到MOS器件栅极长度缩小到0.35um时......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
IGBT中都称为击穿区。
IGBT的栅极-发射极电压VGE类似于MOSFET的栅极-源极电压VGS，集电极电流IC类似于漏极电流ID，集电极-发射极电压VCE类似于漏源电压VDS。
MOSFET与......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
管，Q2为PMOS管，MCU通过高低电平控制三极管Q1的导通和关断。
当Q1关断时，由于电阻R没有电流流过，A点的电压等于Vin，也就是说Q2的栅极电压VG等于Vin，此时Q2的源极电压VS也等......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
时增加10%成左右，几乎没有开关特性的温度依存性。
图3: 开关温度特性
ID-VGS特性和温度特性
ID-VGS特性和界限值温度特性的实测例如图1、2所示。 如图1，为了通过绝大部分电流，需要比较大的栅极电压......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
之间的电阻高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
通常用于驱动SiC，GaN的栅极电压为+5V。0-V 的栅极电压可以使所有器件处于关断状态。一般而言，MOSFET 不需要负偏置栅极驱动，SiC和GaN MOSFET有时会使用这种栅极驱动。在开......
电机控制器中的MOS驱动(2024-10-18 15:10:10)
较简单。
对于高边MOS，其源极（S）接到电机相线，其电压是不确定的，如果需要开通，需要通过自举电路提供栅极电压，驱动较复杂。
上图是VGS与RDSON的关系图，一般......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
控制电流器件，由VGS控制ID，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
，普通的晶体三极管是电流控制电流器件，由IB控制IC。MOS管道放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
放大系数是（跨导gm）当栅极电压改变一伏时能引起漏极电流变化多少安培。晶体三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
从一个基极到另一个发射极，决定了从集电极到发射极能流多少电流。
对于MOSFET晶体管，电压栅极和源极之间的电流决定了有多少电流能从漏极流向另一个源极。
2.1 如何打开MOSFET
下面是一个打开MOSFET的电......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
冲击电流限制法电路
D1用来限制MOS管 Q1的栅源电压。元器件R1，C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。
上电后，MOS管的栅极电压要慢慢上升，当栅源电压Vgs高到一定程度后，二极......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
利于抑制寄生导通，从而可以防止在半桥配置中运行时使用复杂的栅极驱动器电路。即使栅极电压为 0 V，许多 CoolSiCMOSFET 产品也可以安全关断，因为除了有利的电容比之外，阈值电压也足够高。图 8（左）总结......
开关电源电路设计的10个经验(2024-06-03)
控制IC的驱动信号不能直接接到MOS管的栅极，而需要额外的驱动电路或驱动IC，比如变压器隔离驱动或类似IR2110这样的带自举电路的驱动芯片。
当然还有另外的方式，那就是采用别的方式给控制IC供电，然后......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为负，P 沟道 MOSFET 或简单的 PMOS 将激活。但是，它需要满足每个 MOSFET 数据表的栅极到源极电压要求。当 MOSFET 激活时，通道将关闭，电流将流向它，而不......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
可以进行IO口控制也可以直接通过VIN控制，
所以这次就以 VIN的有无 来控制 VIN输入电压到三极管，三极管导通（基极电压大于发射极），由于三极管下连的是地，所以 PMOS管的栅极电压为0......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
驱动器应持续提供20V的栅极电压，最好是可以进行配置。
由于存在栅极电荷残留，SiC-MOS结构中必须具有负偏压，同样，最好可以进行配置以实现优化。近乎理想的功率开关和它们周围的封装寄生元件（见图4）的组......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
在源极和漏极之间可以形成一个电子通道。
假设体电压变得比源极更负（VSB>0）。现在更多的空穴被吸引到体端子，导致在沟道附近形成更大的耗尽区。这意味着阈值电压的增加，因为现在需要更大的栅极电压来克服耗尽区的电荷并形成沟道。当......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
P 沟道MOS管要求将栅极拉至其源极端子以下，如果输入电压足够高，P沟道MOS管的栅极可以打开MOS管。
升压......
提高 xEV 牵引逆变器系统的安全性(2022-12-08)
驱动器检查其各自电源开关的健康状况。与分立式实现相比，将此诊断集成到栅极驱动器可减少整体系统尺寸、重量和成本。
V GTH监控功能在上电期间测量功率晶体管的栅极阈值电压。恒流源对功率开关的栅极电......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
）与SiC MOSFET输出特性曲线（右）
由于SiC-MOS器件的VGS(th)随着漏极电压的增加而减少，饱和电流ID,sat上升得更明显，原因可参见以下公式，可以看到，饱和电流与过驱动电压（VGS......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
MOSFET开关损耗简介;本文将通过解释功耗的重要来源来帮助您优化开关模式调节器和驱动器电路。本文引用地址：的工作可以分为两种基本模式：线性和开关。在线性模式中，晶体管的栅极到源极电压......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
是一种既可以输出又可以测量电流和电压的仪器，可以用来对FET的栅极和漏极施加电压。如图1所示，Keithley 4200A-SCS参数分析仪是多个SMU与交互式软件相结合的集成系统。这种......
WBG 器件给栅极驱动器电源带来的挑战(2024-09-25)
GaN 器件的驱动器电压比较（来源：RECOM）
SiC 和 GaN 晶体管的栅极驱动器必须根据每个器件的具体特性进行定制。对于高侧栅极驱动器，栅极驱动器和其直流电源必须采取隔离措施。
第一代 SiC......
如何破解您的 DC/DC 转换器？(2022-04-18)
流）。
如果需要更大的输出电流而不引起过度热损耗，堆叠转换器将是更好的解决方法：
技巧 #3：堆叠转换器
栅极驱动器的平均功率取决于栅极驱动电压摆幅、晶体管的栅极电荷和开关频率。平均......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
增强DS39x系列CCFL控制器的栅极驱动能力(2023-07-11)
具有更高的栅极电荷。因此，栅极驱动电路必须具有足够高的峰值驱动电流，以快速地为栅极电容充电、放电。功率MOSFET也需要较高的栅源电压，以保证有效开启。DS39xx系列控制器内置的栅极......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
降。允许的最大电压降(VBOOT)取决于要保持的最小栅极驱动电压(对于上桥开关)。如果 VGSMIN是最小的栅一源极电压，电容的电压降必须是：
其中：
VDD ＝栅极驱动器的电源电压；和......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1。5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的......
超详细|开关电源电路图及原理讲解(2024-03-11)
用半导体表面的电声效应进行工作的。也称为表面场效应器件。由于它的栅极处于不导电状态，所以输入电阻可以大大提高，最高可达105欧姆，MOS管是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面感生电荷的多少，从而控制漏极电......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
后，MOS管导通，这样PNP三极管的集电极与基极形成低阻状态，此时三极管也就相继导通，这样相当于IGBT的集电极和发射极导通。当栅极电压取消或负压时，IGBT的集电极和发射极关断。这样IGBT......
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南(2025-01-12 16:34:20)
降 (VBOOT)
取决于要保持的最小栅极驱动电压 ( 对于高端开关 )。
如
果VGSMIN是最小的栅-源极电压，电容的电压......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的......
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管(2023-05-24)
意法半导体发布100V工业级STripFET F8晶体管;
【导读】意法半导体的STL120N10F8 N沟道100V功率MOSFET拥有极低的栅极-漏极电荷(QGD)和导通电阻RDS......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cascode GaN 器件（低压 Si MOS 和高压 GaN HEMT......
相关企业
粉发光，还有一部分电子撞击到栅极上，被栅极截获，形成栅极电流。VFD图案的显示，主要通过栅极和阳极电压的正负来控制，当栅极加上正电压，该栅网下的阳极笔端也加上正电压，则与
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
;谢昭云工业级交流固态继电器价格是多少？;;
;祥和电动车商行;;请问电动车太阳能充电器寿命是多长?48伏的要多少钱?如果电池没电了多长时间可以充满电? 请速回电
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;鸿海集团（香港）;;鸿海集团在深圳的分公司，主要做IC、MOS管的现货销售
能为更多的客户代理更好的产品及更好的服务. 富鼎先进为台湾第一家做MOS管的企业,经过13年的发展,已形成低,中,高电压全系列一千多个型号的产品,能满足不同客户的需求
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET（华瑞）全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品，电源，充电 产品，解码板，LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理，电源IC：BF1501 BF1502 BF1508 MOS：2N60－12N60，保持原装，价格