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浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路;今天给大家分享的是：如何抑制中浪涌电压？本文引用地址：一、什么是？
是电路打开吸收的最大电流，出现在输入波形的几个周期内。
的值......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流只需 250mA左右即可。仔细想想这样计算对吗？
这里必须要注意这样一个条件细节，RG=25Ω。所以这个指标没有什么意义。
应该怎么计算才对呢？其实应该是这样的，根据产品的开关速度来决定开关电流。根据I......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
端的通道越来越窄，而在S端的通道越来越宽的情况（排斥）。如下图所示。
此时随着VDS的逐渐增大，当VDS=VGS-VGS th时，沟通在漏极一端恰好消失，此时就称为预夹断。
mos......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
效应的成因
在讲这个之前需要先回顾下MOS的开通过程。
图一
从t1开始时刻，Vgs开始上升的时候，Vds和Id保持不变，这个过程中驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升。一直到t1结束，Vgs上升到Vg(th......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
最小，其值为VGD=VGS－VDS，相应的沟道最薄；靠近源区一端的电压最大，等于VGS，相应的沟道最厚。
这样就使得沟道厚度不再是均匀的，整个沟道呈倾斜状。随着VDS的增大，靠近......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
= 12 V 时，固定的漏极电流 ID = 20 A 会导致 VDS = 8.75 V，而当 VGS 增加到 20 V 时，VDS = 3.75 V。将公式 (3) 和 (4) 的结果进行比较，可以......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
就不再赘述了。DIBL效应造成的明显的现象是——随着漏极-源极电压VDS的增加，栅-源极阈值电压VGS（th）会随之降低，见图1。
Fig.1:不同制造商1200V SiC MOSFET的VGS(th)曲线......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏、源极间没有导电沟道，器件无法导通，漏极电流ID为N+PN+管的漏电流，接近于0。
当0<vgs<vgs（th）时<......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
、功率MOSFET零电压的开通
功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常......
S11和S21是矢量网络分析仪中的重要参数(2023-02-08)
来看看矢量网络分析仪S11和S21是什么意思。
R&S ZVL3台式矢量网络分析仪
矢量分析仪S11和S21是什么意思？
矢量分析仪测量S参数时，经常会谈到S11、S21等。这些是什么意思？
网络......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
特性是验证的是栅极电压VGS对ID的控制作用，其表征了器件的放大能力。对于恒定的VDS，VGS越大，则沟道中可移动的电子越多，沟道电阻越小，相应的ID就越大。当然这个VGS达到一定值的时候，电压再大，ID也不......
PFC电路：栅极电阻的更改(2023-03-16)
果可能会超出额定值，因此设置适当的VGS值是非常重要的。
SiC MOSFET导通时的损耗、漏极电流ID、漏-源电压VDS和栅极电压VGS之间的关系见右侧图2。发生该开关损耗的期间t1和t2可以......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
低于电源电压，可以使用稳压管限制Vgs。或者在输入电压基本不变的情况下，也可以使用电阻分压。
注意
PMOS需要选择合适的Vds、Vgs耐压，选择低Rds的型号可以减小损耗；
注意PMOS上的......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
用于M1和M2 SiC MOSFET。)当VGS = 14 V时，RDS似乎具有负温度系数(NTC)特性，即电阻随温度升高而降低。SiC MOSFET的这一独特特征直接归因于其低增益，这意......
MCU 5V tolerant capability是什么意思？(2024-01-10)
MCU 5V tolerant capability是什么意思？;以STM32F030为例，在datasheet中可以看到一句关于IO的表述：Up to 55 I/Os with 5V......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
制了某些器件的VGS和VDS电流的增加，因为最终它们的驱动电流达到最大值。此外，随着电场的继续增加，这些载流子的迁移率降低，导致这些极高电压下的驱动电流减小。这种......
什么是矢量网络分析仪的S参数?(2023-02-09)
参数(Scattering Parameters)常被简称为S参数。
二、矢量网络分析仪S11和S21是什么意思
矢量网络分析仪测量S参数时，经常会说到S11、S21等，这些是什么意思呢?
网络......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作
[3] 数值由东芝测量得出：
- 新产品TK042N65Z5为0.2 mA（测试条件：VDS＝650 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）
- 现有产品TK62N60W5为1.9......
东芝开发出业界首款2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块,助力工业设备的高(2023-08-29)
导通电压（传感器）：
VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）
- 低开通损耗：
Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID......
一文详解电池充电器的反向电压保护(2024-04-26)
MOSFET
在三极管区域中是电对称的，因此它们在两个方向上都能很好地传导电流。采用此方法时，晶体管必须具有高于电池电压的最大 VGS 和 VDS 额定值。
遗憾的是，这种......
细思恐极：两台谷歌机器人互相调侃变身直播网红(2017-01-09)
你很绝望。”
有的对话让人想起贾登·史密斯（Jaden Smith）：
“一无所有是什么意思？”
“就像万事俱备。”
“万事俱备又是什么意思？”
有时还会阐述阴谋论：
“谁是美国总统？”
“巴拉克?奥巴......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
条件：陪测管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）
测试挑战与解决方案
平面......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2024-07-11)
电源和电荷泵的欠压及过压监控、针对外部MOSFET的VDS和VGS栅极故障监控、离线开路负载和短路检测，以及内部热警告和热关断保护。其中为了保护外部MOSFET，VGS检测和保护尤为重要：通过对外部MOSFET的VGS电压......
在桥式结构中的注意事项 — 探头的CMRR(2023-02-27)
比较
由于HS正在执行开关动作，因此HS的栅-源电压VGS由于普通高压差分探头的CMRR降低而导致在导通后超过18V驱动电压，并在关断后降至0V以下（绿线）。而光隔离探头在18V和0V处没......
东芝开发出首款2200V双碳化硅（SiC）MOSFET模块，助力工业设备的高效率和小型化(2023-08-29 15:34)
器等设备特性：- 低漏极-源极导通电压（传感器）：VDS(on)sense＝0.7V（典型值）（ID＝250A、VGS＝＋20V、Tch＝25℃）- 低开通损耗：Eon＝14mJ（典型值）（VDD＝1100V、ID......
STM32---定时器的ETR功能(2024-07-30)
STM32---定时器的ETR功能; 在使用定时器的时候，在引脚复用功能中看到了TIM2_CH1_ETR,这个ETR是什么意思呢？
答：TIM2_CH1_ETR表示两个功能选一个，分别......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列(2023-08-31)
低开关损耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-03)
条件：陪测管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）
测试挑战与解决方案
平面结构氮化镓功率器件实现高压开关，主要......
泰克先进半导体实验室：量芯微1200V氮化镓器件的突破性测试(2024-09-04 15:04)
管SiC 二极管，Ron = Roff = 10Ω，负载电感400uH，Vds: 800V，Vgs: 0~12V, Id: 15A）测试挑战与解决方案平面结构氮化镓功率器件实现高压开关，主要......
正确理解DRV8705-Q1的VGS检测机制(2023-12-21)
-Q1可以支持多种诊断和保护类型，包括运行前的系统监控（offline diagnostic）和运行中的故障监控：对于电源和电荷泵的欠压及过压监控、针对外部MOSFET的VDS和VGS栅极......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET(2024-02-23)
] MOSFET体二极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作[3] 数值由东芝测量得出：- 新产品TK042N65Z5为0.2 mA（测试条件：VDS＝650 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）- 现有......
差速电机什么意思 差速电机什么意思(2023-08-04)
差速电机什么意思 差速电机什么意思; 差速电机什么意思
差速电机是一种能够产生差动速度或差动转矩的电动机。差速电机，它是由一个普通电机和一个滑差离合器组成，离合......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-26)
极管从正向偏置切换到反向偏置的开关动作[3] 数值由东芝测量得出：- 新产品TK042N65Z5为0.2 mA（测试条件：VDS＝650 V、VGS＝0 V、Ta＝150 °C）- 现有产品TK62N60W5为......
FX3U系列PLC型号代表什么意思(2024-06-20)
FX3U系列PLC型号代表什么意思;我们必须先理解PLC铭牌上的型号代表什么意思，并了解其功能。选型时才能正确选择需要的PLC。其中FX1系列和FX2系列的PLC已经停产多年，因此......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
，我们的确切意思是？为了定义这一点，让我们参考图1，它显示了逆变器的输出传递特性。
逆变器的传输特性。
图1 逆变器的传输特性
假设：
VIN和VOUT都是直流电压。
VIN的值......
Jlink烧写出错 : Unable to halt arm core(2023-06-27)
在Jlink Commander中输入的两个命令“r”和“h”是什么意思呢？
我们可以输入“？”来查看帮助，具体如下图所示：
......
一文知道STM32G071 PD0 PD2引脚使用注意事项(2023-10-17)
法产生电平跳变而触发中断。
分析解决
查阅STM32G0数据手册可知：
这个引脚的电平类型为FT_c，我们知道FT是容忍5V的意思，那么FT_c是什么意思？不妨看看说明：
然后去用户手册查看GPIO相关说明，找到......
万用表的单位(2023-01-05)
）——千进制（注：uv不知道是什么意思，不好意思）
常用电流单位：1ka（千安）=1,000a（安培）、1a=1,000ma（毫安）=1,000,000μa（微安）——千进制
常用电阻单位：1mω......
东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET，采用可降低开关损耗的4引脚封装(2023-09-01 15:07)
电荷Qgd（nC）
输入电容Ciss（pF）
二极管正向电压VDSF（V）
Tc＝25℃
VGS＝18V
VDS＝10V
VGS＝18V......
FMEA是什么意思？FMEA在SMT行业的应用方法(2024-10-21 06:44:25)
FMEA是什么意思？FMEA在SMT行业的应用方法;
......
工业以太网是什么意思_工业以太网和普通以太网区别(2023-06-08)
工业以太网是什么意思_工业以太网和普通以太网区别; 工业以太网是什么意思
工业以太网是指在工业环境的自动化控制及过程控制中应用以太网的相关组件及技术。工业以太网会采用TCP/IP协议，和......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
通串扰和反向恢复。
开关波形包括栅源极电压VGS、漏源极电压VDS、漏源极电流IDS。基于得到的开通和关断波形，可以获得很多开关特性的参数，包括：开关延时、开关时间、开关能量、开关速度、开通......
碳化硅器件动态特性测试技术剖析(2023-01-10)
通过下边的等效电路就可以看出它们的影响了。需要注意的是VGS是CGS的端电压，是用于做分析时实际所需要的驱动波形，是真正有用的信号，VGS(M)是我们能测得的结果，它们之间存在寄生参数，VDS和VDS(M)同理。而驱动电流IG......
vivo宣布全新旗舰：摄像头要逆天！(2016-10-31)
探索新「镜」界的宣传口号，这代表了什么意思？
从官方暗示的意思来看，这款新品已经会是以数字9来命名，应该就是X9了，同时新「镜」界应该强调手机在拍照或者自拍上更加突出。
从海报上显示的双摄像头看，或许......
全面升级！安森美第二代1200V SiC MOSFET关键特性解析(2024-04-09)
(TH)温度依赖趋势，并在与标准样本的实际测量中，高温下的VGS(TH)略高，尽管数据手册中的典型VGS(TH)分别为2.72V和2.70V，但这表明M3S即使在VGS(TH)相似......
制动转矩是什么意思 制动转矩计算公式(2023-08-04)
制动转矩是什么意思 制动转矩计算公式; 制动转矩是什么意思
制动转矩是阻碍电机启动的转矩，需要通过有效抑制发电制动转矩和脉动转矩，才能够使电机起动能力得到显著增强。电机极对数不同，制动......
电磁阀上的字母ABRPS代表什么意思(2024-08-26)
电磁阀上的字母ABRPS代表什么意思;电磁阀（Solenoid valve）是用电磁控制的工业设备，是用来控制流体的自动化基础元件，属于执行器，并不限于液压、气动。用在......
发动机制动是什么_发动机制动是什么原理(2023-06-12)
发动机制动是什么_发动机制动是什么原理;发动机制动是什么意思？这个问题可能很多车主朋友都说不清楚它的含义，但却知道在什么情况下应该使用发动机制动。但不能正确理解发动机制动的意思，又是......
NO.16 PWM的概念以及MSP432中如何调用(2022-12-20)
NO.16 PWM的概念以及MSP432中如何调用; 什么是PWM？它全称是脉冲宽度调制，是一种模拟控制方式。
具体是什么意思呢？PWM跟我们的定时器紧密联系在一起。
假设......
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