东芝推出用于工业设备的第3代碳化硅MOSFET——TWxxxZxxxC系列
【导读】东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---“TWxxxZxxxC系列”，该产品采用东芝最新的[1]第3代碳化硅MOSFET芯片，用于支持工业设备应用。该系列中五款额定电压为650V，另外五款额定电压为1200V，十款产品于今日开始批量出货。
新产品是东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品，其封装支持栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，有助于减少封装内源极线电感的影响，从而提高高速开关性能。与东芝目前采用3引脚TO-247封装的产品TW045N120C相比，新型TW045Z120C的开通损耗降低了约40%，关断损耗降低了约34%[2]。这一改善有助于降低设备功率损耗。
使用SiC MOSFET的3相逆变器参考设计已在东芝官网发布。
东芝将继续扩大自身产品线，进一步契合市场趋势，并助力用户提高设备效率，扩大功率容量。
使用新型SiC MOSFET的3相逆变器
使用SiC MOSFET的3相逆变器
简易方框图
应用：
- 开关电源（服务器、数据中心、通信设备等）
- 电动汽车充电站
- 光伏变频器
- 不间断电源（UPS）
特性：
- 4引脚TO-247-4L(X)封装：
栅极驱动信号源极端使用开尔文连接，可降低开关损耗
- 第3代碳化硅MOSFET
- 低漏源导通电阻×栅漏电荷
- 低二极管正向电压：VDSF＝-1.35V（典型值）（VGS＝-5V）
主要规格：
（除非另有说明，Ta＝25℃）
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器件型号 |
封装 |
绝对最大额定值 |
电气特征 |
库存查询与购买 |
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漏 源 电压 VDSS （V） |
栅 源 电压 VGSS （V） |
漏极 电流 （DC） ID （A） |
漏 源 导通 电阻 RDS(ON) （mΩ） |
栅极 阈值 电压 Vth （V） |
总 栅极 电荷 Qg （nC） |
栅 漏 电荷 Qgd （nC） |
输入 电容 Ciss （pF） |
二极管 正向 电压 VDSF （V） |
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Tc＝25℃ |
VGS＝18V |
VDS＝10V |
VGS＝18V |
VGS＝18V |
典型值 |
测量 条件 VDS （V） |
VGS＝-5V |
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典型值 |
典型值 |
典型值 |
典型值 |
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|
|
TO-247-4L(X) |
1200 |
-10至25 |
100 |
15 |
3.0至5.0 |
158 |
23 |
6000 |
800 |
-1.35 |
|
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|
60 |
30 |
82 |
13 |
2925 |
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|
40 |
45 |
57 |
8.9 |
1969 |
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|
36 |
60 |
46 |
7.8 |
1530 |
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20 |
140 |
24 |
4.2 |
691 |
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650 |
100 |
15 |
128 |
19 |
4850 |
400 |
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58 |
27 |
65 |
10 |
2288 |
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40 |
48 |
41 |
6.2 |
1362 |
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30 |
83 |
28 |
3.9 |
873 |
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20 |
107 |
21 |
2.3 |
600 |
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注：
[1] 截至2023年8月
[2] 截至2023年8月，东芝测量值（测量条件：VDD＝800V、VGG＝+18V／0V、ID＝20A、RG＝4.7Ω、L＝100μH、Ta＝25℃）
关于东芝电子元件及存储装置株式会社
东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。
公司22,200名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过8,598亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。
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