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转换为交流电 (AC),反之亦然。2、IGBT模块是如何工作的?IGBT 结合了功率 MOSFET 的简单栅极驱动特性和双极晶体管的高电流和低饱和电压能力。IGBT 将用于控制输入的隔离栅 FET......
硬件工程师基础面试题(2024-10-06 11:59:22)
% 请问电阻、电容、电感的封装大小分别与什么参数有......
什么是SMT分立器件?有哪些类型?内部结构是怎样的?; SMT分立器件包括各种分立半导体器件,有二极管、晶体管、场效应管,也有由两三只晶体管、二极管组成的简单复合电路。 典型......
=2000,那么PWM会在8M的频率下每次计数2000次之后会进入到下一个计数循环。而PWM的占空比精度于预分频参数有关,预分频参数越小,精度越高;反之就越低 从下面的定时器时钟框图可以看出,事件U更新......
//RL。由于交流负载线与直流负载线均相交于Q,故通过Q点作出倾斜角a'=(arctg)1/RL的直线M'N',称为交流负载线。 四、等效电路法与h参数 1、简化的h参数等效电路“微变”是指晶体管的Ib......
的量称为晶体管的噪声参数。我们不计算这些参数,而是由制造商给出或通过测量获得。Fmin有时以dB为单位表示为NFmin,它随着晶体管的偏置点、温度和操作频率而变化。RN参数是一个灵敏度因子,表明......
我们从观察典型三星14 nm LPE FinFET晶体管的SEM侧视图开始(图1)。晶体管通道如同矽鳍片(Si Fin)般地形成,而非由图片的左下角向右上方生长。这些......
述了体效应如何影响漏极电流。我们可以计算如下:   方程式6 其中η是背栅跨导参数,通常取值在0到3之间。 低频和高频模型 现在我们已经定义了我们的参数,我们可以建立一个电路模型,表示晶体管的小信号操作。图4......
值会发生上下波动。实验使用了红外LED和光电晶体管,来使光学心跳监测器正常工作。LED发出的光穿过手指,由光电晶体管进行检测。光电晶体管就像一个可变电阻,根据接收到的光来传导不同大小的电流。 从光电晶体管的......
变频器的主要技术参数有哪些?;变频器(Variable-frequency Drive,VFD)是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。 变频......
震荡引起三极管偏置电压的波动, 进而使得前面高频振荡器出现间歇式震荡。扬声器将间歇振荡 信号转换成蜂鸣声音信号。 图1.3.4 间歇振荡器 关于负阻抗特性能够引起RC电路间歇振荡, 可以参考这种单节晶体管振荡电路。 单结晶体管的......
于液晶电视常用的谐振型电源节省电能。 在改进设计后,新产品降低了栅电荷(Qg)以及输入和输出电容,这些参数有助于进一步提高开关速度和能效,推进液晶电视开发人员选用超结晶体管设计谐振电源。直到现在,超结晶体管仍主要用于设计硬开关拓扑,在电......
是不是就可以解决以上两个问题了? 下图为晶元面积的发展史,很可惜晶元面积的增长速度较慢。如果不进行晶体管尺寸缩小,仅仅依靠晶元变大,那么半导体发展将远远的落后于摩尔定律。 选用更先进的工艺除了成本和良率的好处之外还有哪些......
偏压就要取得更负一些,反之,若运用时没有取到参数给出的阳极高压,栅极偏压的绝对值就要减小。电子管的典型工作参数可以从有关手册上查到。而且电子管的生产离散性相比晶体管要小得多,可以......
调制电路将不工作或调制性能变差。(2)变容性能变差时,高频调制电路的工作不稳定,使调制后的高频信号发送到对方被对方接收后产生失真。出现上述情况之一时,就应该更换同型号的变容二极管。 七、晶体......
,为开路损坏 2.二极管的WorstCase需要哪些参数? WorstCase就是检验真理的最好手段。 为此,首先要搞明白二极管的基本参数有哪些? 其次要知道常见的二极管模型是什么样子的,最后......
三极管知识讲解,补课(2024-11-09 18:33:37)
的排列不尽相同。在使用中不确定引脚排、列的三极管,必须进行测量,或查找晶体管使用手册,明确三极管的特J跬及相应的技术参数和资料。 现今比较流行的三极管901 I~9018系列为高频......
是用 PNP 还是 NPN 管,这应该在确定电源形式时同时考虑。有些三极管的外壳与某个电极相连,对于硅管来说往往是集电极。在需要基极接地时应考虑这个因素。 11、场效应晶体管......
工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题,一般不以超过管子的极限参数(Icm、BVceo、Pcm)为限......
浅析基本放大电路!(2024-10-05 18:03:02)
温度测量或控制器,将采用的信号放大。放大电路的实质,是用较小的能量去控制较大能量转换装置,利用晶体管的以小控大作用,电子技术中以晶体管为核心元件可组成各种形式的放大电路。放大的前提是不失真,只有......
甚至上千伏,而流过电子管的电流仅几十毫安至几百毫安。输入动态范围大,转换速率快。   电子管放大器大多是采用分立元件、手工搭线、焊接,效率低,成本高。而晶体放大器多是采用晶体管和集成电路相结合方式,广泛......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思;  体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。    一般使用简介:   (1)“电压(v)/度”旋钮开关  此旋钮开关是一个具有4......
RC时间常数电路中与电阻R串联,共同决定充放电时间长短的电容。 缩短电容:在UHF高频头电路中,为了缩短振荡电感器长度而串联的电容。 锡拉电容:在电容三点式振荡电路中,与电感振荡线圈两端并联的电容,起到消除晶体管......
VT 的基极。从图(b)看到,晶体管的输入电压和反馈电压是同相的,满足相位平衡条件的,因此电路能起振。由于晶体管的 3 个极是分别接在电感的 3 个点上的,因此......
导航系统等。 5、光电显示:光电二极管在光电显示领域也有应用,如液晶显示器、LED显示屏等。 6、光控:光敏二极管可以用作光控开关,无光照时,光敏而激光VDL因接收反向电压而截至,晶体管......
获得大的输出功率,加在功率晶体管上的电压、电流就很大,晶体管工作在大信号状态下。这样晶体管的安全工作就成为功率放大器的一个重要问题,一般不以超过管子的极限参数(Icm、BVceo、Pcm)为限度。 30、放大......
电容能随外加反向电压的变化而变化这一原理专门设计出来的一种特殊二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现低频信号调制到高频信号上,并发射出去。在工作状态,变容二极管调制电压一般加到负极上,使变容二极管的......
器件以及光电探测器等多个领域展现出巨大的应用潜力。尤其是在大数据和人工智能技术迅速发展的今天,铁电材料的高性能特性使其成为推动技术进步的关键因素。 测量方法及测量表征建议 张欣:如果要做FeFET测试和表征的话,需要有哪些......
器件以及光电探测器等多个领域展现出巨大的应用潜力。尤其是在大数据和人工智能技术迅速发展的今天,铁电材料的高性能特性使其成为推动技术进步的关键因素。 测量方法及测量表征建议 张欣:如果要做FeFET测试和表征的话,需要有哪些......
种用于巨型电力电子成套装置中的新型电力半导体器件。 IGCT 是将GTO 芯片与反并联二极管和门极驱动电路集成在一起,再与其门极驱动器在外围以低电感方式连接,结合了晶体管的......
发射机电路设计: 电视发射器电路设计说明如下。 音频信号通过电阻和电容(分别为 10Kohms 和 10uf )加到晶体管的基极。晶体管的发射极与射频变压器相连。音频信号在此经过晶体管的预放大。 射频......
栅-源阈值电压。你需要更高的电压才能打开晶体管。 这个连续漏电流。这是流经晶体管的最大电流。 还有其他重要的参数也需要记住,不过这取决于你在做什么。但这不在本文的范围之内。记住以上两个参数,您就......
晶体管驱动的电子管放大器;电子管作为音频功率输出故具有极佳的音乐表现力,而晶体管则在增益故发挥自己的独特作用,本文给出了一个晶体管驱动器及适合于推挽工作的分相器电路方案。     虽然......
GaN 器件的驱动器电压比较(来源:RECOM) SiC 和 GaN 晶体管的栅极驱动器必须根据每个器件的具体特性进行定制。对于高侧栅极驱动器,栅极驱动器和其直流电源必须采取隔离措施。 第一代 SiC......
是一些需要考虑的因素: 匹配性:功放机的功率应与扬声器匹配。如果功放机的功率过大,而扬声器无法处理那么高的功率,可能会导致失真或损坏。相反,如果功放机的功率过小,扬声器可能无法提供足够的音量和动态范围。 器件质量:功放机的晶体管......
是在大数据和人工智能技术迅速发展的今天,铁电材料的高性能特性使其成为推动技术进步的关键因素。 测量方法及测量表征建议 张欣:如果要做FeFET测试和表征的话,需要有哪些量测方法? 唐老师:这个器件的测试,当然......
是在大数据和人工智能技术迅速发展的今天,铁电材料的高性能特性使其成为推动技术进步的关键因素。测量方法及测量表征建议张欣:如果要做FeFET测试和表征的话,需要有哪些量测方法?唐老师:这个器件的测试,当然是有很多不同的角度的测试,包括......
性能FPGA平台上进行了实验验证。 随着集成电路技术节点的不断发展,3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应,加速了缺陷产生,降低了驱动电流,增大了晶体管功耗,进而使得晶体管......
为状态监控选择MEMS加速度计时,有哪些关键但经常被忽视的参数?;加速度计对于检测故障情况、帮助防止意外断电或避免发生其他代价高昂的事件至关重要。作为一名负责为状态监控(CbM)应用......
晶体管诞生的第75年,还可以用哪些方法延续? 晶体管的诞生据说是创造了第一个组装晶体管,称为“点接触晶体管”。图片由诺基亚贝尔实验室提供 根据 Brattain......
质量:功放中使用的电子元件的质量对音质有重要影响。高品质的电子元件能够提供更稳定、更低噪声的信号放大,从而保持音频信号的精确性和纯净性。例如,优质的电容、电阻、晶体管等元件可以改善功放的声音表现。 设计......
和高音可以使用电位器独立控制;因此,它可能看起来像面包板上的很多组件,但它们都是简单的组件,应该很容易获得。音频前置放大器电路所需的材料清单如下。 基于晶体管的双通道立体声BT电路图 双通......
对其驱动电路的研究很有意义。在实际的高压功率GaN器件应用过程中,我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在开关特性和动态特性上做了一个对比,更详细的了解其差异所在。 表二  GaN 器件DC参数 从上图GaN晶体管的......
功耗是如何计算的。晶体管的功耗大体分为两类:一类是静态功耗,一类是动态功耗。静态功耗的计算比较好理解,就是常规的电压乘以电流。而晶体管在做 1和 0的相互转换时会根据转换频率的高......
的负压关断方案。通过检索发现,松下早在2009年就在日本申请了一篇公开号为JP2010051165A的专利,其中采用了如下图所示的驱动电路,该电路在晶体管的栅极设置有RC电路。专利......
光电耦合器。尽管光电晶体管光耦合器可以通过改变进入光电晶体管基极的 LED 光束来传递宽频率的模拟音频信号。当光束到达其基极时,晶体管的输出会发生变化以放大。但在高频......
和DC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑,GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性,使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。   MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
和DC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑,GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性,使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。   MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
和DC/DC变换器和DC/AC逆变器中使用的其它软开关和硬开关拓扑,GaN晶体管的低导通损耗和无体二极管恢复两大特性,使产品可以提供卓越的能效和更高的整体性能。   MasterGaN1有两个时序参数精确匹配的常关晶体管......
蜂鸣器驱动电路(2024-10-14 12:31:55)
按照最大功率的蜂鸣器去设计电路即可,即三极管的推动电流按照 80 mA 设计。 假定:β=120 为晶体管参数的最小值,蜂鸣器导通电流是 80 mA。那么集电极电流 IC =80 mA。则三......

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