资讯
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
管的SOA曲线。如下图，在这张图中我们呢就可以根据我们实际的使用场景，来判断出MOS管的持续通电时间，即高电平占空比即周期。
蓝色：在VDS电压比较小时，ID通过的电流大小主要由MOS管的......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
效应的成因
在讲这个之前需要先回顾下MOS的开通过程。
图一
从t1开始时刻，Vgs开始上升的时候，Vds和Id保持不变，这个过程中驱动电流ig为Cgs充电，Vgs上升。一直到t1结束，Vgs上升到Vg(th......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
的压降（体二极管的压降是比MOS的导通压降大很多的），同时也要关注体二极管的过电流能力。
当满足MOS管的导通条件时，MOS管的D极和S极会导通，这个时候体二极管是截止状态，因为MOS管的导通内阻极小，一般......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
到底什么是I/O的驱动能力？(2023-02-02)
外接负载大小不同，流过P-MOS管的电流、VDS(源漏电压)就会不同。输出电流越大，VDS越大，I/O电压就越小。当电压低到Voh时的这个输出电流，就表示驱动能力。
当输出低电平0时，I/O引脚......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
围加上少量元器件就可以做成冲击电流限制电路。
MOS管是电压控制器件，其极间电容等效电路如图8所示。
图8. 带外接电容C2的N型MOS管极间电容等效电路
MOS管的极间电容栅漏电容Cgd、栅源电容Cgs......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
直到Vgs等于输入电压10V。
图中Vgs输入电压保持不变即Qgd阶段，输入电压不给Cgs充电，而是给Cgd米勒电容充电。这是MOS管固有的转移特性。这期间不变的电压也叫平台电压。
此时，MOS管的......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
电动车窗开关中MOS管的应用解析;随着科技的不断发展，电动车窗系统已经成为现代汽车中不可或缺的一部分。而MOS（金属氧化物半导体）管的应用，为电动车窗开关注入了新的活力，极大......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
有可能造成功率管遭受过高的di/dt而引起误导通。为避免上述现象的发生，通常在MOS驱动器的输出与MOS管的栅极之间串联一个电阻(R509)，电阻的大小一般选取几十欧姆。该电阻可以减缓Rds从无穷大到Rds(on)(一般......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
就有力。在电动车控制器产品上主推低压SGT MOS系列，产品具备如下优势：
产品优势：
1、在VDS耐压方面，能保证耐压性能；
2、Vth一致性高，适合多管并联；
3、在脉冲漏极电流Id (pluse......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
作原理图：
图1-3-A
图1-3-B
从图1-3-A可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。
当栅-源电压VGS=0时，即使加上漏-源电压VDS，总有一个PN结处于反偏状态，漏......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。（因为MOS管有Rds，如果Ids比较大，就会导致Vds很大）
综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
成本较高。
采用带软启动电路的有源开关来限制浪涌电流。
五、使用MOS管浪涌电流限制电路
如上所述，已经列举了2种浪涌电流方法。下面介绍使用MOS管导通电路来抑制输入电流此外，由于MOS管的......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
采用光纤的通讯方式，极大缩减了同步误差，可低于30ns。
2 MOSFET输出特性测试(ID=f(VDS))
MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。当MOSFET工作在开关状态时，随着......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
of a 1200V SiC Trench 这篇文章主要分析了在SiC 中比较明显的短沟道效应、Vth滞回效应、短路特性以及体二极管的鲁棒性。直接翻译不免晦涩难懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动电路。
2、NMOS管IRLR7843
在选择MOS管搭建H桥时，主要......
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
和操作的文章中看到了这个图，它帮助我们比较了NMOS和PMOS晶体管的漏极电流。
NMOS和PMOS晶体管的漏极电流与漏源极电压的关系。
图2:NMOS和PMOS晶体管的漏电流与VDS的关系。W / L......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
控制电路的通断。值得一提的的是，MOS管饱和导通后，漏源极（DS）之间的压降及损耗很小，保证电源电压几乎无损失地供给负载。下面开始逐步构造电路：
1. 以MOS管为受控开关
P沟道MOS管的......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
、Uds关键波形分析
1）下图是开关管Q1的Vds电压随着时间变化的波形图，t1时刻前也就是纵坐标为零时候，Q1导通，由于变压器原边电感较大，且电感两端电压与电流变化率成正比，因此......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
在正负的栅源电压下工作）
22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
在正负的栅源电压下工作）
22、N沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
沟道的MOS管需要正的Vds（相当于三极管加在集电极的Vcc）和正的Vt（相当于三极管基极和发射极的Vbe），而P沟道的MOS管需要负的Vds和负的Vt......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
较大的漏极电流流向源极(如果加负的Vgs，那么可能出现夹断，此时的电压成为夹断电压Vp***重要特性***：可以在正负的栅源电压下工作)
22、N沟道的MOS管需要正的Vds(相当于三极管加在集电极的Vcc......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
晶体管是非常流行的，这会导致体效应以一种非平凡的方式改变阈值电压。
信道长度调制
理论上，饱和状态的晶体管应作为具有无限输出电阻的理想电流源。 实际上，当沟道收缩时，VDS仍对漏极电流有影响，因此晶体管的......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
MOS管Q1的数据手册，显示最大极限值的VDS才20V：
奇怪的是，这个MOS管一直没烧。
大家知道为什么吗？
......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）;
一、原理介绍
如上图MOS管符号，要注......
具备高功率因数性能的单级 AC-DC 拓扑结构(2023-10-24)
ZVS导通波形
Q1和Q2的ZVS导通特性如图14和15所示，当MOS的VDS谐振达到0时，栅极导通，ZVS实现，ZVS的行为与 LLC 拓扑结构类似。
演示功能验证
为了......
具备高功率因数性能的单级AC-DC拓扑结构(2023-10-24)
导通波形
图15 Q1 ZVS导通波形
Q1和Q2的ZVS导通特性如图14和15所示，当MOS的VDS谐振达到0时，栅极导通，ZVS实现，ZVS的行为与 LLC 拓扑结构类似。
4.2 演示......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
管功耗也越大。
低功耗
低功耗主要反应在ESR（等效电阻）要小，MOS管就能满足要求，因为一般MOS管的Rdson（等效导通电阻）都是毫欧级别。
2.MOS管的......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
晶体管的空穴迁移率低，因而在MOS晶体管的几何尺寸和工作电压绝对值相等的情况下，PMOS晶体管的跨导小于N沟道MOS晶体管。
此外，P沟道MOS晶体管阈值电压的绝对值一般偏高，要求......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
MOS管的三个极怎么判定？;相信很多工程师在使用电子测量仪器的时候大家都了解，下面一起看看究竟是什么。本文引用地址：
1. MOS的三个极怎么判定？
符号上的三个脚，辨认......
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断(2024-10-16 11:40:39)
MOS管子又炸，分享几种常见的MOS管驱动波形的判断;
回忆起多年前做大功率电源产品的一段经历，那段时间主要调试MOS管的参数，一不小心就炸机，老板......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
根据选型的二极管参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
MOSFET在汽车电子上的应用;过去15到20年间，在汽车电子领域中，MOS管的应用已经很广泛了，汽车用功率MOSFET已从最初的技术话题发展到蓬勃的商业领域。选用功率MOSFET是因......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
摊牌了，MOS管的......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实物3D......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
作为开关电路完成高效电能转换时，用线性电路抑制电路纹波，得到有源纹波补偿Buck电路，实现可靠性高、寿命长的LED驱动。
电路的设计参数如下：
LED驱动电压电路中MOS管的选择
有效选择适合的MOSFET可降......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过比起三极管，MOS管有挺多优势，后面将会详细讲起。下图是MOS管实......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
）
，
可以等效看做是MOS管和三极管的结合体。
图片来源：华秋商城
回顾三极管和MOS......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
应用过程中，我们用GaN器件和当前主流的SJ MOSFET在开关特性和动态特性上做了一个对比，更详细的了解其差异所在。
表二 GaN 器件DC参数
从上图GaN晶体管的DC参数可以看到，其在......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
以实现不同VDD（芯片工作电压）的MCU之间进行串口通信。
该电路的核心在于电路中的MOS场效应管（2N7002）。他和三极管的功能很相似，可做开关使用，即可控制电路的通和断。不过......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
让体二极管方向和电流方向相同。用前面的电荷泵实现NMOS 高边驱动
在正常的正向电流情况下，由于MOS 管的导通电阻
R d s ( o n ) R_{ds......
大规模商用在即，回顾SiC器件的前世今生(2017-08-28)
英飞凌(Infineon)于2001年以碳化硅萧特基二极管的形式推出了第一款商业化元件。
在他们发布产品之后的几年里，碳化硅萧特基二极管经历了源于材料品质和元件架构的现场故障。为提高基板和外延的品质，取得......
南京江智-全系列中低压车规级MOS 碳化硅MOS(2023-11-02)
量应用于国内一线整车厂及TIER1公司，是车规级MOS专业供应商。SGT MOS采用先进的深沟槽分离栅工艺技术以及电荷平衡原理，工艺设计采用公司的三个专利技术（集成ESD钳位二极管的SGT MOS、集成SBR的SGT MOS......
反激式转换器 RCD 缓冲电路的设计指南(2024-11-10 12:40:37)
流后的最大直流输入电压。验证在瞬变期间和稳态期间， Vds
最大值分别低于 MOSFET 额定电压 (BVdss) 的 90% 和 80%。缓冲二极 管的额定电压应该高于 BVdss。通常，在缓冲电路中采
用额......
分享一个PMOS的电路设计，详细解析电路中各个元器件的作用(2024-09-20 13:53:37)
导通门限电压，Q2导通，也就是说Vout输出导通。
开关管Q1
可以选择NMOS或者NPN三极管，根据MCU的IO电压来选择MOS管的开启电压要大于三极管的......
相关企业
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;鸿海集团（香港）;;鸿海集团在深圳的分公司，主要做IC、MOS管的现货销售
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET（华瑞）全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品，电源，充电 产品，解码板，LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理，电源IC：BF1501 BF1502 BF1508 MOS：2N60－12N60，保持原装，价格
;德国威迪艾斯灾损预防有限公司上海代表处;;VdS隶属于德国保险业联合会，是欧洲消防和安全小组的成员之一，是世界上最权威的专业的消防及安防行业测试和认证的机构之一。 在过去的一个多世纪里，VdS一直
;丰艺电子有限公司;;丰艺电子股份有限公司是台湾上市公司,为AOS品牌MOS管的原厂一级代理商,价格优势,交货稳定!!
;深圳市赛尚电子科技有限公司;;本公司是专业代理多种知名品牌IC和MOS管的厂家，“以质量求生存，以信誉求发展”
;瑞特鑫电子科技(深圳)有限公司;;本公司是美国力特保险丝及台湾UTC系列MOS管的代理商,向业内人士提供优质的相关产品,欢迎垂询
康桥）、CBC（上海源赋创盈）。MOS管的品牌：KEC（韩国半导体）、CET（台湾华瑞）、AP（台湾富鼎先进）、AOS（美国万代）、CBC（上海源赋创盈），灯珠品牌：samsung（韩国三星）、HELIXEON