资讯
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
参数决定）
2、采用NMOS防护
如下图，上电瞬间，MOS管的寄生二极管导通，系统形成回路，源极S的电位大约是0.7V，而栅极G的电位为Vbat，MOS管的开启电压极为：Ugs......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗;本文将谈一谈使用有刷直流电机驱动器IC进行PWM驱动时，通过输出MOSFET的寄生二极管进行电流再生时的功耗。之所以讨论这个话题，是因......
MOS管的三个极怎么判定？(2024-03-08)
沟道，由S极指向D极；P沟道，由D极指向S极。
4. 简单的判断方法
上面方法不太好记，一个简单的识别方法是：（想像DS边的三节断续线是连通的）
不论N沟道还是P沟道MOS管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
，输出为S；P沟道的电源输入为S，输出为D；且增强型、耗尽型的接法基本一样。
红色箭头指向G极的为NMOS，箭头背向G极的为PMOS
▉ 寄生二极管
由于生产工艺，一般的MOS管会有一个寄生二极管......
基于电机PWM输出方式的电流再生方法(2023-03-27)
方法。在这种情况下，再生电流经由关断的Q2和Q4的寄生二极管流动。在该路径中，Q2和Q3的两个寄生二极管的VF会成为损耗。
另外，由于电源Ea进入电流路径并使电流沿相反的方向流动，所以......
半桥不对称 PWM 控制变换器(2024-11-15 11:28:50)
S2在不对称脉宽调制控制下工作时，忽略开关转换过程中的死区时间，S1、S2的工作周期分别为 D和 （1-D），它们与两开关管上的寄生二极管 VD1、VD2，寄生电容 C1、C2组成......
使用PWM输出方式驱动有刷直流电机 : 损耗和注意事项(2023-04-11)
（d）中，由于电流经由两个MOSFET的寄生二极管，因此损耗是各寄生二极管的VF之和×电流。
在（c）中，由于电流经由导通的MOSFET和关断的MOSFET的寄生二极管，因此损耗是导通的MOSFET......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用？;
MOS管在电路中作为开关，NMOS和PMOS开关连接方式不同，开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端，正极......
PMOS做信号开关NMOS做电平转换(2024-12-02 10:02:21)
是仿真电路，D2相当于寄生二极管。
仿真结果如此，但为什么是这个结果？
二极管有反向截止特性，为什么没有阻隔电压？
有没有办法使VB=0V？
这要从二极管的......
有刷电机单开关电路驱动、半桥电路驱动方法(2023-04-11)
，因此即使在空转状态将Q1和Q2断开，与电机并联连接的MOSFET的寄生二极管也会再生电流，从而产生与短路制动相同的动作。只要电机的产生电压不降到寄生二极管的正向电压以下，这种短路制动状态就会持续。
与......
除了二极管，防反接电路还能用什么？(2023-09-12)
和保险丝一般都需要更换。并且，输入反接时产生一个负压，后级设备还是有可能损坏。
防反接
基本电路
基本的防反接电路，利用的寄生二极管：
电源正接，寄生二极管导通，S极电压升高，Vgs ≈ −Vin......
NMOS 、 PMOS管 原理、选型、应用（非常实用值得参考）(2024-11-04 21:17:04)
接驱动就有可能出现问题。
2、（保护）寄生二极管
使用时，要特别注意内部保护二极管。例如，电源接反时，源级S接到了电源正极，此时通过内部寄生二极管导通，如果......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集......
功率MOS体二极管参数分析(2024-12-07 19:11:23)
功率MOS体二极管参数分析;
体二极管的作用
MOS的体二极管能够让感性负载电流在MOS处于“关断”状态时绕开MOS。因此，它在同步整流
和续......
MOS管驱动电路有几种，看完就明白了(2024-11-01 12:17:03)
能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导通的需要的能量就比较大，如果电源IC没有比较大的驱动峰值电流，那么......
几种常用的驱动电路！(2024-12-20 15:49:48)
不同芯片，驱动能力很多时候是不一样的。
②了解MOS管的寄生电容，如图C1、C2的值，这个寄生电容越小越好。如果C1、C2的值比较大，MOS管导......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
一种方案不足时，关闭时直接把GS短路
米勒振荡还有可能是MOS源极对地寄生电感偏大，在MOS进入开启状态从二极管换流至MOS的瞬态电流在MOS源极对地的寄生电感上产生一个压降，所以在PCB布板......
PWM驱动有刷电机时的电流再生方法及其区别(2023-06-06)
持导通，电机电流经由Q2的寄生二极管循环流动。 图2为使用了这种将电机的两个引脚端接的电流再生方法时的PWM工作波形。作为等效电路，（b）和（c）基本相同，所以波形也相同。为了更容易理解，电流......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
了碳化硅MOSFET在工作频率和效率方面的巨大优势。
碳化硅MOSFET寄生体二极管具有极小的反向恢复时间trr和反向恢复电荷Qrr。对于相同额定电流为900V的器件，碳化硅MOSFET寄生二极管的......
MOS管驱动电路设计(2023-09-30)
了可靠性。
隔离驱动
为了满足高端MOS管的驱动，经常会采用变压器驱动。其中R1目的是抑制PCB板上寄生的电感与C1形成LC振荡，C1的目的是隔开直流，通过交流，同时也能防止磁芯饱和。......
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究(2023-03-06)
HV SJ MOSFET工作在第三象限时电流路径探究;相信各位工程师在日常的电源设计中，当面对ZVS的场景时，经常会有如下的困惑：比如大名鼎鼎的LLC，工作在死区时，MOSFET 寄生二极管......
SiC在电动车功率转换中的应用(2024-07-23)
车最重要的动力元件是电动车牵引逆变器，我们将在之后的文章中讨论。其他重要转换器有车载充电器和直流转换器。它们越来越多地涉及双向功率流，并因快速开关和出色的寄生二极管行为而大大获益。SiC FET 产品现已符合 AEC-Q101......
双向电平切换电路，不同电平之间也可双向通信(2024-12-05 10:48:58)
，此时3.3V信号端受上拉电阻R1作用，电平上拉到3.3V。当5V信号端为低电平时，3.3V信号端受Q1内部寄生二极管的作用电压下降，当下降到一定程度，Q1的Vgs电压会使Q1导通，此时3.3V信号......
电路设计要考虑的异常情况(2024-04-24)
辅助起着输入端限幅作用。但是在ABT,LVT,LVC和AHC/AHCT类集成电路中无此二极管。
2、D2是半导体集成所产生的寄生二极管(存在于所有数字集成电路),其辅......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜
图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
由于IGBT模块中di/dt的增大，也增大了续流二极管的过压极限。
栅极电阻与关断变化图
栅极驱动的印刷电路板布线需要非常注意，核心问题是降低寄生电感，对防止潜在的振荡，栅极电压上升速率，噪音......
详解RCD钳位电路(2024-02-29)
详解RCD钳位电路;一、本文引用地址：反激式开关电源的由电阻R1、电容C1和二极管D1组成，如下图，其中：Lk为变压器的漏感，Lp为变压器原边绕组电感、Cds为Q1的寄生电容、T1为变压器、Q1是开......
高压栅极驱动IC自举电路的设计与应用指南(2022-12-23)
，如图9所示。当大电流流过续流二极管时，由于di / dt很大，Vs电压将低于地电压。这时，闭锁危险发生了，因为栅极驱动器内部的寄生二极管DBS，最终沿Vs到VB方向导通，造成下冲电压与VDD叠加......
栅极驱动 IC 自举电路的设计与应用指南(2025-01-12 16:34:20)
危险发
生了，因为栅极驱动器内部的寄生二极管 DBS，最终沿
VS 到 VB 方向导通，造成下冲电压与 VDD 叠加，使得自
举电容被过度充电，如图 10 所示......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
开关时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
、功率MOSFET零电压的开通
功率MOSFET要想实现零电压的开通，也就是其在开通前，D、S的电压VDS必须为0，然后，栅极加上VGS驱动信号，这样就可以实现其零电压的开通。在实际的应用中，通常方法就是利用其内部寄生的反并联寄生二极管......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
SiC MOS管的大量使用，在开关过程中会出现尖峰，这与电压电流的瞬态变化以及寄生参数 (电感、电容) 有关，特别是针对高频开关。在SiC MOS开通过程中，伴随很大的电压瞬变，即dv/dt，从而在寄生......
MOSFET驱动电路中的误开通咋应对？(2024-12-30 14:11:28)
这个电压尖峰超过了MOSFET的开通阈值，MOSFET就会被开通，从而导致电路直通甚至损坏。
还有一种误开通是由于线路上的寄生电感引起的，如下图， Ls是MOSFET......
谈谈几种常用的MOSFET驱动电路(2024-04-22)
管关断时间
图3 加速MOS关断
关断瞬间驱动电路能提供一个尽可能低阻抗的通路供MOSFET栅源极间电容电压快速泄放，保证开关管能快速关断。为使栅源极间电容电压的快速泄放，常在驱动电阻上并联一个电阻和一个二极管......
开关电源Buck电路CCM及DCM工作模式(2023-08-03)
除去所有的注入电荷需要一定的时间才能恢复到它的断开状态，在完全恢复之前，它呈现短路行为。对于肖特基二极管，有金属半导体硅结，它没有恢复效应，然而，有很大的寄生电容，也有结电容。
b. 当二极管导通，一旦放电，SW很快......
电源防反接电路笔记(2024-11-11 14:18:47)
，此时存在电流的通路，同时会给GS之间的结电容充电。当充电到Vgs_th的阈值电压，MOS管打开。此时电流经过MOS管从S流向D，由于Rdson很小，此时SD两端电压很小，低于体二极管的开启电压，体二极管......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13 11:33)
方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案设计实现的单极电流限制的两倍。在2.7mΩ・cm2条件下，导通电阻降低约20......
这位大牛记录下了电路设计的全过程(2024-04-24)
后，反射电压Vor（即nVo）、次级整流二极管承受的最大电压VD 以及MOS 管承受的最大电压Vdsmax，可由下式得到：
通过公式（5）（6）（7），可知，Dmax 取值越小，Vor 越小，进而......
东芝开发带嵌入式肖特基势垒二极管的低导通电阻高可靠性SiC MOSFET(2022-12-13)
式MOSFET的侧电流特性的评估证实，使用方格设计将嵌入式SBD固定在体二极管附近能够有效限制寄生二极管的双极传导，而反向传导的单极电流限制是由相同SBD面积消耗的电流条状SBD图案......
如何测量功率回路中的杂散电感(2024-03-19)
究竟是选择开通还是关断过程来计算杂感值呢？对于关断过程中产生的Vce电压尖峰主要包含上的电压和二极管的正向恢复电压，如图5(a)所示，且IGBT的关断dic/dt不太受门极控制，且电压尖峰持续时间比较短，测量......
选择合适的 ESD 器件(2023-10-30)
之间的主要区别在于每个结构将添加到受保护的 I/O 上的寄生电容量。）每种结构均旨在引导正负 ESD 脉冲远离受保护的 IC。对于正瞬变，图 2 中的 TVS/齐纳二极管将在达到电压 VZ（通常为 6-8V......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系;
PN结：从......
给SiC“挖坑”，国产有机会吗？(2024-06-17)
减小了反向阻断时结位置的电场强度，从而降低二极管的漏电流，提高了器件的热稳定性；此外，它将导电沟道从水平的晶面转移到了表面电子迁移率更高的竖直晶面，消除JFET区域，使器件导通电阻更低，减小了导通损耗，因此沟槽型SiC MOSFET......
碳化硅MOSFET尖峰的抑制(2023-01-13)
的尖峰吸收能力有限，因此抑制效果也会受限。
c. RCD 缓冲电路的RSNB 消耗的电力与(b)相同，但因为只经由二极管吸收尖峰，比起(b)的吸收效果高、更实用。但是，需要注意使用的二极管的......
设计一个缓冲电路抑制浪涌(2024-11-23 18:23:13)
方一并连接电容器CSNB的（a）C缓冲电路、在各开关器件的漏极和源极之间连接电阻器RSNB和电容器CSNB的（b）RC缓冲电路、在RC缓冲电路中添加了二极管的（c）放电型RCD缓冲电路、以及将RDC缓冲......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
会产生较大的压降
此处二极管的选择尽量选择低压降的肖特基二极管，以保证信号传输不会因为二极管的压降过大导致电平读取出错。
工作......
硬件工程师入门基础元器件与电路原理(2024-12-03 11:23:44)
硬件工程师入门基础元器件与电路原理;
本文介绍了硬件工程师入门的基础元器件，包括二极管、三极管、MOS管和IGBT。对比了肖特基二极管与硅二极管的特性，探讨了三极管......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
因反向偏压状态而变为截止状态，通过PN结的耗尽层，成为电容量较小的电容器。当高边开关采用FET同步整流方式时，FET具有寄生二极管，因此存在“耗尽层+源极和漏极间的物理结构+栅极电容”形成的电容COSS。充电......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
很大。因此内部寄生二极管的电容特性使MOSFET开关......
相关企业
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;snow;;专业代理二极管，三极管，MOS管
;鹏忠电子;;卖二极管的
;深圳市欧益电子科技有限公司;;IC。MOS。二极管。三极管
;南京轩旭科贸有限公司;;本公司主营二极管玻壳与各种二极管,竭诚为各家生产二极管的企业与电子厂家服务,提供各种型号和优质的二极管与玻壳产品.我公司期待着与您的合作.
;东莞市鸿润电子有限公司;;东莞市鸿润电子有限公司是一家集生产加工、经销批发的有限责任公司，保险管、开关二极管、稳压二极管、高压二极管、可控哇、快恢复二极管、变速二极管、MOS管、MOS管、碳膜
;深圳市福田区大联顺电子商行;;主营SMD：二极管、三极管、MOS管、LDO。
;临华光电有限公司;;公司具有完整的LED发光二极管的生产线,有员工厂百来人,能生产各种型号的LED发光二极管,和发射管.
;深圳市安裕达电子;;二极管、三极管、开关二极管、肖特基三极管、瞬变二极管、PIN结二极管、大/中/小功率三极管、高频管、带阴三极管、复合管、整流二极管、快恢复二极管、稳压二极管、整流桥、射频
;昆山江捷电子;;公司主要经营 电容电阻二极管三极管的代工, 以后转向生产