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可重构晶体管登场，可用于构建有编程功能的芯片电路(2024-03-29)
可重构晶体管登场，可用于构建有编程功能的芯片电路;IT之家 3 月 29 日消息，来自奥地利维也纳工业大学的科研团队近日开发出新型晶体管技术--可重构场效应晶体管（RFET），可用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板(2021-05-14)
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管(2022-05-16)
EPC新推最小型化的100 V、2.2 mΩ 氮化镓场效应晶体管;
宜普电源转换公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化镓场效应晶体管（EPC2071）,为设计工程师提供比硅MOSFET更小......
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区(2017-07-31)
OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-25 09:55)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生长出一个......
下一代纳米结构开启制造超低功率电子元件的可能(2023-04-23)
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。
化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生长出一个......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
件受到全面保护，并在5 mm x 5 mm尺寸的微型封装中，提供OCP、UVLO、OVP、OTP、每个周期电流限制和PGOOD。
● EPC2204是一款100 V的氮化镓场效应晶体管......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
在成本上将比SiC和GaN等材料更具优势。
目前，氧化镓材料面临一个重要的难点：难以实现氧化镓的p型掺杂，这导致氧化镓场效应晶体管面临着增强型模式难以实现和功率品质因数难以提升等问题。氧化镓垂直场效应晶体管......
立锜科技与宜普电源转换携手推出小型化、140W快充解决方案(2023-01-18)
尺寸的微型封装中，提供OCP、UVLO、OVP、OTP、每个周期电流限制和PGOOD。
● EPC2204是一款100 V的氮化镓场效应晶体管，具有6 mOhm 最大导通电阻、5.7 nC QG......
HMC554A-DIE数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:11)
HMC554A-DIE数据手册和产品信息;HMC554ACHIPS 是一款通用型双平衡混频器，可用作 10 GHz 至 20 GHz 的上变频器或下变频器。该混频器采用砷化镓 (GaAs) 金属半导体场效应晶体管......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
（MOSFET）的高电流单栅控制特性及双极性晶体管的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会透过把一个隔离的场效应晶体管（FET）结合，作为其控制输入，并以双极性晶体管......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工(2022-07-25)
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈(2021-12-14)
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
中科大在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展(2022-05-27)
领域首次报道的高温击穿特性。
▲图1.结终端扩展NiO/β-Ga2O3异质结二极管（a）截面示意图和器件关键制造细节，（b）与已报道的氧化镓肖特基二极管及异质结二极管的性能比较
02增强型氧化镓场效应晶体管......
芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代(2024-06-03)
）。张晓强指出，CFET预计将被导入下一代的先进逻辑工艺。CFET是2nm工艺采用的纳米片场效应晶体管（NSFET，也称为环栅或 GAA）架构后，下一个全新的晶体管架构。从14nm导入......
车规级氮化镓ToF可在28A并具1.2ns脉宽的脉冲电流驱动激光(2020-01-14)
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
如何用万用表测试MOSFET(2024-04-03)
如何用万用表测试MOSFET;介绍：
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。
MOSFET 是一种四端子器件，具有......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计(2021-02-24)
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
Rapidus本月接收EUV光刻机，对2nm量产有信心(2024-12-16)
结构由使用多年的FinFET鳍式场效应晶体管，转成GAAFET全环绕栅极场效应晶体管，对制程改朝换代带来新挑战。 如何达多阈值电压（Multi Vt），让芯片以较低电压执行复杂计算是个挑战。......
【51单片机】I/O口(2024-07-26)
位操作。
下面的图个乐，没基础的看这玩意就是挥刀自宫
1. P0
1个输出锁存器（D型触发器）2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）1个输出控制端（1个与......
单颗芯片容纳1万亿个晶体管？我们的世界是否还需要更好的晶体管?(2023-01-10)
术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现 4 英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。
该技术成果的文章发表在 nature electronics，并受到大家广泛关注。在这......
更小、更快、更节能，半导体芯片迎大突破(2023-07-17)
设备就必须变得更小、更快、更节能，以跟上数据创新的步伐。
铁电场效应晶体管（FE-FETs）是应对这一挑战的最有趣的答案之一。这是一种具有铁电性能的场效应晶体管。它利用铁电材料的非易失记忆性质，在其中植入场效应......
常用的16种电子元器件的图片、名称、符号！挺全的，值得收藏！(2024-10-20 21:01:18)
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
台积电首提1nm工艺，实现1万亿晶体管的单个芯片封装(2023-12-29)
久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。
据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
8051单片机基本操作(2024-01-15)
址，第二功能：用于系统扩展
P3：常用第二功能
1. P0
1.1 构成
1个输出锁存器（D型触发器）
2个三态缓冲器（控制读引脚或读锁存器）
1个输出驱动电路（1对场效应晶体管FET构成）
1......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管(2023-02-07)
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管;
【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器(2022-07-22)
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。
随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
氧化镓：10年后将直接与碳化硅竞争(2023-01-09)
率器件里，目前主要是肖特基二极管和场效应晶体管，其它器件结构还未开展。
（1）氧化镓基肖特基二极管
对于肖特基二极管，其精准的势垒高度调控仍然是个难题，同时其体电场仍有较大的优化空间，另外......
台积电：2nm 制程 2025 年量产，N3P 2024 年下半年量产(2023-04-27)
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......
集成电路（IC）芯片内部电路结构详解(2025-01-09 22:09:25)
技术与结构
随着技术的不断进步，芯片的设计和制造也在不断创新，以下是一些高级技术与结构：
1. FinFET（鳍式场效应晶体管......
简述碳化硅SIC器件在工业应用中的重要作用(2022-12-21)
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。
电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
与为运动控制和节能系统提供电源及传感半导体技术的全球领先企业Allegro MicroSystems, Inc.（Allegro）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。
封面......
无源探头与有源探头的区别有哪些(2023-01-13)
探头
有源探头包含或依赖有源器件操作，如晶体管。最常见的情况下，有源器件是场效应晶体管 (FET)。FET 输入的优势是，它提供了非常低的输入电容，一般为几皮法拉，最低不到 1 皮法拉。这种超低电容可以实现用户希望的多种效应......
苹果A17处理器性能缩水,台积电3nm良率不理想(2023-03-22)
层面依然是FinFET(鳍式场效应晶体管)，这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。
实际上，台积电3nm也会是FinFET绝唱，三星已经切换到GAA晶体管，Intel则会在20A(2nm)时导......
台积电3nm露馅了：苹果A17处理器性能惨遭缩水(2023-03-21)
层面依然是FinFET（鳍式场效应晶体管），这限制了3nm做到更高的密度和更低的能耗。
实际上，台积电3nm也会是FinFET绝唱，三星已经切换到GAA晶体管，Intel则会在20A（2nm）时导......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究;由于半导体生物传感器的低成本、迅速反应、检测准确等优点，对于此类传感器的研究和开发进行了大量投入。特别是基于场效应晶体管 (FET) 的生物传感器或生物场效应......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离......
Transphorm携手Allegro MicroSystems提升大功率应用中氮化镓电源系统性能(2023-12-07 10:36)
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其免受高电场的影响？
图2：罗姆的第3代碳化硅金氧半场效晶体管（来源......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
局将栅极密度增加了约1.3倍。
然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极沟槽能为栅极提供多少保护，使其......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
的六边形布局，该布局将栅极密度增加了约1.3倍。
然而，在罗姆最新的第4代产品发布前，这两款沟槽器件均无法拥有低于一流平面双扩散型场效应晶体管的Ronsp。第3代设计的另一个问题在于，源极......
揭秘十大常用电子元器件背后的那些门道！(2024-10-20 21:14:56)
管
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属......
EPC新推80 V和200 V eGaN®FET,进一步扩大其高性能氮化镓产品阵容(2021-06-18)
的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。
EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），可提供221 A脉冲电流，其芯片级封装的尺寸为7.1......
相关企业
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
;易信通科技有限公司;;深圳市易信通科技有限公司是一家MOS-FET(场效应晶体管)销售的专家,现推出台湾茂钿半导体股份有限(WWW.MTSEMI.COM)公司全线产品.产品主要有MT2300
;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
;欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
;丰泰电子（香港）公司;;ROHM大中华区专业经销商。分离式半导体如晶体管，场效应晶体管MOSFET、双极晶体管、数字晶体管、复合晶体管；二极管，肖特基势垒二极管、整流二极管、整流二极管、开关
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
;结型场效应管 深圳市福田区大兴华微电子商行;;深圳市福田区大兴华微电子商行 经销批发的MOSFET场效应管、光耦、FLASH/DDR/SDRM、三端稳压IC、MOSFET场效应晶体管、单双
;深圳市美源达电子器材有限公司;;深圳市美源达电子器材有限公司.位于中国深圳市，深圳市美源达电子器材有限公司.是一家IC、电阻电容、功率模块、二三极管、场效应管、晶体管
器专用开关三极管)、大功率晶体管、音响音频配对管、达林顿晶体管、高反压晶体管、MOSFET-功率场效应晶体管、二极管(快恢复/超快恢复、整流/高效整流、稳压/齐纳、双向触发、肖特基、TVS瞬态