资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
管是双极性器件（既有多数载流子，也要少数载流子导电）。
3、有些MOS管的源极和漏极可以互换运用，栅极也可正可负，灵活性比三极管好。
4、MOS管应用普遍，可以在很小电流和很低电压下工作。
5、MOS管输......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜
图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
和P沟道两种。
我们常用的是NMOS，因为其导通电阻小，且容易制造。在MOS管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管。这个叫体二极管，在驱动感性负载（如马达），这个二极管很重要。顺便......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
２、用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍;
随着半导体行业的最新进展，对具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) 的研究正在兴起。在 SB MOSFET
中，源极和漏极......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
管结构。
图1.具有寄生电容的MOSFET结构。
电容值会随着工作区域的变化而变化，我们将在接下来的部分中讨论。
栅源和栅漏电容
虽然图1中没有显示，但在晶体管制造过程中，源极和漏极在栅极下方略微延伸。在栅极与源极或漏极重叠的区......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
；第三步是沉积源极和漏极的金属；第四步是玻璃和退火，形成源极和漏极金属；第五步，用第三张光罩来定义门极；第六步是做门极金属沉积；第七步是金属剥离，以形成门极金属；第八......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
使用中，无论是NMOS还是PMOS，通常把S极和衬底B接在一起用，叫做共源接法。所以经常看到如下图的符号。你要问为什么衬底要和源极接在一起，我暂时还不知道，但从MOS管结构图可知，源极和漏极......
通过电机驱动器输出晶体管的寄生二极管进行电流再生时的功耗(2023-06-06)
管Qa。
当再生电流流过这个Nch MOSFET的源极和漏极之间的寄生二极管Di_a时，由于元件分离P型扩散层是与GND相连接的，因此寄生NPN晶体管Qa的基极和发射极之间的二极管也会产生正向电压。为此......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
生物晶体传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极和漏极......
一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能(2023-01-17)
一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能;一文学会高效比较CMOS开关和固态继电器性能
源极和漏极之间的关断电容CDS(OFF)可用来衡量关断开关后，源极信号耦合到漏极的能力。它是......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路主要分为两种。
PMOS管开关电路，栅极与源极之间的电压
V......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
管原理图上可以看到，漏极和源极之间有一个寄生二极管，这个叫体二极管，在驱动感性负载(如马达)，这个二极管很重要。
顺便说一句，体二极管只在单个的MOS管中存在，在集......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
，通常是晶圆基底。#2为P阱，指的是形成n沟道MOSEFT的区域。#3为n沟道MOSFET源极的扩散区。#4为n沟道MOSFET漏极的扩散区。#5为p沟道MOSFET漏极的扩散区。#6为p沟道MOSFET......
基础知识之晶体管(2024-03-21)
计算元件的通道温度。
六、导通电阻
何谓导通电阻？
MOSFET工作（启动）时，漏极和源极间的阻值称为导通电阻 （RDS(ON)）。数值越小，工作时的损耗（功率损耗）越小。
关于导通电阻的电气特性
晶体管的......
三星向外界公布 GAA MBCFET 技术最新进展(2023-06-27)
的最新进展以及对 SRAM 设计的影响。
3纳米GAA MBCFET的优越性
GAA指的是晶体管的结构。晶体管是电子电路的组成部分，起到开关的作用，也就是当门极施加电压时，电流在源极和漏极......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝......
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
电压必须大于导通晶体管所需的阈值电压。
现在，最大源极漏极电压通常明显高于最大源极栅极电压，限制了电路的输入电压。
如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压，则应......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
管是另一种常见的晶体管。
它还有三个引脚：
· Gate(G)
· Source(S)
· Drain(D)
MOS的工作原理类似于BJT晶体管，但有一个重要的区别：
对于BJT晶体管，电流......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
体材料由于高温而分解）。
更具体的故障包括栅极和管芯其余部分之前的极薄氧化物击穿，这可能发生在相对于漏极或者源极的任何过量栅极电压中，可能是在低至10V-15V 时发生，电路......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
导通关断受到栅极电压的控制。我们从图上观察，发现N-MOSFET管的源极S和漏极D之间存在两个背靠背的pn结，当栅极-源极电压VGS不加电压时，不论漏极-源极电压VDS之间加多大或什么极性的电压，总有一个pn结处于反偏状态，漏......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
我们将输出电阻乘以MOSFET的跨导（gm），我们将获得我们在方程式1中找到的小信号增益。此外，CS放大器的增益然后变得等于M1的漏极处观察到的电阻除以M1的源极处观察到的电阻，该电阻是跨导的倒数（1/gm）。因此，从这......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
到的小信号增益。此外，CS放大器的增益然后变得等于M1的漏极处观察到的电阻除以M1的源极处观察到的电阻，该电阻是跨导的倒数（1/gm）。因此，从这里我们可以将所有CS放大......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的......
90%的人会忽略的40个实用模拟电路小常识(2024-11-30 17:23:02)
应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate,门一样的存在，和基极的作用差不多>其中......
电子工程师必备！40个模拟电路小常识！(2024-12-15 01:50:33)
场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
大栅源阈值电压为2.3V。
★3.漏源导通电阻（Rds）：该电阻是MOS管导通时，漏极和源极之间的损耗内阻，将会决定电机转动时，MOS管上的发热量，因此一般越小越好。LR7843的漏源导通电阻为3.3mΩ。
★4......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
极提供电流的电路就是所谓的偏置电路。
20、场效应管三个铝电极：栅极g，源极s，漏极d。分别对应三极管的基极b，发射极e，集电极c。<源极需要发射东西嘛，所以对应发射极e，栅极的英文名称是gate......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
要经过一段时间，高压下Rds会消耗大量的功率，而导致mos管发热异常。该电阻上并联的二极管(D507)是在脉冲下降沿时起到对栅极放电的作用，使场效应管能快速截止，减少功耗。
2）防止栅源极间过电压:
由于栅极与源极的......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案;因为MOS晶体管的衬底或者与源极相连，或者连接到VDD或VSS,所以经常被用作一个三端设备。由于未来CMOS技术的阈值电压并不会远低于现有标准，于是......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
与栅极-发射极电压VGE之间的关系曲线。
为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。
当VGS=0V时，源极S和漏极D之间相当于存在两个背靠背的pn结，因此不论漏极-源极......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
， Vgs=-Vin 所以导通 所以 两个PMOS管导通。
当输入电压突然没有的时候， Vin没有 所以 三极管Vb=0 Vbe<0，所以不导通，PMOS管栅极和漏极......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
扫描到400V的电容特性
图17 400V扫描的输出数据
图16显示了由4200A-SCS中测试MOSFET上高达400V的C-V扫描图。差分电压为一个计算值。区别在于漏极和源极之间的电压不同。图17......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
. 400V扫描的输出数据
图16显示了由4200A-SCS中测试MOSFET上高达400V的C-V扫描图。差分电压为一个计算值。区别在于漏极和源极之间的电压不同。图17显示了输出数据，其中......
升压型DC-DC转换器中高频噪声的产生原因(2024-03-07)
管因反向偏压状态而变为截止状态，通过PN结的耗尽层，成为电容量较小的电容器。当高边开关采用FET同步整流方式时，FET具有寄生二极管，因此存在“耗尽层+源极和漏极间的物理结构+栅极电容”形成的电容COSS。充电......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
形成保护。
PMOS防反
NMOS管将ds串到负极，PMOS管将ds串到正极，寄生二极管方向朝向正确连接的电流方向；
MOS管的D极和S极的接入：通常使用N沟道的MOS管时，一般是电流由D极进入S极流......
5nm的晶体管会是什么样子？(2016-11-11)
内部连接
现在，设备需要一个栅极，使用atomic layerdeposition (ALD),，HKMG材料被放置在源极和漏极的狭小间隙之间。这样的话，栅极......
东芝扩展了采用可提高电源效率的新一代工艺的150V N沟道MOSFET(2023-02-28)
品降低了漏源导通电阻。同时，器件结构的优化改善了漏源导通电阻与输出电荷之间的平衡[1]，并且具有业界领先[2]的低功耗。此外，产品还降低了开关操作时漏极和源极之间的尖峰电压，有助于减少开关电源的电磁干扰（EMI......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
阳极侧施加了正电压，但是，电池电压必须高于二极管的正向偏置电压。当二极管为正向偏置时，MOSFET 源极中的电压电平将为电池电压减去体二极管压降。
简而言之，这是一个积极的......
到底什么是I/O的驱动能力？(2023-02-02)
驱动能力是指，在输出电流小于等于最大输出电流的情况下，I/O引脚可以正常的输出逻辑1。
P-MOS管的源极(S)接VDD，当MCU输出1时，P-MOS管导通，电流从源极(S)流向漏极(D)。I/O引脚......
一文看懂3D晶体管(2016-11-01)
一堆漏电流产生），所以在芯片晶体数暴增的今天，是个很好用的技术。
▲MOS半导体导通示意图
夹止
请参考MOS通道形成图，通道由于来自源极和汲极的电压差吸引，并不会变成平行于闸极的......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
一个MOS 管的导通电阻是20mΩ，1A 的反向电流就会在MOS 管漏极和源极之间产生20mV 压降。这时的栅源电压
V G S ( o n ) V_{GS......
碳化硅功率器件的基本原理及优势(2024-04-30)
MOSFET中，碳化硅材料分为N型和P型两种，通过掺杂可以得到不同的电导率类型。MOSFET中的栅极是用金属制成的，而源极和漏极是用N型或P型碳化硅材料制成的。当在栅极上加上正电压时，MOSFET中形......
MOSFET选得好，极性反接保护更可靠(2023-02-27)
有 MOSFET 一样，P 沟道 MOSFET 在源极和漏极之间有一个本征体二极管。当电池正确连接时，本征体二极管导通，直到 MOSFET 的沟道导通。要使 P 沟道 MOSFET 导通，栅极电压需要比源极......
三星宣布明年下半年量产第二代3nm及强化版4nm制程(2023-11-03)
功耗降低23%。虽然，三星尚未透露此比较的基准，但很可能参考了他们的当前标准的4nm制程技术流程。这种增强版制程是通过重新设计晶体管的源极和漏极区域、重新评价其在潜在高应力条件下的性能、应用......
相关企业
;深圳富邦科技有限公司;;我司代理电源管理IC，现在有很多内置三极管和MOS管的电源IC方案，100W以内的都有方案，主要品牌有：亚成微，微盟，芯联，芯龙，信安，BYD。各种性IC和MOS管的性价比非常高。
;梅安茶庄;;清香型安溪铁观音和浓香型安溪铁观音最主要的区别就在于:浓香型在精制工艺上多了一道烘焙工序，因而冲泡时汤色较浓。 浓香型产品精制工艺:毛茶→验收→归堆→投放→筛分→风选→拣剔→号茶
;鸿海集团（香港）;;鸿海集团在深圳的分公司，主要做IC、MOS管的现货销售
;上海继恩实业有限公司;;我们公司是专业产家MOS管的原厂,欢迎各位厂家来订购!
;深圳市宝佳科技有限公司;;本公司主要代理CET（华瑞）全系列MOS管的产品销售。 MOS系列广泛应用于MP3,MP4,PMP数码产品，电源，充电 产品，解码板，LCD显示
;深圳市亿伟世电子科技有限公司;;深圳市亿伟世科技有限公司是比亚迪电源IC和高压MOS管的一级代理，电源IC：BF1501 BF1502 BF1508 MOS：2N60－12N60，保持原装，价格
;丰艺电子有限公司;;丰艺电子股份有限公司是台湾上市公司,为AOS品牌MOS管的原厂一级代理商,价格优势,交货稳定!!
;深圳市赛尚电子科技有限公司;;本公司是专业代理多种知名品牌IC和MOS管的厂家，“以质量求生存，以信誉求发展”
;瑞特鑫电子科技(深圳)有限公司;;本公司是美国力特保险丝及台湾UTC系列MOS管的代理商,向业内人士提供优质的相关产品,欢迎垂询
康桥）、CBC（上海源赋创盈）。MOS管的品牌：KEC（韩国半导体）、CET（台湾华瑞）、AP（台湾富鼎先进）、AOS（美国万代）、CBC（上海源赋创盈），灯珠品牌：samsung（韩国三星）、HELIXEON