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从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-21)
无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了解它们在任何特定时刻所需的条件。
Bradley强调，农业生产中一大挑战是应对气候变化的不确定性。那么，Nature......
从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-20)
需要在特定的时间，以特定的方式获得营养，以实现最佳生长。” 但是，与人类不同，植物无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了......
从“种子”到“番茄”：英特尔携手合作伙伴共塑可持续农业的未来(2024-06-21 15:13)
。” 但是，与人类不同，植物无法直接表达它们的需求。因此，帮助其生长的关键在于观察和解读植物生长过程中的细微线索，以了解它们在任何特定时刻所需的条件。Bradley强调，农业......
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷(2024-01-23)
SiC生长过程及各步骤造成的缺陷;众所周知，提高 质量对制造商来说非常重要，因为它直接决定了 器件的性能，从而决定了生产成本。然而，具有低缺陷密度的 的生长仍然非常具有挑战性。本文......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量(2024-07-08 15:02)
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电......
丰田合成开发出8英寸氮化镓单晶晶圆(2025-01-10)
的六方氮化镓晶体。双方在上述六方氮化镓晶体的生长过程中使用了多点籽晶法和Na助熔剂工艺。
其中，多点籽晶法是一种将许多小型氮化镓籽晶预先分布在大型蓝宝石衬底上，并在晶体生长过程中使生长......
日本团队采用新技术制备氧化镓晶体(2024-08-02)
由于这种方法不涉及铱的氧化，因此在生长过程中对气体没有限制，熔体可以在生长气氛中保持任意氧浓度，这有望显著控制生长过程中晶体的氧缺陷。
氧化镓晶体因其优异的电学和光学特性，在电力电子器件、高功......
数字万用表测量电容的方法和步骤图解(2023-01-13)
数字万用表测量电容的方法和步骤图解;1.将两端短接，对电容进行放电，确保数字的安全。
2.将功能旋转开关打至电容（c）测量档，并选择合适的量程。
3.将电容插入万用表c-x插孔。
4.读出lcd显示......
数字万用表测量电流的方法和步骤图解(2023-01-12)
数字万用表测量电流的方法和步骤图解;1.断开电路；
2.黑表笔插入com端口，红表笔插入ma或者20a端口；
3.功能旋转开关打至a~(交流)，a-(直流)，并选择合适 的量程；
4.断开......
第四代半导体氧化镓，浙大杭州科创中心新技术路线制备2英寸晶圆(2022-05-09)
出的氧化镓晶圆的晶面具有特异性，使得制作的功率器件具有较好的性能；二是由于采用了熔体法新路线，减少了贵金属铱的使用，使得氧化镓生长过程不仅更简单可控，成本也更低，具有更大的产业化前景。
此外，该团队计划在2年内......
中科院化学所在印刷制备单一取向有机半导体单晶阵列方面取得进展(2022-04-06)
界和低缺陷密度等特点，广泛应用于光电器件构建。由于有机单晶中载流子的输运具有各向异性，可控取向有利于实现最佳的电荷输运性能，同时取向一致的单晶阵列有利于减少器件集成串扰与性能差异。然而，有机半导体晶体的成核和生长过程......
这家碳化硅（SiC）材料厂商将被收购(2024-06-06)
的高温下升华，并在稍冷的籽晶区域结晶。在PVT生长过程中正确选择SiC粉末源是实现最终SiC晶锭拥有高晶体质量的先决条件。
Fiven表示，通过比较，其生产的SIKA e-SiC粉末......
芯片上“长”出原子级薄晶体管(2023-05-05)
℃以上时可能会损坏。新开发的低温生长过程则不会损坏芯片。
过去，研究人员在其他地方培育2D材料后，再将它们转移到芯片或晶片上。这往往会导致缺陷，影响最终器件和电路的性能。此外，在晶......
芯片上“长”出原子级薄晶体管，可大幅提高集成电路密度(2023-05-04)
晶体管和电路在加热到400℃以上时可能会损坏。新开发的低温生长过程则不会损坏芯片。
过去，研究人员在其他地方培育2D材料后，再将它们转移到芯片或晶片上。这往往会导致缺陷，影响最终器件和电路的性能。此外，在晶......
攻关核心技术，湖北大学团队存储器成果荣获湖北省自然科学奖(2022-06-28)
及阻变存储器研究，取得系列突破：一是解决了高K介质薄膜生长过程中，介电性能和界面难以调控的问题；二是原位观测阻变存储器中氧空位的动态演变过程并揭示其阻变机理；三是发展了系列阻变存储材料及性能优化技术，实现......
西门子V90PN在EPOS模式下的回零操作方法介绍(2024-03-18)
(SINA_POS)功能块，主动回零有以下 2 种方式：
1.1 通过参考点挡块（回零开关）及编码器零脉冲回零，P29240=1 回零编程步骤如下：
(1) 设置 FB284 工作模式：ModePos=4
(2......
压力表接头制作方法(2023-01-06)
套在ф14的无缝钢管上，其作用是用来弯管时助力。然后按图4中的1-3步骤进行操作。在弯制过程中，套在ф14管上的助力管在弯制的时候，可多接近要弯的部位，这样可使作力点处变形，其他部位不变形。弯管......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长机理模型图。
在β......
中国科研团队第四代半导体氧化镓领域获重要突破(2024-04-19)
和优良的晶体质量，有力地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
国内第四代半导体技术迎新进展(2025-01-10 13:12:42)
镓仁半导体之外，此前媒体还报道了杭州富加镓业公司在氧化镓技术专利上取得了突破，该公司成功申请了一项名为“一种氧化镓晶体的生长控制方法及生长装置”的专利，核心是针对氧化镓晶体生长过程......
新手入门之stm32中断系统(2023-01-12)
中断 / 事件框图：
按键中断实例
内容概要：
按键原理图分析
按键中断编程步骤分析
按键中断编程实例
按键原理图分析：
按键中断编程步骤分析：
1、使能相应的时钟
2......
8英寸碳化硅时代钟声渐近，国内第三代半导体领域再添喜讯(2022-08-17)
研发上取得的重大突破。
这不但成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了SiC器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸SiC衬底广泛应用打下基础。
8英寸......
多模态植物可穿戴传感器贴片原理分析(2024-06-18)
多模态植物可穿戴传感器贴片原理分析;用于植物生理连续监测的多功能、微型化传感器技术在植物早期疾病检测、胁迫传感和生长预测等方面具有重要意义。目前大部分可穿戴传感器技术仅能检测植物的物理生长......
蔡司工业CT三维扫描仪汽车电池解决方案(2023-09-14)
新能源汽车解决方案
蔡司的广泛技术产品组合——测量、检验和数据传输可为质量保证的每个过程步骤提供专业的解决方案。使用光学、电子和X射线显微镜、计算机断层扫描(CT)系统、三坐......
重大突破：新固态锂金属电池3分钟充满电 可循环超过万次(2022-09-19)
涂层），接下来是一层西红柿（第一种电解质）和一层培根（第二种电解质），最后是另一层西红柿和最后一块面包（阴极）。在这种设计中，树突在“生菜”和“番茄”中生长，但在“培根”处停止。“培根”屏障......
第四代半导体氧化镓蓄势待发！(2024-08-26)
地推动了β-Ga2O3薄膜的高质量异质外延的发展。同时，研究团队还通过对MBE外延生长过程中的β-Ga2O3薄膜生长机制进行详细探究，揭示了其成核、生长的差异性，并建立了相对应的外延生长......
如何创建51单片机KEIL工程步骤(2024-03-04)
如何创建51单片机KEIL工程步骤;1. 什么是Keil软件
Keil软件是一款专为嵌入式系统开发而设计的集成开发环境（IDE），常用于51、STM32单片机软件开发的编程软件。Keil编程......
19岁少女患怪病：身高2.13米仍疯长 结果吓人(2016-09-30)
生表示身高还在疯长当中，当然这绝非自然发育的结果，经过检查后得知，她患上的是韦弗综合征。
据悉，韦弗综合征是因基因突变导致的一种罕见病症，临床特征为巨体、骨骼成熟过速、屈曲指、面孔特殊等，同时鱿鱼生长过快之外，也会......
太空产莴笋正式成为国际太空站太空人的固定菜单(2016-12-15)
空人们在采样后一起试吃享用，他们对味道赞不绝口，表示吃起来像芝麻菜。
之后，于 2015 年 12 月 23 日起，国际太空站试种百日菊，供往后种植开花植物农作物的参考，譬如说番茄。百日菊对无重力环境适应良好，在太......
德国PVA TePla发布为中国定制的首款碳化硅生产设备“SiCN”(2024-03-29)
设计紧凑，自动化程度高，可最大化节约整体运营空间，同时方便维护，可实现可靠的大规模生产。客户还可整合如加料小车、多种真空泵选项和测量设备等其他部件，进一步提升系统功能。
高生产效能：晶体生长过程......
stm32f107移植ucos的教程步骤(2024-08-08)
stm32f107移植ucos的教程步骤;
Step1:在UCOS官网下载源码，这里选择Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-II，版本是V2.92.07
Step2:使用......
集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管(2023-01-04)
兼容。实现大规模二维半导体集成电路的先决条件是原材料的高质量和均匀性的大规模生产。硅晶片是通过切割大块单晶锭获得的，而大面积的二维半导体通常是通过自下而上的沉积方法获得的。生长过程......
后摩智能携首款存算一体智驾芯片亮相2023世界人工智能大会(2023-07-06)
全球存算一体智驾芯片的先行者，后摩智能也携刚发布的存算一体智驾芯片后摩鸿途™H30芯片及相关产品，亮相WAIC2023展会。
在后摩智能的展台现场，一组以“番茄炒蛋”为主角的海报吸引了不少参展观众的目光，以做菜过程......
马里兰大学王春生团队：全固态锂金属电池负极界面设计思路(2024-01-29)
质和碳纳米管混合可以形成离子电导率和电子电导率可调的多孔憎锂中间层。电化学实验，表征和模拟计算表明，中间层的电子/离子导电性，憎锂性能显著影响锂在中间层的形核和生长过程。其中，混合离子电子电导，憎锂......
设备业繁荣期冲进世界前十，ASM的ALD和EPI有何特色？(2023-01-07)
再通入另一种前驱体B，与表面的一层A反应，同样需要惰性气体将B吹走，这些过程构成一个生长循环，从而形成一层均匀的薄膜，而每个循环生长的薄膜厚度一致，可以通过对生长循环数的控制，来实......
打造首款国产碳化硅生产设备， 德国PVA TePla集团助力中国半导体产业高质发展(2024-03-22 15:23)
真空泵选项和测量设备等其他部件，进一步提升系统功能。·高生产效能：晶体生长过程需要具备在超过2,000°C的高温条件下长时间运行，因此优异的能源效率可以实现更佳的成本效益。“SiCN”采用......
揭秘全球年薪最高的大佬们如何工作：多睡1小时 薪水要除以4(2016-10-09)
说他们更懂得充分利用时间，高效工作。这些全球年薪最高的大佬，每一分钟的价值都是普通人的几十倍甚至千百倍，如何利用更好的工作方法提高效率，大佬们都有一套自己的“独家秘方”。
扎克伯格：番茄工作法教徒
全球......
ReRAM即将跨入3D时代(2017-07-04)
现氧空缺的介电层中，观察其能隙中的电子状态
Egorov说：「为了研究在氧化钽薄膜生长过程中形成的氧空缺，我们使用了一种整合生长PEALD[电浆辅助原子层沉积]和分析XPS(X射线光电子能谱仪)腔室(以真......
韩设备商开发ALD技术，堆叠电晶体(2024-07-15)
中极紫外光（EUV）制程步骤的使用。
原子层沉积技术是可将材料一层层成长的薄膜制程技术，有高度均匀性、精准厚度控制、高阶......
曝番茄小说要求作者同意作品用来训练AI！引发联合抵制(2024-07-23)
曝番茄小说要求作者同意作品用来训练AI！引发联合抵制;
7月23日消息，据媒体报道，近日字节跳动旗下的番茄小说，因新增的“训练补充协议”引发网文作者联合抵制。
根据协议内容，作者......
变频器常用参数设置步骤图解(2023-10-24)
变频器常用参数设置步骤图解;变频器的设置菜单分为一级菜单、二级菜单等，菜单后面是参数。Altivar31变频器一级菜单的访问如左图所示，参数的设置如右图所示。
右图是待机（准备运行）状态开始，将......
晶盛机电宣布成功研发出8英寸N型SiC晶体(2022-08-16)
研发上取得的重大突破。不但成功解决了8英寸碳化硅晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，同时还破解了碳化硅器件成本中衬底占比过高的难题，为大尺寸碳化硅衬底广泛应用打下基础。
资料......
stm32定时器外部时钟3使用外部时钟源模式2进行定时的步骤(2024-01-03)
在应用中比较多的，我们现在主要来讲一下外部时钟源的模式2外部时钟模式2：外部触发输入。
编程步骤：
配置TIM3_ETR引脚为输入引脚PD2，硬件上需要将脉冲连接到该引脚，我这里是使用6.78MHz的晶振
配置......
31. SMT BGA设计与组装工艺：BGA焊点由哪几部分组成，热膨胀不匹配会导致哪些问题？(2024-10-05 07:45:51)
循环负载作用期间应变能量的输入而得到
加强。因此在某种程度上讲，这种晶粒的增长过程可视作累积疲劳损伤的标志。对于遭受老化的焊点比工作使用的焊点迹象更为明显（循环试验时不那么明显）。污染物诸如锡氧化物和
助焊剂残留，有时......
探索三防漆的三防特性，功能远不止三防(2024-11-25)
不仅会腐蚀线路板表面，还会分解线路板的材料，降低其性能。此外，霉菌在生长过程中产生的代谢产物可能会对电子元件造成损害，严重时甚至会使电子设备完全失去功能。
三防漆形成的保护膜能够创造一个不利于霉菌生长......
两家碳化硅材料公司获新一轮融资(2023-11-03)
SiC涂层技术在半导体产业中应用广泛，特别是LED外延生长过程中的载盘及Si单晶外延中用到的载盘，都需要用到SiC涂层技术。由于LED在照明及显示产业中的发展，以及半导体行业的持续发展，对SiC涂层......
基于S7-1500双边通信的组态编程步骤(2024-03-08)
基于S7-1500双边通信的组态编程步骤;S7-1500 之间通过 BSEND/BRCV 方式进行双边通信的组态编程步骤，用于实现两台 S7-1500 都在同一项目中组态的场景。
1.组态
1.1......
厂商纷纷加码SiC衬底，又一项目量产(2023-12-11)
晶盛机电未来大概率将要直面的场景。
面对竞争，晶盛机电也有自身的优势。据悉，晶盛机电成功解决了8英寸SiC晶体生长过程中温场不均、晶体开裂、气相原料分布等难点问题，是国内为数不多能供应8英寸衬底片的企业。面对......
超越车规！国产SiC衬底致命缺陷降80%(2023-11-22)
/cm2，但是整体的芯片良率（10mm×10mm）也只有74%。
SiC衬底和外延BPD缺陷对晶圆良率的影响 来源：昭和电工
而且，尽管在SiC外延生长过程中，可以将衬底中的BPD缺陷......
西门子S7-200SMART PLC之间通过向导实现S7通讯(2023-09-11)
西门子S7-200SMART PLC之间通过向导实现S7通讯;导读：PUT/GET 指令的编程可以使用PUT/GET 向导以简化编程步骤。该向导最多允许组态16 项独立PUT/GET 操作，并生......
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，精通过精选雪松种苗，以及种苗在生长过程的科学管理。我中心培育的出的雪松、红叶石楠、广玉兰等苗木具有适应地域能力强、生长速度快、成活率高等特点。
;新疆红帆生物科技有限公司;;新疆红帆生物科技有限公司,番茄红素软胶囊. 。 企业性质：私营企业，主营市场业务：国内市场并远销海外，公司的特点是红帆公司在萃取过程中不使用任何有机溶剂和化学试剂，因此很好的保留了番茄
环境需求，借鉴国内数家知名农业学院在芽豆培育及豆芽生长过程中的各项技术成果，经过多次改进与提升在原有的单组控温、淋水豆芽菜脱壳、清洗机的基础上于2006年率
年来，公司依托国际各种业集团、农科院等科研机构的优良种质资源，专注于保护地黄瓜、番茄、西葫芦等新品种的实验、示范工作，并且在瓜果蔬菜良种筛选方面取得了优异成果，如黄瓜-“福润系列”品种，番茄 粉果大番茄
致力于为用户提供国际国内最 优秀的电力产品, 以满足国民经济日益增长过程中对供电系统愈来愈高的要 求.
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司现有员工约60人，其中技术管理人员16人。本公司对原材料、生产过程的每个步骤都严格监控，以保证产品的质量。
;扬州长祥电子有限公司;;扬州长祥电子有限公司成立于1995年，经过十几年的成长过程，公司在业内已有一定的知名度。现提供的产品有10、5A、2A热保护器、电池保护器、温度开关、微型热保护器、易熔
;佛山市光美照明电器实业有限公司;;佛山市光美照明电器实业有限公司是15W植物生长灯、55W植物生长灯、90W植物生长灯、120W植物生长灯、300W植物生长灯、600W植物生长灯、10W LED