资讯
GaN在射频功率领域会所向披靡吗？(2017-08-01)
低噪声放大器(lna)：尽管GaN和GaAs在噪声性能方面不分伯仲，但是GaN可以处理已经失真或失效的更大幅度信号。氮化镓在这些低噪声放大器领域不会很快取代砷化镓、硅锗(锗硅)或任何其他技术。然而......
总投资超100亿，多个化合物半导体项目签约浙江台州(2021-07-29)
由广州东方南粤基金管理有限公司与中国二冶集团有限公司共同投资开发，计划总投资100亿元，用地500亩，一期用地200亩。
该项目计划在台州湾数字经济产业园建设锗硅、砷化镓第三代化合物半导体芯片项目，产品广泛应用于通讯、汽车......
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津(2024-10-31 14:17)
巨光东来第三代砷化镓太阳能电池项目签约天津;由北京、天津、河北三省市联合举办的2024京津冀产业链供应链大会于10月24日至25日在国家会展中心（天津）举办。
京津......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10 14:07)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺(2024-04-10)
三安集成于EDICON24展示新一代砷化镓射频器件制造工艺;EDICON CHINA 2024 （电子设计创新大会）于4月9日-10日在北京会议中心正式举行，暌违三年有余，作为......
120亿元湖北三安光电项目一期正式投产 全部达产后年产氮化镓芯片161万片(2021-04-20)
系列年产161万片、砷化镓芯片系列年产75万片、4K显示屏用封装产品年产84000台。预计年营业额71.75亿元，年纳税额7.83亿元，将形成具有自主知识产权、掌握核心技术、掌握......
半导体巨头集中火力瞄准第三代半导体领域(2022-07-15)
让电力电子器件价格更低、效率更高，博世还将探索开发可应用于电动汽车的氮化镓芯片，与传统的硅基功率芯片相比，氮化镓芯片的功率损耗可以减少4倍。
2总投资超120亿，英飞凌新厂奠基
近日，英飞......
北京航天微电芯片孵化产业园等9个项目于成都金牛区开工(2021-08-31)
研制线，打造以微声芯片、氮化镓芯片、SIP模组、毫米波砷化镓芯片等产品为代表的高端芯片产业孵化平台。
成都金牛迪舒电子科技园项目
项目位于金牛区金泉街金牛乡8组，毗邻地铁2号线金科北路、金周......
立昂微：看好功率半导体及硅片下游客户的需求 已与部分12英寸硅片客户签订长约(2022-03-18)
微在海宁基地有36万片/年的射频芯片产品（其中包括砷化镓射频芯片18万片/月、碳化硅基氮化镓芯片6万片/月、VCSEL芯片12万片/月）的规划布局，目前已经相关部门审批，将进入开工建设阶段。
封面......
解读射频前端，5G的必争之地(2016-12-26)
广泛应用于手机/WiFi 等消费品电子领域，其射频性能虽略逊于氮化镓射频器件，但成本和良率方面存在相对优势，完全可以满足民用需求；
GaN PA 具有最高的功率、增益和效率，但成本相对较高、工艺成熟度低于砷化镓芯片......
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技(2022-08-11)
【成电协·会员行】优秀的第三代半导体氮化镓芯片公司——氮矽科技;
氮化镓（GaN）属于第三代半导体，又被称为宽禁带半导体，和第一代的硅（Si）以及第二代的砷化镓（GaAs）等前辈相比，其在......
现金流短缺，半导体生产商BelGaN申请破产(2024-08-02)
无法维持有400多人工作的厂房。
实际上，自成立以来，BelGaN一直致力于从硅芯片技术转型到创新的氮化镓芯片技术。2023年12月，他们展示了1200V GaN-on-Si技术（E-mode）；今年......
盖泽半导体首台国产SiC外延膜厚测量设备顺利交付(2023-02-17)
半导体（砷化镓、磷化铟衬底外延4英寸&6英寸&8英寸）、三代半导体（碳化硅外延4英寸&6英寸&8英寸、氮化镓外延）、SOI片顶层硅6英寸&8英寸&12英寸......
徐州致能半导体氮化镓及其共封装器件研发生产项目预计今年11月投产(2022-05-07)
正在进行研发试验片的试生产。目前，130名员工全部复工，生产线处于满线生产状态，研发试验片的月产量能达到1000多件。
据介绍，致能半导体自主研发的氮化镓芯片共封装技术可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片......
这个项目将新添一条氮化镓共封装器件生产线 年产值可达到12亿元(2021-08-20)
共封装器件生产线，可把氮化镓功率芯片与硅驱动芯片、硅MOS芯片等不同功能的芯片封装在一起，形成氮化镓芯片共封装器件，能有效降低氮化镓芯片与其它芯片之间传统PCB板连接导致的延时较长、寄生......
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片(2023-10-20)
格芯获3500万美元资金补贴，加速制造下一代氮化镓芯片;近日，格芯（GlobalFoundries）宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓......
百斯特达氮化镓半导体芯片项目建成，将增加10条氮化镓外延生产线(2022-05-16)
百思特达半导体科技有限公司（以下简称“百斯特达”）的工作人员对动力设备、存水系统、空气压缩机等进行最后调试。
百斯特达副董事长刑艳表示，思特达半导体是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业，始终致力于开创中国半导体氮化镓芯片......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择;
【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产(2021-06-08)
全球首家8英寸硅基氮化镓量产企业诞生！英诺赛科苏州一期产线正式投产;6月5日，英诺赛科（苏州）半导体有限公司（以下简称“英诺赛科”） 8英寸硅基氮化镓芯片量产仪式在江苏汾湖高新区举行。这标......
获大基金二期投资，这家拟A股IPO半导体企业的氮化镓项目即将竣工(2022-02-24)
电源、DVD/DVB电源等领域。
自2016年开始，东科半导体变布局氮化镓芯片应用领域，并于2020年1月成功流片，根据当时的信息，产品各参数指标均符合要求，性能指标等同或部分超出美国德州仪器（TI......
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片(2023-10-20)
3500万美元补贴，又一大厂发力氮化镓芯片;近日，格芯宣布已获得美国提供的3500万美元联邦资金，以加速其位于佛蒙特州Essex Junction的工厂在硅半导体上制造差异化氮化镓（GaN）芯片......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
回程网络等相关组件，同一时段CAGR各为12.5%、5.3%。 再者，鉴于效能较高、体积较小且稳定性较佳，砷化镓(GaAs)、GaN等固态技术将在国防应用上逐渐取代真空管，提供RF功率组件更多发展机会。 Yole预期......
百思特达氮化镓半导体芯片项目竣工，进入试生产阶段(2023-01-11)
显示，百思特达是一家集研发、设计、生产、销售、服务于一体的综合性高科技企业，始终致力于开创中国半导体氮化镓芯片领域的科技新格局。该公司投资3亿元建设的氮化镓半导体芯片项目，占地面积125亩，总建......
博世宣布在2026年前投资30亿欧元用于芯片扩产(2022-07-14)
2.5亿欧元用于扩大其在德累斯顿的晶圆厂。博世还将探索使用氮化镓制造芯片，与传统的硅基功率芯片相比，氮化镓芯片的功率损耗可以减少4倍。
同时，针对消费品行业，博世......
射频从业者必看，全球最大的砷化镓晶圆代工龙头解读(2017-02-08)
观察相关动态。
砷化镓产业的功率放大器PA是最要的营收来源，那么是否有新技术能够取代之将会是左右产业的关键，半导体CMOS制程的PA即与稳懋的GaAs制程不同，拥有价格较低、产能稳定的优点，但受限于物理特性无法取代......
超14亿、30万片，该车企SiC项目官宣了！(2024-02-27)
完毕后将形成年产36万片6英寸碳化硅晶圆及外延、年产6100万个功率器件模块的能力。该项目预计2025年建设完成，届时将成为国内最大的SiC功率半导体制造基地。
目前，长飞先进现有项目最大研发能力为：碳化硅基氮化镓芯片......
英飞凌押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量(2023-03-24 11:15)
英飞凌押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量;据行业媒体报道，欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片......
英飞凌押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量(2023-03-24)
英飞凌押注氮化镓芯片 有望在数据中心领域大幅放量;据行业媒体报道，欧洲芯片制造商英飞凌押注下一代功率半导体，用于从超高速手机充电器到电动汽车的各种领域，以求在更广泛的芯片......
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片(2023-05-22)
纳微半导体发布全新GaNSense Control合封氮化镓芯片;
【导读】美国加利福尼亚州托伦斯，2023年3月20日讯 —— 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片......
氮化镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资(2022-05-27)
氮化镓芯片企业镓未来完成近亿元A+融资;近日，氮化镓芯片领先企业珠海镓未来科技有限公司（以下简称“镓未来”）宣布完成近亿元A+轮融资。
据悉，本轮投资由顺为资本、高瓴创投、盈富......
英诺赛科推出高集成小体积半桥氮化镓功率芯片ISG3201(2023-01-11)
不同功能，提升效率。2023年英诺赛科还将相继推出Solid GaN 系列的更多低压氮化镓功率芯片，以满足更多市场应用需求。
英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片......
中国渴望使用第三代芯片(2023-06-26)
，这些芯片主要由硅制成。由砷化镓（GaAs）和磷化镓（GaP）制成的第二代芯片用于4G电信设备。一些第三代由氧化锌（ZnO）和氮化铝（AlN）制成。制造第三代芯片的成本大约是制造硅芯片......
纳微半导体将通过与Live Oak II合并的方式上市(2021-05-14)
效果更强。
纳微预测，受到互联网不断发展、用电能驱动代替化石燃料以及对高效的可持续能源的不断增长的需求驱动，氮化镓芯片的市场规模在2026年可能增长至130亿美元以上。市场包括移动、消费、企业（数据......
4D成像雷达，到底是不是汽车的未来(2023-05-15)
始，锗硅（SiGe）工艺逐渐代替砷化镓工艺，材料成本比砷化镓便宜了一大截了，同时毫米波雷达前端射频芯片集成度也大幅提升，导致整个系统成本降低 50%。
到2017年以后，锗硅工艺切换到了CMOS工艺......
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案(2023-01-08)
天线内置毫米波雷达极具成本、尺寸与性能优势，或降维打击超声波和红外方案;
随着集成度的提高，雷达模块成本不断下降，相比砷化镓工艺雷达，硅锗工艺雷达成本能下降一半，而加......
3家半导体厂商正式闯关科创板(2022-01-11)
电信、AT&T等国内外知名运营商网络中，已成为国内领先的光芯片供应商。
北京通美：规划实现新产品8英寸砷化镓衬底量产
招股说明书显示，北京通美此次拟募集资金11.67亿元，扣除发行费用后将按轻重缓急顺序投资砷化镓......
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工(2024-02-29)
35亿元，山东菏泽砷化镓半导体晶片项目开工;菏泽市牡丹区吴店镇消息显示，2月26日，吴店镇举办2024年春季吴店镇省重点项目建设现场推进会暨砷化镓半导体晶片项目开工奠基仪式。
据悉，菏泽市牡丹区砷化镓......
光电子先导院亮相第25届中国国际光电博览会(2024-09-11)
子先导院”）已连续八年参展。在时间沉淀与创新升级中，该公司已经具备砷化镓（GaAs）基化合物光电芯片研发、中试代工、检测等全流程技术服务能力，已经开发了基于砷化镓材料的VCSEL（垂直腔面发射激光器）单孔......
毫米波雷达在自动驾驶中的工作流程(2023-09-18)
毫米波雷达的装配数量会大幅提升，并最终实现360度全覆盖化。相比于国外企业，车载毫米波雷达在国内仍处于起步阶段，民用的毫米波雷达追求系统的小型化和低成本。90 年代,77GHz 毫米波雷达采用的还是砷化镓......
总投资60亿元的先进化合物半导体项目落户江苏宜兴(2022-03-16)
科技先进化合物半导体材料及元器件项目总投资60亿元。
项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
苹果自研5G基带芯片定了？高通CEO说苹果2024年生产(2023-02-28)
。高通此前曾向投资者表示，至少在2023年，将继续向“绝大部分”Phone提供基带芯片。
今年1月有知情人士称，苹果希望在2024年底或2025年初之前，用自家芯片取代高通基带芯片......
60亿元德融科技先进化合物半导体材料及元器件项目落户宜兴(2022-03-15)
正式落户宜兴经济技术开发区。
据悉，该项目总投资60亿元，项目建成后，将应用以砷化镓为主，包括磷化铟、氮化镓及碳化硅等在内的新一代半导体材料，开发新一代显示和照明芯片、超高效率薄膜太阳电池、高性能激光器，以及......
格创·华芯砷化镓晶圆生产基地设备进机(2024-08-06)
力集团为华芯半导体定制化开发建设的5.0产业新空间。此次实现设备进机的格创·华芯砷化镓晶圆生产基地主体工程项目——华芯微电子首条6寸砷化镓晶圆生产线，主要生产化合物半导体微波集成电路（MMIC）及VCSEL 芯片，建成后将成为广东省内首家砷化镓......
半导体贵族砷化镓，蠢蠢欲动(2024-09-29)
生产化合物半导体微波集成电路（MMIC）及VCSEL 芯片，建成后将成为广东省内首家砷化镓代工厂，预计今年11月竣工验收并工艺通线、2025年上半年实现大规模量产。
业界分析，从我国目前砷化镓......
摩尔定律对半导体行业的加速度已经明显放缓(2023-03-27)
都表现出了相当的渗透力。1.GaN在5G方面的应用射频氮化镓技术是5G的绝配，基站功放使用氮化镓。氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAs）和磷化铟（InP）是射频应用中常用的半导体材料。与砷化镓......
东科半导体氮化镓项目迎最新进展(2022-02-23)
感应系列、精密稳压系列等产品。2016年，东科半导体率先在氮化镓芯片应用领域进行研发布局。2021年11月3日，东科半导体基于自家推出的氮化镓合封芯片，推出12V2A极简合封氮化镓适配器方案。
此前2020......
重庆集成电路产业“十四五”规划出炉：这些12英寸半导体项目被划重点(2022-03-23)
发展化合物半导体
提升砷化镓、磷化铟等第二代化合物半导体材料制造能力、产能和化合物半导体芯片生产线良品率，发展激光器芯片、光电器件等产品。研发氮化镓、碳化硅等宽禁带半导体材料，推动......
高通PA杀入供应链，大补贴抢市场吓慌Skyworks(2017-08-02)
供应商采用砷化镓（GaAs）工艺不同。但是由于CMOS的性能问题始终没能得到有效解决，于是在今年早期，高通开始转向GaAs工艺。
高通更宣布与日系零组件大厂TDK合资，拟在......
NCP1342驱动氮化镓国产替代—PN8213(2023-09-07)
等都做了进一步的优化，将驱动集成于芯片内，能够直接供电给氮化镓芯片，可兼容代换ON安森美NCP1342，针对快充应用，PN8213外围电路更为简单，并具有较大的成本及供货优势。凭借其高度集成的芯片......
立昂微：加码微波射频芯片，拟斥5亿设立海宁子公司(2021-01-04)
公司”)，注册资本为5亿元人民币，专项负责推进、实施所投资项目。
据介绍，微波射频集成电路芯片项目总投资约43亿元人民币，其中设备投资36.05亿。建成后，年产36万片6英寸砷化镓/氮化镓微波射频集成电路芯片......
相关企业
;深圳市科莱特电子有限公司;;深圳市科莱特电子有限公司自2002年开始，在国内率先采用美国ANADIGICS砷化镓(GaAs)集成芯片与国外技术机构合作共同研制、开发出第一代、第二代砷化镓（GaAs
;黄桂强;;弘建科技股份有限公司，台湾南亚、华镓芯片中国区域一级代理。正规包客诉，价格实惠, 优势原厂货源，技术支持服务最全面的。
),716(10*16mil),710(10*23mil)等广镓芯片。
封装，装配外延片生产线（MOCVD）20条，芯片生产线12条，芯片封装生产线14条，共投资7亿元；第三期是在第一期和第二期的基础上，根据企业发展的需要，生产半导体照明材料，装配砷化镓、氮化镓
务范围包括：磁敏、光电、新型元器件、传感器的研发和销售。 公司引进了国际先进的半导体技术，匹配全套芯片和后道封装生产设备，以完善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓
参考，也可根据客户要求的功能和性能，进行芯片电路设计，版图设计； 4. 对用量少的芯片，可提取原芯片网表，写入到FPGA或CPLD，取代客户所使用芯片； 5. 对用量大的FPGA或CPLD方案，根据
善的配套设施和优良的生产环境，致力于高科技产品的规模化生产。 主导产品有砷化镓霍尔元件及其衍生产品、锑化铟霍尔元件、GPS传感器、光电器件等，其中砷化镓霍尔元件拥有自主知识产权、获得
和半导体模块的独创工艺和知识产权，设计并生产具有国际领先技术的玻璃钝化芯片，主要产品有可控硅芯片、整流桥芯片、快恢复二极管芯片，塑封管模块，可控硅模块、整流桥模块、快恢
和半导体模块的独创工艺和知识产权，设计并生产具有国际领先技术的玻璃钝化芯片，以设计、开发、研制、生产硅中、低频大功率器件芯片、可控硅芯片、晶体管芯片及其它分立器件。
;启东市捷捷微电子有限公司;;启东市捷捷微电子有限公司是半导体分立器件专业制造厂家。主要研制、生产可控硅芯片、晶体管芯片及其他分立器件。年生产φ3、φ4″圆片60多万片，年封装TO-92