【导读】英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输入，可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统，48V无刷电机驱动器，48V轻混汽车的理想选择，如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用。

英诺赛科宣布推出SolidGaN系列100V半桥氮化镓功率芯片新品ISG3201。内部集成2颗100V/3.2mΩ增强型氮化镓和1颗100V半桥驱动，采用5mmx6.5mmx1.08mm LGA封装，支持独立的高低边PWM信号输入，可与绝大多数控制器匹配。是48V功率系统，48V无刷电机驱动器，48V轻混汽车的理想选择，如高性能大功率电源转换、电动工具、伺服电机、太阳能逆变器、双向逆变器和D类功放等应用。

英诺赛科ISG3201

英诺赛科 ISG3201 是一颗 100V 耐压的半桥氮化镓功率芯片，芯片内部封装两颗耐压 100V，导阻 3.2mΩ 的增强型氮化镓开关管以及 100V 半桥驱动器。内部集成的驱动器省去了外部钳位电路，能够显著降低关联的寄生参数。半桥氮化镓器件具备60A连续电流能力，无反向恢复电荷，并具有极低的导通电阻。

ISG3201 外围元件非常精简，芯片内部集成了驱动电阻、自举电容和供电滤波电容。英诺赛科在这款芯片上采用固化驱动形式，减少栅极和功率回路寄生电感，并简化功率路径设计。该芯片还具有独立的高侧和低侧 PWM 信号输入，并支持 TTL 电平驱动，可由专用控制器或通用 MCU 进行驱动控制。

通过显微拍摄可清晰看到 ISG3201 的焊盘依次为 SW，PGND 和 VIN，独特的焊盘设计缩小了功率路径的环路面积，同时增大了散热面积，有效降低器件运行时的温升。相比传统分立的驱动器+氮化镓解决方案，电路设计更加简化，PCB尺寸更小巧，可设计单面布板，寄生参数更小，系统性能更优。

在应用方面，英诺赛科 ISG3201 半桥氮化镓功率芯片适用于高频高功率密度降压转换器，半桥和全桥转换器，D类功放，LLC 转换器和功率模组应用，可用于 AI，服务器，通信，数据中心等应用场景。48V 工作电压也满足 USB PD 3.1 快充以及户外电源相关应用，通过集成的半桥器件，简化功率组件的开发设计。 此前，英诺赛科推出适用于快充的All GaN PD3.1解决方案，使用了中、低压氮化镓单管取代传统的硅MOS，大幅度降低电阻，减小驱动损耗，并进一步缩小封装面积，大大提升了氮化镓快充开关频率，提高转换效率和功率密度，为大功率氮化镓快充提供体积更小巧，更高效的设计参考。

充电头网总结

半桥氮化镓功率芯片通过将氮化镓开关管和驱动器集成，具有更小的封装面积，更强的散热性能和更高的功率密度，能够满足48V大功率系统的应用，如高性能计算机，服务器，太阳能逆变器，电机驱动，数字音频以及电动汽车应用。 ISG3201 简化了低压氮化镓器件在48V以及更低电压系统中的应用，可以便捷搭配多种控制器，实现不同功能，提升效率。2023年英诺赛科还将相继推出Solid GaN 系列的更多低压氮化镓功率芯片，以满足更多市场应用需求。

英诺赛科是全球领先的氮化镓芯片研发与制造的IDM企业，拥有全球最大规模的8英寸硅基氮化镓晶圆厂和先进的氮化镓制程工艺。目前英诺赛科已经发布和销售多款氮化镓功率器件，覆盖30V到700V电压范围，产品的各项性能指标均达到国际先进水平，已经在快充、通信、LED、人工智能、自动驾驶、数据中心、储能等多个新兴领域中得到应用。

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