资讯
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？(2020-12-25)
SiC规模量产前，IGBT还有多大商机？;IGBT在整车中的成本占比增加
据Informa Tech的数据显示，全球IGBT市场规模早在2018年就达到了62.2亿美元，同比增速为17.4......
SiC风再大也难掩硅基IGBT的“光彩”，国内几大项目何时量产？(2023-07-07)
SiC风再大也难掩硅基IGBT的“光彩”，国内几大项目何时量产？;
【导读】近年来，以SiC（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的化合物半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临......
功率半导体市场需求快速扩容，国内厂商IGBT、SiC布局盘点(2022-01-04)
功率半导体市场需求快速扩容，国内厂商IGBT、SiC布局盘点;
IGBT即绝缘栅双极型晶体管，是工业控制及自动化领域能源变换和传输的核心元器件。在如日中天的新能源汽车中，IGBT以较......
SiC MOSFET用于电机驱动的优势(2023-12-22)
带器件更适合可能面临恶劣工况的电机应用，比如混合动力电动汽车（HEV）中的集成电机驱动器、海底和井下应用、空间应用等
传统的电机驱动中，往往使用IGBT作为开关器件。那么，SiC MOSFET相对于Si IGBT有哪些优势，使得......
中国车规芯片系列（6）：功率半导体迎来超越窗口期(2023-11-20)
电动车功率半导体价值量高达350美元/辆，甚至更高。
简单理解，当电池容量相同时，相比同级别IGBT，SiC可以相对延长续航；或者以更小的电池可以达到相同的续航里程，进而降低系统成本。从市场数据来看，在峰值功率上，硅基IGBT......
IGBT主导新能源汽车上半场，SiC提速上车剑指新周期(2023-01-26)
IGBT主导新能源汽车上半场，SiC提速上车剑指新周期;
【导读】2022年，半导体行业依然在挑战中前行。后疫情时代、行业下行、地缘政治等因素仍深刻地影响着全球半导体产业链及生态。来到......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考;4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-27)
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考;
【导读】4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米......
谈谈SiC MOSFET的短路能力(2024-02-02)
市面上大部分IGBT都会在数据手册中标出短路能力，大部分在5~10us之间，例如英飞凌IGBT3/4的短路时间是10us，IGBT7短路时间是8us。
而 大 部 分 的 SiC 都 没 有 标 出 短 路......
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著(2024-07-24)
SiC MOSFET在汽车和电源应用中优势显著;商用硅基功率MOSFET已有近40年的历史，自问世以来，MOSFET和IGBT一直是开关电源的主要功率处理控制组件，被广泛用于电源、电机......
碳化硅如何最大限度提高可再生能源系统的效率(2023-07-06)
和住宅应用中部署功率转换系统提供了更多机会。采用碳化硅 (SiC) 等宽带隙器件，可帮助设计人员平衡四大性能指标：效率、密度、成本和可靠性。
SiC 相比传统基于 IGBT 的电源应用在可再生能源系统中的优势
SiC 电源......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*;*基金项目：湖南省教育厅科学研究优秀青年项目(20B393)本文引用地址：0 引言
功率模块相对于小功率的分立器件，具有......
顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约(2023-10-08)
顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约;据石峰发布消息，近日，株洲市石峰区举行顺为科技集团IGBT/SiC功率半导体模块项目签约仪式。
顺为科技集团IGBT/SiC功率......
电动压缩机设计-SiC模块,压缩机(2024-09-25)
AFGHL40T120RWD 和SiC MOSEFT NVHL070N120M3S 为例，根据I/V曲线来评估开通损耗， 在电流小于18A时，SiC MOSEFT的导通压降都是小于IGBT的，而电......
电动压缩机设计-SiC模块篇(2024-09-25)
的开关速度
更好的热特性：更高的温度范围
2.更小损耗及更高效率
以安森美适用于800V平台电动压缩机应用的最新一代IGBT AFGHL40T120RWD 和SiC......
翠展微SIC模块获整车项目定点，IGBT订单已近3万套车企(2022-10-11)
翠展微SIC模块获整车项目定点，IGBT订单已近3万套车企;近日，翠展微电子宣布获得头部客户整车电驱系统SIC模块项目定点。本次定点的SIC项目，采用三相全桥G7封装，功率为1200V/600A......
从硅到碳化硅，更高能效是功率器件始终的追求(2023-09-07)
功率器件的节能趋势
上面我们已经提到了，功率器件的种类非常丰富，为了满足行业对节能增效的需求，不只是IGBT和SiC MOSFET这样的热门器件在不断更新迭代，传统功率器件也在进行积极创新。
目前，功率......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
SiC MOSFET的短沟道效应;Si IGBT和SiC沟槽之间有许多电气及物理方面的差异，Practical Aspects and Body Diode Robustness......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块;本文提出了一种优化的拓扑结构。该拓扑结构支持最新的1200-V SiC T-MOSFET与IGBT技术优化组合，实现成本效益。市场......
讨论下电动汽车的发电模式(2023-07-10)
时候电动机就变成了发电机，电流从AC端的电机流向DC端的电池，机械能转化为电能。
这两种模式都需要用到IGBT/SiC MOSFET模块，因为其核心电路是三相全桥逆变电路（发电时是整流电路）
前几天讨论的都是电动模式，今天......
如何利用 SiC 打造更好的电动车牵引逆变器(2024-07-23)
2 表明了 SiC FET 与硅 IGBT 的特征。在任何给定电流下，ID*VDS 的乘积都能表示给定导电损耗。因此，很容易看出，在采用单极 SiC FET 时，没有采用 IGBT 时会......
国内首款基于自主碳化硅的汽车“芯”动力在株洲下线，各大车厂逐步加大碳化硅车规级使用(2021-12-27)
及模块技术的企业。目前，中车时代电气在IGBT器件领域建有6英寸双极器件、8英寸IGBT和6英寸SiC（碳化硅）的产业化基地。据《湖南日报》报道，中车时代电气拥有目前国际SiC（碳化硅）芯片......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2024-07-12)
氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 将电动汽车的续航里程延长多达 5%。另外，文中还讨论了为什么一些原始设备制造商 (OEM) 不愿意从硅基绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 过渡到 SiC 器件，以及......
光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？(2022-11-16)
光伏赛道火热，却受“心脏”产能制约，SIC与IGBT谁是新能源的最优解？;
【导读】“逆变器就靠排队抢货，单子可以接，队伍请排好”，在各大光伏行业交流群里，询问......
厂商谈IGBT大缺货：根本买不到！(2023-03-21)
业用途上，则有AC伺服马达、变频器、风力及太阳能发电等绿电应用，在高压部分则是高速铁路等轨道运输以及电网的应用。
02
IGBT后，SiC成车用半导体厂商下一个风口
当下SiC功率......
门极驱动正压对功率半导体性能的影响(2024-01-30)
关损耗在不同门极电压和不同IC电流下的表现。图5是IGBT的开通损耗。而由于SiC MOSFET的开关损耗绝对值比IGBT要小得多，所以从开关损耗降低的比例来看，SiC MOSFET效果......
SiC主驱逆变器让电动汽车延长5%里程的秘诀(2023-10-19)
些汽车 OEM 厂商还是迟迟不肯放弃更传统的硅基开关器件，例如用于主驱逆变器的 IGBT。OEM 厂商不愿采用 SiC 的原因包括：
◆ 认为 SiC 是一种尚未成熟的技术
◆ 觉得 SiC 难以实施
◆ 以为......
缺货或持续至明年上半年，IGBT后，谁能成车用半导体厂商下一个风口？(2023-03-28)
业者产能持续扩张，电动车市场增速走缓，2023年全球IGBT供需缺口将收窄至-2.5%，当前短缺现象逐渐迈入尾声
IGBT后，SiC成车......
士兰微：2023年上半年IGBT业务营收同比增长300%以上(2023-08-22)
市场价格竞争加剧的影响，公司LED芯片价格较去年年末下降10%-15%，导致控股子公司士兰明芯、重要参股公司士兰明镓出现较大的经营性亏损。
产能方面，士兰微汽车级IGBT芯片、SiC-MOSFET芯片......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-26)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;
【导读】Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT......
新能源汽车加速爆发，功率器件迎来增长新契机(2023-06-06)
机功率相同的情况下可以通过提升电压来降低电流强度，从而使得束线轻量化，节省安装空间。
图源：天风证
虽然当前碳化硅器件单车价格高于Si-IGBT，但上述优势可降低整车系统成本。2018年特斯拉在Model3中首次将Si IGBT替换为SiC......
4个功率半导体项目落地湖南株洲(2024-06-28)
产品广泛应用于轨道交通装备、智能化输配电工程、新能源汽车等领域，远销欧美、东南亚等地区。
近年来，株洲SiC产业蓬勃发展，德智新材料半导体用SiC蚀刻环项目、顺为科技集团IGBT/SiC功率......
斯达半导揭晓募资35亿元定增结果！(2021-11-16)
半导是国内本土功率半导体产品的重要提供商之一，且长期致力于IGBT、快恢复二极管、SiC等功率芯片的设计和工艺以及IGBT、SiC等功率模块的设计、制造和测试。主要产品为功率半导体元器件，包括IGBT、MOSFET、IPM、FRD......
5大重要技巧让您利用 SiC 实现高能效电力电子产品！(2023-02-20)
证明您选择 SiC 作为开关模式设计的首选功率半导体是正确的，请考虑以下突出的特性。与标准或超级结 MOSFET 甚至 IGBT 相比，SiC 器件可以在更高的电压、更高的频率和更高的温度下运行。其他......
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产(2021-06-24)
总投资超200亿，IGBT、第三代半导体等产线纷纷投产;近年来，以IGBT为主的功率半导体和以碳化硅、氮化镓为主第三代半导体均受到市场的高度关注。
其中，IGBT，被视为电力领域的“CPU......
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列(2023-11-24)
金升阳推出IGBT/SiC MOSFET专用第三代驱动电源——QA-(T)-R3G系列;
【导读】金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级......
是什么使SiC成为组串式逆变器的完美解决方案(2023-02-09)
IGBT逆变器方案相比，尺寸相当的SiC MOSFET模块也可以处理更多的功率。例如，一个工作频率为16kHz的950V EasyPACK™ 3B IGBT模块可以被两个较小的EasyPACK™ 2B尺寸......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识;IGBT 和 SiC 电源开关有哪些市场和应用？本文引用地址：高效的电源转换在很大程度上取决于系统中使用的功 率半导体器件。由于功率器件技术不断改进，大功......
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-23)
Littelfuse推出用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能Littelfuse宣布......
赛晶首款车规级SiC模块进入测试阶段！(2023-06-01)
IGBT芯片组”、“ED封装IGBT模块”、“ST封装IGBT模块”众多产品之后，于2022年取得重大技术突破，重磅推出首款车规级SiC模块。目前该模块已完成样品试制，并进入测试阶段和开展量产计划。
......
SiC是如何“拯救”降价车企的？(2024-03-21)
要的是活得久一点，降价显然不能解决根本问题。
SiC在这种情况下，更受关注。
03、SiC为什么能带来希望？
功率器件作为汽车电动化的重要增量器件，近年来受益下游市场景气快速增长，其中，IGBT与SiC......
三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品(2024-01-26)
模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式混合动力汽车 （PHEV） 的逆变器。所有六款J3......
GaN和SiC在电动汽车中的应用(2024-01-24)
时效率高于99%的6个并联低 RDS(ON) SiC FET可能会取代 IGBT 及其并联二极管，从而使功率损耗减少3倍。在较轻负载、高频使用下，这种改进甚至更好，损耗比 IGBT 技术低 5 至 6 倍，并且......
天狼芯与睿悦投资签署B轮投资协议，前者专注于功率半导体芯片领域(2023-04-25)
资协议。
资料显示，天狼芯成立于2020年1月，是一家专注于高性能功率半导体芯片和模块开发的高科技企业。公司主要产品有车规MOSFET、IGBT/FRD、GaN器件、SiC器件等等，主要......
2035年功率半导体市场规模超六千亿，“一大两小”最有前景(2023-04-18)
2035年功率半导体市场规模超六千亿，“一大两小”最有前景;
【导读】2022年4月10日，富士经济公布了SiC（碳化硅）和Si（硅）功率半导体等下一代功率半导体的全球市场调查结果。据该......
三菱电机发布J3系列SiC和Si功率模块样品(2024-01-25 10:06)
模块采用碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC-MOSFET） 或 RC-IGBT （Si）*1，具有紧凑的设计和可扩展性，可用于电动汽车 （EV） 和插电式混合动力汽车 （PHEV） 的逆变器。所有六款J3系列产品将于3月25......
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！(2023-09-21)
共同打造碳化硅在新能源汽车的应用！;碳化硅器件（SiC）在新能源汽车领域对传统硅基（Si-）IGBT的替代正在加速。自2018年特斯拉在Model3中首次将IGBT模块替换成SiC模块后，就有......
天狼芯半导体——专注第三代半导体功率芯片设计(2023-03-27)
体有限公司是一家专注于高性能功率半导体芯片和模块开发的高科技企业；公司主要产品有车规级MOSFET、IGBT/FRD、GaN器件、SiC器件等等，主要应用于汽车电子、工业控制、光伏/储能、充电桩、工业电源等市场。
展品一：
展品......
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器(2023-12-15)
PI推出具有快速短路保护功能且适配62mm SiC和IGBT模块的门极驱动器;
【导读】PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化......
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器(2024-05-22)
用于SiC MOSFET和高功率IGBT的IX4352NE低侧栅极驱动器;新型驱动器可提供量身定制的导通和关断时序，将开关损耗降至最低，并增强dV/dt抗扰性能
美国伊利诺伊州芝加哥，2024年5......
相关企业
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
and manufacturing company dedicated to products based on Silicon Carbide (SiC) technologies and Amorphous
sic-safco;;;
;施克斯集团有限公司;;施克斯集团有限公司前身是德国 SIC Silicone materials institute（硅材料研究事物所），成立于1981年6月，位于德国科特布斯市蒂姆大街，是专
;西安众鑫特种材料有限公司;;西安众鑫特种材料有限公司是一家专业从事SiC微粉和SiC晶须及其下游产品研发、生产和销售的高新技术企业，也是全球首家突破传统生产技术，利用
管模块,IGBT模块,THRYSITOR晶闸管模块,大电流肖特基模块等产品,其模块产品一直应用于日本国的高铁,动车系统,在日本二极管及模块市场点有47％的份额.现由于市场的需要,在中国开拓内地市场.以优
;广宏电力设备有限公司;;ABB-SafeRing充气柜，施耐德SM6开关柜，SC6-SIC，SC6-SQC开关，SFG开关，EV12断路器，施耐德RM6充气柜，VD4真空断路器，施耐德SC6负荷开关
;上海硕元电子有限公司;;上海硕元电子是一家代理日立ACF,SIC硅胶皮,铁氟龙,ACF除液的公司.产品质优价廉.欢迎有需要的公司咨询采购!
产品为富士电机二极管、叁极管、场效应管、电源管理IC、富士IGBT模块及富士IPM、富士PIM、富士IGBT驱动、功率模块等。 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国代理商 富士IGBT
产品为富士电机IGBT模块，富士电机IPM模块，富士电机PIM功率集成模块，富士电机分立IGBT,富士智能功率模块等。 富士IGBT模块中国一级代理 富士IGBT一级代理商 富士IGBT一级代理 富士IGBT中国