资讯
又一起收购,涉及MOSFET(2024-01-05)
-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si)功率分立器件......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点,一直被视为理想器件而备受期待。不过,与以往的Si材料器件相比,SiC功率器件在性能和成本之间的平衡以及其对高技术的要求,将成为SiC功率器件......
从原理到实例:GaN为何值得期待?(2021-11-30)
、集成化、材料等各方面进行了全面提升,其演进的主要方向为更高的功率密度,更小的体积,更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面,从硅Si材料逐渐向氮化镓(GaN)等宽禁带材料升级,使得功率器件......
适用于运输领域的SiC:设计入门(2023-04-19)
导通性能的更多信息。Si-IGBT用作比较的参照物;我们可以看到,在某些交叉点上,当接近两种器件的标称电流时,SiC-MOSFET的固有性能更好(压降更低)。这最终产生了一条平坦的效率曲线,并且有利于任何主要在略高于标称功率......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于 Si IGBT......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于 Si IGBT&SiC......
突破!晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装......
突破!晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16 10:52)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货,为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
场景应用提供高效支持。
TO 封装优势
从材料特性上看,相较于相同规格TO封装的Si MOS,InnoGaN 具备更高的开关速度,更低导通阻抗,且无......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
从单向拓扑到双向拓扑转变,采用双向 OBC 提高系统效率是一种普遍趋势。
另外,针对高性能的电动汽车,电池工作电压将逐渐从 400 V 增加到 800 V。随之带来的就是传统的SI MOS管已不能满足需求,而......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案,采用TO封装,效率达94.6%(2023-03-10)
散热PAD 可连接大面积散热铜箔,TO 220 封装散热片加装更加简单;
相比Si MOS,TO 封装......
GaN竞赛中,罗姆如何取得领先优势?(2024-01-25)
支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si MOSFET(超结MOS)。
与Si MOSFET相比,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,因此可同时实现更低损耗和更小体积。
继续......
GaN竞赛中,罗姆如何取得领先优势?(2024-01-26 09:46)
用“Si+SiC+GaN”的策略,打造三代半功率器件“双料冠军”。罗姆半导体(ROHM)作为功率器件的领先厂商,产品不仅涵盖IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD和SiC器件,也包括GaN。那么......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的300W电源适配器方案(2024-06-18)
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。
核心技术优势:
● 同等规格下功率......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的300W电源适配器方案(2024-06-18)
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。
核心技术优势:
同等规格下功率......
给SiC“挖坑”,国产有机会吗?(2024-06-17)
于研发阶段,距离产业化有较大的差距。
随着SiC功率器件逐渐演进,平面型的SiC MOSFET已经达到缩小MOS元胞尺寸而无法降低导通电阻的程度,即便采用更小的光刻尺寸,单位面积的导通电阻也很难降到2mΩ......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪,基于国际标准的静态实验方法JESD51-1,测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
吉利旗下晶能微电子并购益中封装,李书福或发力自主功率半导体(2023-08-28)
模块和单管产品的全覆盖。此外,晶能会持续增加投资,将现有产线逐步升级为工业级产品线,并新建车规级产品线,以增加市场竞争力,更好、更快地满足客户需求。、
公开资料显示,晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司,聚焦于Si......
大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案(2024-07-18)
的电源产品,其内置两个GaN MOS和高压驱动,相较于传统Si MOS,具有优越的热性能和开关效率等优势。在本方案中,采用MasterGaN1产品,在有效优化PCB的电路设计和体积的同时,提升......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
TMOS,关键点是沟槽角,对于 DMOS,关键点是单元的中心。由于势垒高度较小,与 Si 器件相比,SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此,界面......
充电桩的那颗半导体“心脏”(2023-09-01)
和 IGBT 两种,各自适用于不同的电压范围,在充电模块方面均有使用。相比于 Si 基器件,SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、更高的开关频率等优良特性,并且可在高温、高压、干扰......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
、华域三电、苏州中成、奥特佳、海立、威灵、上海光裕、重庆超力等。
图 新能源汽车空调中SiC的应用
5.大功率OBC
三相OBC电路中SiC MOS应用更高的开关频率,可以减小磁性元器件......
一文了解SiC MOS的应用(2024-06-19)
三相OBC电路中SiC MOS应用更高的开关频率,可以减小磁性元器件体积和重量,提高效率和功率密度,同时高系统母线电压,大大减少功率器件数量,便于电路设计,提高可靠性。
图:大功率OBC中SiC的应......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接连接电源微控制器。同时,芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断(TLTO)功能,常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。
3、其他功率器件驱动
除了常用的MOS管和......
大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案(2024-07-22)
为该行业的发展树立了新的里程碑。该标准不仅将最大充电功率提升至240W,同时新增多组固定和可调输出电压档位,可为各种电子设备提供更加灵活、高效的充电方案。在此背景下,大联大友尚基于ST-ONEHP器件......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16 11:26)
储能系统一站式解决方案?英飞凌都提供!如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢?英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。究其原因,还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势:其一,从现在基于Si的器件......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
在基于Si的器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率;
其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度;
其三,SiC MOS非常灵活,其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家:看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-17)
能优势:
其一,从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率;
其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度;
其三,SiC MOS非常灵活,其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势:
其一,从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率;
其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度;
其三,SiC MOS非常灵活,其......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
凌都提供!
如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢?英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。
究其原因,还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势:
其一,从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的300W电源适配器方案(2024-06-19)
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。
核心......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的300W电源适配器方案(2024-06-18)
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。
核心技术优势:
同等规格下功率......
涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺(2024-06-17)
涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同,本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延,再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比,总结......
英诺赛科发布100V车规级GaN,持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
在激光雷达领域,氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍;与早期激光雷达产品相比,采用......
集成电路领域新添两家公司(2023-10-09)
集成电路由浙江晶能微电子有限公司全资持股,后者控股股东为吉利迈捷投资有限公司。
晶能微电子是吉利旗下功率半导体公司,聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制与创新。今年3月,晶能微电子宣布其自主设计研发的首款车规级 IGBT......
改变未来游戏规则,英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS)的论文。
2004年,英特尔提出了第一个DrMOS的概念,即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
改变未来游戏规则,英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS)的论文。2004年,英特尔提出了第一个DrMOS的概念,即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cascode GaN 器件(低压 Si MOS 和高压 GaN HEMT......
英诺赛科发布100V车规级GaN,持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件......
大联大友尚集团推出基于ST产品的140W USB PD3.1快充方案(2024-07-18)
源产品,其内置两个GaN MOS和高压驱动,相较于传统Si MOS,具有优越的热性能和开关效率等优势。在本方案中,采用MasterGaN1产品,在有效优化PCB的电路设计和体积的同时,提升充电体验。
图示......
高压快充陆续“上车”,碳化硅器件成香饽饽,成本下降打开市场渗透率(2023-02-16)
整个新能源和光伏风电储能市场的爆发,功率半导体供应短缺严重,不仅是体现在IGBT上的短缺,也体现在碳化硅功率器件上。
IGBT缺货对于碳化硅来说是个机会,更多......
东芝半导体携多款产品和解决方案亮相PCIM Asia2017(2017-07-27)
半导体在本次展会上将展出以风力发电、牵引、电力输配电和工业变频器为应用方向的一系列产品及解决方案,具体展出产品将包括:
东芝大功率器件IEGT
与模块IGBT相比,IEGT可以负载更大电压和电流,更小的体积可以实现更大的功率,安全......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案(2023-12-21)
器件助力服务器电源实现更出色的能效。
图示2-基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案的场景应用图
本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片实现功率......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案(2023-12-21)
采用4颗INN650D080BS,其采用DFN8*8封装,导通电阻为80mΩ。与Si MOS相比,Innoscience产品具备低Qg、低Co(tr)以及无反向恢复损耗Qrr等特性。
通过效率测试,在输......
GaN将成PA主流技术,这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
表现出不同一般的热属性,这主要因为 SiC 的高导热性。具体而言,这意味着在消耗功率相同的情况下,GaN-on-SiC 器件的温度不会变得像 GaAs 器件或 Si 器件那样高。器件......
吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片(2023-03-17)
,微电子是集团孵化的功率半导体公司,聚焦于Si &SiC MOS的研制与创新,发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源:内容来自半导体科技评论 ,作者温德通 ,谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件......
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小体积之PD快充方案(2023-10-11)
新一轮手机的充电模式悄然发生改变,随后各大厂商揭竿而起,在手机的充电器上不断革新。同时因传统SI MOS的发热与频率问题,新材料获得各大MOS制造商的青睐。以高频,散热好等优势,将充电器的体积进一步缩小,加上......
切入电力电子器件,LED企业在GaN领域谋转型(2021-12-20)
度等方面均有提升。GaN技术方面的优势正好可匹配这些要求,与传统Si功率器件比起来,GaN功率器件的电能转换效率更高,可实现更高的频率,且器件体积更小、功率密度更大。
GaN功率器件......
功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
功率半导体“放量年”,IGBT、MOSFET与SIC的思考;4月24日,东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布,在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率......
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与可靠性超越同行,应用偏向高端。注重品牌和信誉。 目前专注于超结大功率MOS器件(Super Junction MOSFET)、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频(微波)RF-LDMOS
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