资讯

-FAB生产。2022年,M-MOS的营收为3200万美元(折合人民币约2.29亿元)。此外,根据M-MOS官网信息,其还具备硅基氮化镓(GaN-on-Si功率分立器件......
功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点,一直被视为理想器件而备受期待。不过,与以往的Si材料器件相比,SiC功率器件在性能和成本之间的平衡以及其对高技术的要求,将成为SiC功率器件......
、集成化、材料等各方面进行了全面提升,其演进的主要方向为更高的功率密度,更小的体积,更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面,从硅Si材料逐渐向氮化镓(GaN)等宽禁带材料升级,使得功率器件......
导通性能的更多信息。Si-IGBT用作比较的参照物;我们可以看到,在某些交叉点上,当接近两种器件的标称电流时,SiC-MOSFET的固有性能更好(压降更低)。这最终产生了一条平坦的效率曲线,并且有利于任何主要在略高于标称功率......
行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。 晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于 Si IGBT......
IGBT 和 SiC MOS 封装在一起,形成混合并联模块的解决方案。未来,功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。 晶能微电子是科技集团孵化的功率半导体公司,聚焦于 Si IGBT&SiC......
Drive模块 IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装......
Drive模块 IGBT是现代电力电子中的主导型器件,被誉为电力电子行业里的CPU,是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期,也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS......
场景应用提供高效支持。 TO 封装优势 从材料特性上看,相较于相同规格TO封装的Si MOS,InnoGaN 具备更高的开关速度,更低导通阻抗,且无......
从单向拓扑到双向拓扑转变,采用双向 OBC 提高系统效率是一种普遍趋势。 另外,针对高性能的电动汽车,电池工作电压将逐渐从 400 V 增加到 800 V。随之带来的就是传统的SI MOS管已不能满足需求,而......
散热PAD 可连接大面积散热铜箔,TO 220 封装散热片加装更加简单; 相比Si MOS,TO 封装......
支持一次侧电源各种控制器IC的性能,因此可以替换现有的Si MOSFET(超结MOS)。 与Si MOSFET相比,器件体积可减少约99%,功率损耗可降低约55%,因此可同时实现更低损耗和更小体积。 继续......
用“Si+SiC+GaN”的策略,打造三代半功率器件“双料冠军”。罗姆半导体(ROHM)作为功率器件的领先厂商,产品不仅涵盖IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD和SiC器件,也包括GaN。那么......
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。 核心技术优势: ●   同等规格下功率......
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。 核心技术优势: 同等规格下功率......
于研发阶段,距离产业化有较大的差距。 随着SiC功率器件逐渐演进,平面型的SiC MOSFET已经达到缩小MOS元胞尺寸而无法降低导通电阻的程度,即便采用更小的光刻尺寸,单位面积的导通电阻也很难降到2mΩ......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪,基于国际标准的静态实验方法JESD51-1,测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
模块和单管产品的全覆盖。此外,晶能会持续增加投资,将现有产线逐步升级为工业级产品线,并新建车规级产品线,以增加市场竞争力,更好、更快地满足客户需求。、 公开资料显示,晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司,聚焦于Si......
的电源产品,其内置两个GaN MOS和高压驱动,相较于传统Si MOS,具有优越的热性能和开关效率等优势。在本方案中,采用MasterGaN1产品,在有效优化PCB的电路设计和体积的同时,提升......
TMOS,关键点是沟槽角,对于 DMOS,关键点是单元的中心。由于势垒高度较小,与 Si 器件相比,SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此,界面......
 和 IGBT 两种,各自适用于不同的电压范围,在充电模块方面均有使用。相比于 Si器件,SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、更高的开关频率等优良特性,并且可在高温、高压、干扰......
、华域三电、苏州中成、奥特佳、海立、威灵、上海光裕、重庆超力等。 图 新能源汽车空调中SiC的应用 5.大功率OBC 三相OBC电路中SiC MOS应用更高的开关频率,可以减小磁性元器件......
三相OBC电路中SiC MOS应用更高的开关频率,可以减小磁性元器件体积和重量,提高效率和功率密度,同时高系统母线电压,大大减少功率器件数量,便于电路设计,提高可靠性。 图:大功率OBC中SiC的应......
接连接电源微控制器。同时,芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断(TLTO)功能,常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。 3、其他功率器件驱动 除了常用的MOS管和......
为该行业的发展树立了新的里程碑。该标准不仅将最大充电功率提升至240W,同时新增多组固定和可调输出电压档位,可为各种电子设备提供更加灵活、高效的充电方案。在此背景下,大联大友尚基于ST-ONEHP器件......
储能系统一站式解决方案?英飞凌都提供!如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢?英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。究其原因,还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势:其一,从现在基于Si器件......
在基于Si器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率; 其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度; 其三,SiC MOS非常灵活,其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
能优势: 其一,从现在基于Si器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率; 其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度; 其三,SiC MOS非常灵活,其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势: 其一,从现在基于Si器件转化到基于SiC的系统,能大幅提升效率; 其二,SiC MOS的体积较小,进一步提升了功率密度; 其三,SiC MOS非常灵活,其......
凌都提供! 如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢?英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。 究其原因,还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势: 其一,从现在基于Si器件转化到基于SiC的系......
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。   核心......
在提高效率的同时大大减小适配器的体积。与常规基于Si MOS的设计对比,在相同的300W输出功率下,本方案可将产品体积缩减30%,功率密度提高8W/in³。 核心技术优势: 同等规格下功率......
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。 在激光雷达领域,氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍;与早期激光雷达产品相比,采用......
涨知识!氮化镓(GaN)器件结构与制造工艺;功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延的不同,本文通过深入对比HEMT与硅基MOS管的外延,再对增强型和耗尽型的HEMT进行对比,总结......
集成电路由浙江晶能微电子有限公司全资持股,后者控股股东为吉利迈捷投资有限公司。 晶能微电子是吉利旗下功率半导体公司,聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制与创新。今年3月,晶能微电子宣布其自主设计研发的首款车规级 IGBT......
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS)的论文。 2004年,英特尔提出了第一个DrMOS的概念,即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS)的论文。2004年,英特尔提出了第一个DrMOS的概念,即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cascode GaN 器件(低压 Si MOS 和高压 GaN HEMT......
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。 英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件......
源产品,其内置两个GaN MOS和高压驱动,相较于传统Si MOS,具有优越的热性能和开关效率等优势。在本方案中,采用MasterGaN1产品,在有效优化PCB的电路设计和体积的同时,提升充电体验。 图示......
整个新能源和光伏风电储能市场的爆发,功率半导体供应短缺严重,不仅是体现在IGBT上的短缺,也体现在碳化硅功率器件上。 IGBT缺货对于碳化硅来说是个机会,更多......
半导体在本次展会上将展出以风力发电、牵引、电力输配电和工业变频器为应用方向的一系列产品及解决方案,具体展出产品将包括: 东芝大功率器件IEGT 与模块IGBT相比,IEGT可以负载更大电压和电流,更小的体积可以实现更大的功率,安全......
器件助力服务器电源实现更出色的能效。  图示2-基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案的场景应用图   本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片实现功率......
,微电子是集团孵化的功率半导体公司,聚焦于Si &SiC MOS的研制与创新,发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力,为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。 ......
表现出不同一般的热属性,这主要因为 SiC 的高导热性。具体而言,这意味着在消耗功率相同的情况下,GaN-on-SiC 器件的温度不会变得像 GaAs 器件Si 器件那样高。器件......
采用4颗INN650D080BS,其采用DFN8*8封装,导通电阻为80mΩ。与Si MOS相比,Innoscience产品具备低Qg、低Co(tr)以及无反向恢复损耗Qrr等特性。 通过效率测试,在输......
新一轮手机的充电模式悄然发生改变,随后各大厂商揭竿而起,在手机的充电器上不断革新。同时因传统SI MOS的发热与频率问题,新材料获得各大MOS制造商的青睐。以高频,散热好等优势,将充电器的体积进一步缩小,加上......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战; 来源:内容来自半导体科技评论 ,作者温德通 ,谢谢。 随着集成电路工艺制程技术的不断发展,为了提高集成电路的集成度,同时提升器件......
度等方面均有提升。GaN技术方面的优势正好可匹配这些要求,与传统Si功率器件比起来,GaN功率器件的电能转换效率更高,可实现更高的频率,且器件体积更小、功率密度更大。 GaN功率器件......
。与Si MOS相比,Innoscience产品具备低Qg、低Co(tr)以及无反向恢复损耗Qrr等特性。   通过效率测试,在输入电压230Vac/264Vac的条......

相关企业

MAXIM,IR,LT,74,LM,40等系列和偏冷门IC电子元器件. 我们奉行以质量求信誉,以信誉求生存. 欢迎来人来电垂询!! 主营产品: IRF全系列功率MOS管:IRF7811A IRF7832
FDS6679 FDS6670A FDS4410 FDS6688 FDS9933A FDS4559 .............. SI全系列功率MOS管:SI9933ADY-T1 SI4463DY-T1
;深圳市福田区新亚洲电子市场嘉锋电子商行销售一部;;专营FDS IRF SI NDS CEM AO APM等系列贴片MOS
;深圳市飞思卡尔电子有限公司;;飞思卡尔功率半导体(中国)有限公司是一家从事各种大功率半导体器与功率集成器件,设计、研发、生产和销售运营遍布全球。我们致力于(20V-250V)大功率Trench
;鼎锋电子;;深圳鼎锋电子是一家专业销售:欧洲、美国、日本 等地的名牌模块,IOR(IRF)、Fairchild (FDS)、VISHAY (SI)、Aos等厂家SOP-8封装系列电源MOS管,电源
FDS6900AS FDS9435A FDS4935A FDS6679 FDS6670A FDS4410 FDS6688 FDS9933A FDS4559 ..............  SI全系列功率MOS
 FDS6670A FDS4410 FDS6688 FDS9933A FDS4559 .............. SI全系列功率MOS管:SI9933ADY-T1 SI4463DY-T1
与可靠性超越同行,应用偏向高端。注重品牌和信誉。 目前专注于超结大功率MOS器件(Super Junction MOSFET)、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频(微波)RF-LDMOS
)大功率Trench-MOS 器件、(500V-650V)SJ-MOS器件、普通高压MOS器件(600V)已量产与销售, 并取得国内和国际的多项技术领先。公司成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件
,79L系列 6、石英晶振、滤波器、振荡器、谐振器、表晶、压控、温补晶振 7、贴片SOIC-8系列MOS管:IRF、FDS、SI、AO系列 8、单片机及储存器系列:PIC,24C,93C系列 价格合理,质量