资讯
又一起收购，涉及MOSFET(2024-01-05)
-FAB生产。2022年，M-MOS的营收为3200万美元（折合人民币约2.29亿元）。此外，根据M-MOS官网信息，其还具备硅基氮化镓（GaN-on-Si）功率分立器件......
碳化硅MOSFET在新能源行业有怎样的应用和发展(2024-03-22)
功率器件由于具有耐压高、损耗低、效率高等特点，一直被视为理想器件而备受期待。不过，与以往的Si材料器件相比，SiC功率器件在性能和成本之间的平衡以及其对高技术的要求，将成为SiC功率器件......
从原理到实例：GaN为何值得期待？(2021-11-30)
、集成化、材料等各方面进行了全面提升，其演进的主要方向为更高的功率密度，更小的体积，更低的成本及损耗。特别是材料迭代方面，从硅Si材料逐渐向氮化镓（GaN）等宽禁带材料升级，使得功率器件......
适用于运输领域的SiC：设计入门(2023-04-19)
导通性能的更多信息。Si-IGBT用作比较的参照物；我们可以看到，在某些交叉点上，当接近两种器件的标称电流时，SiC-MOSFET的固有性能更好（压降更低）。这最终产生了一条平坦的效率曲线，并且有利于任何主要在略高于标称功率......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于 Si IGBT......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
IGBT 和 SiC MOS 封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于 Si IGBT&SiC......
突破！晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的CPU，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期，也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS封装......
突破！晶能车规级IGBT产品流片成功(2023-03-16 10:52)
Drive模块
IGBT是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的CPU，是国际上公认的电力电子技术第三次革命最具代表性的产品。近期，也有行业开发者讨论将Si IGBT和SiC MOS......
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
场景应用提供高效支持。
TO 封装优势
从材料特性上看，相较于相同规格TO封装的Si MOS，InnoGaN 具备更高的开关速度，更低导通阻抗，且无......
双通道隔离驱动在OBC上的典型应用(2023-05-26)
从单向拓扑到双向拓扑转变，采用双向 OBC 提高系统效率是一种普遍趋势。
另外，针对高性能的电动汽车，电池工作电压将逐渐从 400 V 增加到 800 V。随之带来的就是传统的SI MOS管已不能满足需求，而......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
散热PAD 可连接大面积散热铜箔，TO 220 封装散热片加装更加简单；
相比Si MOS，TO 封装......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？(2024-01-25)
支持一次侧电源各种控制器IC的性能，因此可以替换现有的Si MOSFET（超结MOS）。
与Si MOSFET相比，器件体积可减少约99%，功率损耗可降低约55%，因此可同时实现更低损耗和更小体积。
继续......
GaN竞赛中，罗姆如何取得领先优势？(2024-01-26 09:46)
用“Si+SiC+GaN”的策略，打造三代半功率器件“双料冠军”。罗姆半导体（ROHM）作为功率器件的领先厂商，产品不仅涵盖IGBT、SJ-MOSFET、SBD、FRD和SiC器件，也包括GaN。那么......
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析(2023-03-08)
关于T3Ster热阻测试仪的优势分析;T3ster 是Mentor Graphics 公司研发的瞬态热测试仪，基于国际标准的静态实验方法JESD51-1，测量IGBT、MOS 管、功率二极管、三极......
吉利旗下晶能微电子并购益中封装，李书福或发力自主功率半导体(2023-08-28)
模块和单管产品的全覆盖。此外，晶能会持续增加投资，将现有产线逐步升级为工业级产品线，并新建车规级产品线，以增加市场竞争力，更好、更快地满足客户需求。、
公开资料显示，晶能微电子是吉利孵化的功率半导体公司，聚焦于Si......
双运放电流源的基本操作(2024-01-03)
TMOS，关键点是沟槽角，对于 DMOS，关键点是单元的中心。由于势垒高度较小，与 Si 器件相比，SiC MOS 结构在给定电场下表现出更高的 Fowler-Nordheim 电流注入。因此，界面......
充电桩的那颗半导体“心脏”(2023-09-01)
和 IGBT 两种，各自适用于不同的电压范围，在充电模块方面均有使用。相比于 Si 基器件，SiC MOS 具有更低的导通损耗、更低的开关损耗、更高的开关频率等优良特性，并且可在高温、高压、干扰......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
接连接电源微控制器。同时，芯片具有过电流和短路保护的DESAT检测功能、有源米勒箝位功能以及两级关断（TLTO）功能，常被用于逆变器和DC/DC转换器等场合。
3、其他功率器件驱动
除了常用的MOS管和......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16 11:26)
储能系统一站式解决方案？英飞凌都提供！如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢？英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。究其原因，还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势：其一，从现在基于Si的器件......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家：看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-17)
能优势：
其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si的系......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势：
其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiC MOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiC MOS非常灵活，其......
英飞凌专家看好户储市场增长前景,3大未来发展方向引关注(2023-10-16)
凌都提供！
如何应对如此高功率密度、最小温升的挑战呢？英飞凌强烈推荐客户使用SiC MOS。
究其原因，还是得益于第三代半导体SiC的如下4点性能优势：
其一，从现在基于Si的器件转化到基于SiC的系......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-29 09:49)
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
在激光雷达领域，氮化镓器件的Qg、Qoss等参数相比硅器件提升1.5~3倍；与早期激光雷达产品相比，采用......
集成电路领域新添两家公司(2023-10-09)
集成电路由浙江晶能微电子有限公司全资持股，后者控股股东为吉利迈捷投资有限公司。
晶能微电子是吉利旗下功率半导体公司，聚焦于Si IGBT和SiC MOS的研制与创新。今年3月，晶能微电子宣布其自主设计研发的首款车规级 IGBT......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-17)
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS）的论文。
2004年，英特尔提出了第一个DrMOS的概念，即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
改变未来游戏规则，英特尔展示GaN新技术(2023-12-18 10:06)
mode GaN MOSHEMT and 3D Monolithic Si PMOS）的论文。2004年，英特尔提出了第一个DrMOS的概念，即CMOS驱动器与硅功率器件集成。这一......
测试共源共栅氮化镓 FET(2024-04-09)
低了使用快速 GaN 功率器件的优势。图 1 显示了关断时的发散振荡。图 2 显示了导通时的大栅极电压振铃。两者都与图 3 所示的 Cascode GaN 器件（低压 Si MOS 和高压 GaN HEMT......
英诺赛科发布100V车规级GaN，持续推进汽车激光雷达市场(2023-12-30)
于自动驾驶及其他先进驾驶辅助系统应用中的车规级激光雷达、高功率密度DC-DC变换器、D类音频。
英诺赛科宣布推出100V车规级氮化镓器件......
高压快充陆续“上车”，碳化硅器件成香饽饽，成本下降打开市场渗透率(2023-02-16)
整个新能源和光伏风电储能市场的爆发，功率半导体供应短缺严重，不仅是体现在IGBT上的短缺，也体现在碳化硅功率器件上。
IGBT缺货对于碳化硅来说是个机会，更多......
东芝半导体携多款产品和解决方案亮相PCIM Asia2017(2017-07-27)
半导体在本次展会上将展出以风力发电、牵引、电力输配电和工业变频器为应用方向的一系列产品及解决方案，具体展出产品将包括：
东芝大功率器件IEGT
与模块IGBT相比，IEGT可以负载更大电压和电流，更小的体积可以实现更大的功率，安全......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案(2023-12-21)
器件助力服务器电源实现更出色的能效。
图示2-基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案的场景应用图
本方案采用Innoscience旗下InnoGaN 650V GaN芯片实现功率......
吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片(2023-03-17)
，微电子是集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si &SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
......
GaN将成PA主流技术，这家公司恐成最大赢家(2017-07-27)
表现出不同一般的热属性，这主要因为 SiC 的高导热性。具体而言，这意味着在消耗功率相同的情况下，GaN-on-SiC 器件的温度不会变得像 GaAs 器件或 Si 器件那样高。器件......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案(2023-12-21)
采用4颗INN650D080BS，其采用DFN8*8封装，导通电阻为80mΩ。与Si MOS相比，Innoscience产品具备低Qg、低Co（tr）以及无反向恢复损耗Qrr等特性。
通过效率测试，在输......
基于ST VIPERGAN50的20V/2.25A 小体积之PD快充方案(2023-10-11)
新一轮手机的充电模式悄然发生改变，随后各大厂商揭竿而起，在手机的充电器上不断革新。同时因传统SI MOS的发热与频率问题，新材料获得各大MOS制造商的青睐。以高频，散热好等优势，将充电器的体积进一步缩小，加上......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战;
来源：内容来自半导体科技评论 ，作者温德通 ，谢谢。
随着集成电路工艺制程技术的不断发展，为了提高集成电路的集成度，同时提升器件......
切入电力电子器件，LED企业在GaN领域谋转型(2021-12-20)
度等方面均有提升。GaN技术方面的优势正好可匹配这些要求，与传统Si功率器件比起来，GaN功率器件的电能转换效率更高，可实现更高的频率，且器件体积更小、功率密度更大。
GaN功率器件......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-26)
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考;4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率......
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考(2023-04-27)
功率半导体“放量年”，IGBT、MOSFET与SIC的思考;
【导读】4月24日，东芝电子元器件及存储装置株式会社宣布，在石川县能美市的加贺东芝电子公司举行了一座可处理300毫米晶圆的新功率......
大联大诠鼎集团推出基于Innoscience产品的2KW PSU服务器电源方案(2023-12-27)
。与Si MOS相比，Innoscience产品具备低Qg、低Co（tr）以及无反向恢复损耗Qrr等特性。
通过效率测试，在输入电压230Vac/264Vac的条......
吉利科技旗下晶能车规级IGBT产品成功流片(2023-03-17)
与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
据悉，晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于Si IGBT&SiC MOS的研制与创新，发挥“芯片设计+模块制造+车规认证”的综......
Boost变换器中SiC与IGBT模块热损耗对比研究*(2023-01-28)
仿真的方式对SiC与Si MOS进行了对比研究，但缺乏试验验证。本文在以上研究的基础上，对SiC 和IGBT 器件在电路应用中的进行对比研究，力求提供具有实用价值的SiC和热损耗计算公式，再将......
汽车芯片大厂安森美，闷声发财(2023-04-23)
电桩、车载充电机及汽车电驱等拥有巨大潜力。而安森美在碳化硅功率器件市场中已处于领先地位，产品包括SiC二极管、SiC MOSFET和SiC模块。
SiC器件将如何在300V到更高电压的范围内取代Si器件......
近30家展商亮相电动工具会议 充电管理受关注(2022-09-08)
供客户灵活选择。
珠海镓未来科技有限公司公司专注于第三代半导体GaN-on-Si器件技术创新研发与应用的高端氮化镓功率器件设计制造商，致力于为业界提供从30W到10KW的氮化镓器件及系统解决方案，并可......
技术文章:SiC Traction模块的可靠性基石AQG324(2023-07-10)
可以发现由于生产过程中导致的一些材料污染。对于Si和SiC器件和模块来说HTGB都是强制要求的。
Dynamic gate stress (DGS)
室温下的DGS测试对于SiC功率模块来说是必须的，现在......
英飞凌专家看好户储市场增长前景，3大未来发展方向引关注(2023-10-17)
在基于Si的器件转化到基于SiC的系统，能大幅提升效率；
其二，SiCMOS的体积较小，进一步提升了功率密度；
其三，SiCMOS非常灵活，其pin脚或者使用方法都可以跟基于Si......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有（Metal-Oxide......
基础知识之SiC功率器件(2024-03-21)
基础知识之SiC功率器件;SiC半导体
1. SiC材料的物性和特征
SiC（碳化硅）是一种由Si（硅）和C（碳）构成的化合物半导体材料。 不仅绝缘击穿场强是Si的10倍，带隙是Si的3倍，而且在器件......
瑞森半导体（REASUNOS）诚邀参加2023慕尼黑上海电子展(2023-07-11)
，
为全球客户提供功率半导体整体解决方案。公司产品涵盖SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD&TVS静电保护器件......
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;深圳市福田区新亚洲电子市场嘉锋电子商行销售一部;;专营FDS IRF SI NDS CEM AO APM等系列贴片MOS
;深圳市飞思卡尔电子有限公司;;飞思卡尔功率半导体（中国）有限公司是一家从事各种大功率半导体器与功率集成器件，设计、研发、生产和销售运营遍布全球。我们致力于（20V-250V）大功率Trench
;鼎锋电子;;深圳鼎锋电子是一家专业销售:欧洲、美国、日本 等地的名牌模块，IOR（IRF）、Fairchild （FDS）、VISHAY （SI）、Aos等厂家SOP-8封装系列电源MOS管，电源
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与可靠性超越同行，应用偏向高端。注重品牌和信誉。 目前专注于超结大功率MOS器件（Super Junction MOSFET）、NPT-IGBT、沟槽型大功率MOS器件以及射频（微波）RF-LDMOS
）大功率Trench-MOS 器件、（500V-650V）SJ-MOS器件、普通高压MOS器件（600V）已量产与销售， 并取得国内和国际的多项技术领先。公司成功的秘诀是利用自身能融汇贯通器件
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