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研发客服3 月 16 日消息，吉利科技旗下浙江晶能微电子近期宣布，其自主设计研发的首款车规级 IGBT 产品成功流片。新款芯片各项参数均达到设计要求。
晶能自主研发 IGBT 流片晶圆
该款 IGBT 芯片采用第七代微沟槽栅和场截止技术，通过优化表面结构和 FS 结构，兼具短路耐受同时实现更低的导通 / 开关损耗，功率密度增大约 35%，综合性能指标达到行业领先水平。晶能与晶圆代工厂深度绑定，采用工艺共创方式持续提升芯片性能。
晶能表示，一辆典型的新能源汽车芯片用量超过 1200 颗。功率半导体占比接近 1/4。公司将围绕动力总成系统中的开发需求，不断研制性能优越的芯片和模块产品。
晶能自主研发 IGBT HP Drive 模块
IGBT 是现代电力电子中的主导型器件，被誉为电力电子行业里的 CPU。近期，也有行业开发者讨论将 Si IGBT 和 SiC MOS 封装在一起，形成混合并联模块的解决方案。未来，功率芯片和模块的创新应用场景会更加丰富。
晶能微电子是吉利科技集团孵化的功率半导体公司，聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制与创新，发挥“芯片设计 + 模块制造 + 车规认证”的综合能力，为新能源汽车、电动摩托车、光伏、储能、新能源船舶等客户提供性能优越的功率产品和服务。
文章来源于:电子工程世界 原文链接
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