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基于昆明物理研究所的Au掺杂碲镉汞长波探测器探究(2023-03-17)
的大小决定了器件性能。碲镉汞器件各种暗电流中，扩散电流和产生-复合电流由材料电学性能及复合机制决定，隧道电流与材料缺陷性能有关。扩散电流是PN结空间电荷区两端载流子在电场作用下发生扩散和漂移而形成的电流，是热平衡下由空间电荷区两端少子扩散长度内的载流子所形成的电流......
日本半导体设备厂爱发科推出半导体设备表面处理技术，可提升设备良率(2021-04-25)
日本半导体设备厂爱发科推出半导体设备表面处理技术，可提升设备良率;4月25日消息，据日经中文报道，日本半导体设备企业爱发科（ULVAC）已开始提供可提高半导体和显示器生产设备良品率（合格率）和耐......
三款汽车发电机电路图(2023-06-01)
？电阻；由于H108型e、b之间电阻为扩散电阻，其阻值易随温度变化，因此在使用中要注意H108的散热问题。
汽车交流发电机电压调节工作原理：［电路如图（c）所示］当开关SA接通后，电流通过指示灯H......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-25 08:55)
扩大和增强了高压代工服务组合。SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
SK启方半导体推出HVIC工艺技术，扩大高压代工服务组合(2024-10-24)
扩大和增强了高压代工服务组合。
SK启方半导体的HVIC工艺特点在于，它可以在一个工艺中实现5V逻辑、25V高压器件、650V+ nLDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体）以及650V以上自举二极管，这使......
二极管选型指南(2024-04-08)
部电场区域变窄，可以有较大的正向扩散电流通过PN结。只有当正向电压达到某一数值(这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V)以后，二极管才能真正导通。但二......
晶合/长电等在列，安徽首批重点项目清单公布(2023-02-22)
射频及毫米波器件项目、经开区8英寸MEMS晶圆生产线项目、经开区融薇科技6英寸MEMS晶圆生产线项目、泓冠集成电路先进封装、智能电器制造项目、年产18万片2英寸氮化镓单晶衬底项目、半导体扩散......
东芝在SiC和GaN的技术产品创新(2023-10-17)
MOSFET 的p 型宽扩散区（p 阱）底部注入氮气，可减小扩散电阻（Rspread）并增大 SBD 电流。东芝还通过减小JFET 区和注入氮气，减小了反馈电容和JFET 电阻。因此，在未增大RonA......
意法半导体扩大 5V 运放产品系列，优化电源和信号调理性能(2022-10-12)
意法半导体扩大 5V 运放产品系列，优化电源和信号调理性能;意法半导体5V产品系列新增一款高性能双路运算放大器。新产品TSV782的增益带宽(GBW)为30MHz ，输入失调电压(典型值) 为......
科德宝集团举办175周年展：回望创新之路共绘高质量发展蓝图(2024-08-19)
船集团广州船舶国际有限公司制造的双头豪华客滚船所采用，这也是当时世界上最大锂电池装机容量（8.8MWh）的混动船舶项目电池配套订单；被广泛应用于小鹏等本土新能源汽车品牌的威巴克空气弹簧；以及作为长征氢能翼展车燃料电池系统核心部件的科德宝气体扩散......
外媒：三星电子正与合作伙伴开发半导体扩展部件(2022-07-08)
外媒：三星电子正与合作伙伴开发半导体扩展部件;据ETNews报道，三星电子正与合作伙伴开发半导体扩展部件。这些部件在晶圆蚀刻工艺中可以去除不必要的电路，也是制造DRAM和NAND Flash等存储半导体......
比亚迪公布2项新技术，把SiC狠狠夸了一把(2024-05-11)
160kW、后230kW）车型搭载80.64kWh电池组，CLTC续航里程可达550km。
“行家说三代半”作为服务于SiC半导体产业的媒体，每次看到新的SiC车型发布都很兴奋，我们......
日立ECN30系列功率模块助力电动汽车(EV)领域(2024-09-14)
能源凭借其卓越的技术实力，研发的高性能汽车功率半导体模块——ECN30系列功率模块，这一创新产品专为电动汽车设计，具备出色的散热性能与极低的杂散电感，确保了在高强度、恶劣......
总投资7亿元，锦州神工半导体扩建项目开工(2022-05-08)
总投资7亿元，锦州神工半导体扩建项目开工;据太和区发布消息，5月5日，辽宁省锦州市神工半导体扩建项目暨太和区新材料产业重点项目举行集中开复工仪式。
消息显示，锦州神工半导体股份有限公司新建半导体......
用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保护(2023-03-08)
软件上进行了仿真。测试是基于单端器件的硬开关故障短路，而过流保护是在典型的双脉冲测试电路上进行测试。在短路期间，漏极电流 Id迅速上升到其饱和点，并且由于电路中存在杂散电感，在 V ds中观察到电压骤降。
短路......
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京(2023-05-29)
铭镓半导体扩产项目、特思迪半导体二期等项目签约北京;据北青社区报顺义版消息，5月28日，在中关村论坛上，北京（国际）第三代半导体创新发展论坛举办。
现场，北京市顺义区人民政府与北京国联万众半导体......
使用LCR测试仪测量电子元件的正确方法(2023-02-01)
试电缆和被测件进行屏蔽， 通过抑制杂散电容，减少对高阻抗测试的测量误差。 一般用于小电容的测量。 为了将测试引线的杂散电容减至最小， 测试电缆引
线的中心导体应维护尽可能短， 测量接头的屏蔽与电缆中心导体......
科普：常用的传感器基础知识扫盲(2022-11-29)
两类，金属应变片有金属丝式、箔式、薄膜式之分。半导体应变片具有灵敏度高（通常是丝式、箔式的几十倍）、横向效应小等优点。
压阻式传感器
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电......
一文看懂MOS器件的发展与面临的挑战(2017-07-10)
和多晶硅栅的MOS管结构图
随着MOS器件的特征尺寸不断缩小，铝栅与源漏扩散区的套刻不准问题变得越来越严重，源漏与栅重叠设计导致，源漏与栅之间的寄生电容越来越严重，半导体......
干货 | 图解二极管单向导通的原因(2024-10-28 19:03:53)
意图
在 P 型和 N 型半导体的交界面附近，由于 N 区的自由电子浓度大，于是带负电荷的自由电子会由 N 区向电子浓度低的 P 区扩散；扩散的结果使 PN 结中靠 P 区一侧带负电，靠 N......
车规模块系列 ：特斯拉TPAK系列(2023-09-18)
封装，可以说将单管并联方式发挥的淋漓尽致。采用这方面的原因可能是当时可选择的车规IGBT模块较少，并且单个单管电流等级较小而采用多并联来达到所需电流等级。
随着第三代半导体SiC的入局，对于......
基础知识之二极管(2024-03-20)
用水流比喻的话，阳极是上流，阴极是下流，水从上流到下流能流下去，就是说电流能流下去，但从下流不能流到上流。这就是二极管的整流作用。
5. 结合构造也有多样
二极管的接合构造现在大有PN结合和肖特基形。前者是半导体和半导体......
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性(2023-02-01)
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性;意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性
2023年2月1日,中国 – 意法半导体扩大双通道高速数字信号隔离器产品家族，为设......
韩国要求美国放宽芯片法护栏，允准半导体在华增产10%(2023-05-24)
护栏条款实施不应让投资美国的业者承受不合理的负担，希望美国政府重新讨论规定中「具体扩张（material expansion）」和「传统制程（Legacy）」等关键词汇的定义。
根据护栏条款，获得美国半导体补贴的业者，未来10......
有源钳位技术解析(2022-12-15)
桥电路IGBT工作时序展开分析：
1. IGBT Q2关断，Q1开通，此时1/2*Vs通过IGBT Q1对变压器原边充电，原边电流Ip持续增加，此时杂散电感Ls跟着一起充能，IGBT Q2两端电压为1......
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性(2023-02-02 09:41)
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性;意法半导体扩大双通道高速数字信号隔离器产品家族，为设计者优化电路板布局带来更多灵活性。新的STISO620有两条同向通道，所有......
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性(2023-02-02)
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性;意法半导体扩大双通道高速数字信号隔离器产品家族，为设计者优化电路板布局带来更多灵活性。新的STISO620有两条同向通道，所有......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
第四个：亚阈值区域，它在超低功耗模拟集成电路设计中非常流行。
该区域的形成是因为晶体管在VGS低于Vth时不会完全关闭。相反，扩散电流在源极和漏极之间形成了一个小沟道。当VGS < Vth时，这种扩散电流......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
导电性
。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流
大于
漂移电流，耗尽层
变窄
。
4、二极......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
MOS管结构原理：以N-MOS为例，a：P型半导体做衬底;b：上边扩散两个N型区，c：覆盖SiO2绝缘层;在N区上腐蚀两个孔，然后金属化的方法在绝缘层和两个孔内做成三个电极：G(栅极)、D(漏极......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
在线性上升，到t2结束时刻，Id上升到电感电流，换流结束。在电感电流上升的这个过程中Vds会稍微有一些下降，这是因为下降的di/dt在杂散电感上面形成一些压降，所以侧到的Vds会有一些下降。从t2开始......
I-NPC三电平电路的双脉冲及短路测试方法(2024-01-26)
更大功率的系统，通常采用半桥模块来拼搭三电平电路，在构成I-NPC三电平电路时，主要采用下图所示方案，短换流工况时只涉及一个半桥模块，长换流回路则会涉及所有三个功率模块，因此在功率模组设计中，母排的设计需要格外优化尽可能减小长换流回路的杂散电感以增加功率模组的电流......
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性(2023-02-01)
意法半导体双通道数字信号隔离器提高电路配置灵活性;
【导读】意法半导体扩大双通道高速数字信号隔离器产品家族，为设......
华灿光电加速半导体扩张，在广东成立全资子公司，注册资本1亿元(2022-12-08)
华灿光电加速半导体扩张，在广东成立全资子公司，注册资本1亿元;2022年12月5日，华灿光电（广东）有限公司（以下简称“华灿光电广东”）正式成立，注册资本为1亿元人民币，该公......
外媒：半导体制程元件使用的石英市价大涨(2022-03-08)
外媒：半导体制程元件使用的石英市价大涨;据MoneyDJ援引韩媒etnews（4日）报道，石英组件厂高层说，半导体制程元件使用的石英，市价大涨10%以上。近来半导体扩产，导致石英用量大增；供需......
800V电驱动系统解读(2023-08-16)
SiC的压摆率(dv/dt)优势 如图7所示，在SiC半导体中，通过增加压摆率dv/dt可以降低开关损耗。与硅相比，该技术具有更大的潜力，因为换相电路中较高的转频率和可调整的杂散电......
士兰微电子推出小体积高性能270A/750V IGBT电机驱动模块(2023-08-07)
内燃机的热效率仅有40%左右，而电动机的效率则可以达到90%以上，两者相较在节能方面的表现高下立现，这也是支撑汽车电气化的一个重要原因。而汽车电气化的核心零部件之一就是半导体......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
mΩ级别，流过1A级别的电流，也才mV级别，所以D极和S极之间的导通压降很小，不足以使寄生二极管导通，这点需要特别注意。
▉ MOS管工作原理（以N沟道增强型为例）
N沟道增强型MOS管在P型半导体......
3家半导体企业签约金桥综保区：安集微电子、中微半导体扩产，芯跃半导体新入驻(2021-08-02)
3家半导体企业签约金桥综保区：安集微电子、中微半导体扩产，芯跃半导体新入驻;据浦东时报消息，7月29日，金桥股份举办金桥综合保税区关键技术研发企业集中签约仪式，6家重点企业集中签约，包括......
世界半导体极简编年史(2023-01-02)
点接触式整流器效应
第一个半导体二极管书面说明，费迪南德·布劳恩（Ferdinand Braun）指出，在金属点与方铅矿晶体接触处，电流......
车规模块系列（七）：赛米控SKiN技术(2023-10-10)
感的存在将会产生一个尖峰电压（ΔV=Ls*di/dt），杂散电感越大，尖峰电压将会越大。由于局部放电和绝缘故障的可能性增加，它降低了封装的可靠性。此外，为了提高模块的电流能力，需要多个芯片进行并联。不对称的布局将导致并联芯片之间动态不均电流......
三菱电机开始提供工业设备用NX封装全SiC功率半导体模块样品(2023-06-15)
电机于2010年开始推出搭载SiC芯片的功率半导体模块。此次，新模块采用低损耗SiC芯片和优化的内部结构，与现有的Si IGBT模块相比，内部杂散电感减少约47%*1，并显......
基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块(2023-11-27)
基本半导体推出应用于新能源汽车的Pcore™2 DCM碳化硅MOSFET模块;
【导读】汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体......
英飞凌推出EasyPACK™ 4B，为352 kW组串式光伏逆变器提供单模块解决方案(2022-12-05)
串式光伏逆变器常用的拓扑结构，它的特点是运行效率高、功率损耗低。按照拓扑结构配置芯片的模块，能够优化功率半导体的应用。
供货情况
EasyPACK 4B F3L600R10W4S7F_C22现已开放订购。全新......
英飞凌推出EasyPACK™ 4B，为352 kW组串式光伏逆变器提供单模块解决(2022-11-29)
基二极管和最新的950 V TRENCHSTOP™ IGBT7芯片技术，最大电流可达600 A。ANPC是组串式光伏逆变器常用的拓扑结构，它的特点是运行效率高、功率损耗低。按照拓扑结构配置芯片的模块，能够优化功率半导体......
签约、落户、开工、投产...半导体项目最新盘点(2023-06-09)
元器件与机电组件设备销售、集成电路芯片及产品销售等。
中电化合物半导体扩产项目或9月投产
近日，据宁波前湾新区发布消息，中电化合物半导体扩产项目计划于今年9月完成厂房装修并投产。
公开......
筑波科技与美商泰瑞达携手ETS 开创化合物半导体IC的动态测试新纪元(2023-08-31)
筑波科技与美商泰瑞达携手ETS 开创化合物半导体IC的动态测试新纪元;本文引用地址：
图 筑波科技华南区销售总监黃博彥Fred Huang、ETS动态测试方案
筑波科技(ACE Solution......
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列(2022-03-22)
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列;集成DC/DC变换器领域的全球领军企业 安普沃尔半导体科技有限公司全新推出了四路输出系列产品。该系列产品具有业内最高的电流......
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列(2022-03-22)
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列;集成DC/DC变换器领域的全球领军企业 安普沃尔半导体科技有限公司全新推出了四路输出系列产品。该系列产品具有业内最高的电流......
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列(2022-03-22)
安普沃尔半导体扩充超紧凑型集成DC/DC变换器产品线推出新款四路输出系列;集成DC/DC变换器领域的全球领军企业 安普沃尔半导体科技有限公司全新推出了四路输出系列产品。该系列产品具有业内最高的电流......
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还将在AC-DC、DC-DC方面加大研发力度，以促进公司产品多元化的发展。 我们致力于打造世界上一流的设计、应用和销售为一体,拥有自主知识产权的中国民族品牌！锐骏半导体特别专注于大功率大电流MOSFET
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通用线性IC ◆ FUJI（富士电机） 功率MOSFET 电源控制IC 功率半导体（IGBT） 整流二极管 ◆ TAMURA （田村） 霍尔电流传感器Current Sensors 电源