韩国要求美国放宽芯片法护栏,允准半导体在华增产10%

发布时间:2023-05-24  

韩国政府日前针对美国《芯片与科学法案》(CHIPS Act,以下称芯片法案)补贴标准,要求美国放宽「护栏条款」限制,扩大受补贴半导体企业在中国扩大产能的上限。


韩媒首尔经济、Digital Times等引述美国官方公告指出,韩国政府就美国商务部于2023年3月21日公布的芯片法案护栏条款施行细则提出正式意见,表示护栏条款实施不应让投资美国的业者承受不合理的负担,希望美国政府重新讨论规定中「具体扩张(material expansion)」和「传统制程(Legacy)」等关键词汇的定义。


根据护栏条款,获得美国半导体补贴的业者,未来10年在中国半导体先进制程产能扩充不得超过5%,而韩国政府则要求至少应允许增产10%以上。


对此外交相关人士指出,要求针对具体扩张定义再次讨论,是希望能扩大先进制程半导体的扩产上限,韩国立场为至少应允许扩产10%以上。半导体业界普遍认为,考量到过去10年间三星电子(Samsung Electronics)在中国的半导体产量增加100%以上,将扩产比例限制在5%以下较为过分。


要求重新讨论成熟制程半导体定义,也是考虑到技术的发展速度,期能放宽标准。目前,美国商务部将28纳米制程数码或类比逻辑半导体、18纳米DRAM、128层NAND Flash作为成熟及先进制程半导体的分界。


韩国半导体产业协会(KSIA)也提交意见书,要求限缩「技术追回(technology clawback)」条款的限制范围。根据条款内容,受补助业者若与「受关注的外国实体」(Foreign Entity of Concern;FEoC)进行共同研发或技术授权(签订专利使用合约),需返还补助金。


不过,当前的FEoC定义过于广泛且模糊,所有中国人和中国业者都能被包含在FEoC中,相当于可禁止总公司和中国分公司间交易等企业内部运作,应将FEoC定义缩小为出口管制名单内业者等。


此外,专利使用合约也需排除在技术回收条款的「共同研发」定义之外,因为阻止业者与FEoC签订专利使用合约,将冲击半导体生态系所需的日常性事业交易,反而使获得半导体补助的业者处于不利情况。


韩国外交相关人士表示,为了尽可能反应韩国企业需求,将针对细部规定与美国政府持续进行协商。


文章来源于:电子工程世界    原文链接
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