资讯
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
存在，这样电流就会在这个电阻上消耗能量，这部分消耗的能量叫做导通损耗。选择导通电阻小的MOS管会减小导通损耗。现在的小功率MOS管导通电阻一般在几十毫欧左右，几毫欧的也有。
MOS在导通和截止的时候，一定......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
高达1012Ω，即D、S之间不具备导电的沟道，所以无论在漏、源极之间加何种极性的电压，都不会产生漏极电流ID。
N沟道增强型MOS管结构示意图
当将衬底B与源极S短接，在栅极G和源......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
D903)以限制栅极电压在稳压管稳压值以下，保护MOS管不被击穿，MOS管栅极并联电阻(图中R516)是为了释放栅极电荷，不让电荷积累，实测单独焊接该下拉电阻（R516）还是不足以快速释放g极电......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述：
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
被测管的栅极和源极，万用表的指针立即返回到无穷大，如图5-6所示。
导线的连接使被测MOS管，栅极电荷释放，内部电场消失；导电沟道也消失，所以漏极和源极之间电阻又变成无穷大。
图5-6
2、MOS管的更换
在修......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
一个MOS 管的导通电阻是20mΩ，1A 的反向电流就会在MOS 管漏极和源极之间产生20mV 压降。这时的栅源电压
V G S ( o n ) V_{GS......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
MOS管在电路中两大作用？;
MOS管在电路中作为开关，NMOS和PMOS开关连接方式不同，开关条件为G极电压与S极电压比较。寄生二极管负极接输入端，正极......
防反接电路、防倒灌电路、过流保护电路(2024-09-14 14:51:48)
VCC和电池同时供电时：Q9栅极电压为VCC 对于MOS管 Vgs=Vout-V电池 所以MOS管不导通， Q10 g极 Vg=Vout Vs=Vout-V二极管 Vgs>0 所以......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
级踩在较高的电压上（24V），所以MOS管G极电压应该比源极高12V时才能够导通（Vgs=36V）,这里利用电容两端电压不能突变的特性，半桥驱动芯片内部电路将MOS管栅极抬升至36V，此时MOS栅源......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
阻尼二极管正极端连漏极（D），二极管负极连源极（S），要使MOS不至于无控导通，源极（S）必须接电源Us的正极。
图3.以MOSFET为受控开关
2. 控制MOS管
比较器的输入电阻极高，对电......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
。自行搭建的H桥驱动所能通过的电流几乎由MOS管的导通漏极电流所决定。因此，选择适当的MOS管，即可设计出驱动大电流电机的H桥驱动电路。
2、NMOS管IRLR7843
在选择MOS管搭建H桥时，主要......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
、60V的电流、电压， RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，和ao mos管 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通电阻......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
制核心输出低电平时，三极管Q1截止，电阻R3和R4对电源（V+）分压，MOS管导通并达到饱和状态。G极电压为:
2）推挽驱动电路
当电源IC驱动能力不足时可使用推挽驱动电路。推挽......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
; span="">，栅极电压增加，栅极G和衬底p间的绝缘层中产生电场，使得少量电子聚集在栅氧下表面，但由于数量有限，沟道电阻仍然很大，无法形成有效沟道，漏极电流ID仍然约为0。
当VGS≥VGS......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
完全开启，则设备在传导过程中将具有高电阻，并且会以热量的形式消耗大量功率，10 到 15 伏之间的栅极电压可确保大多数 mos 管完全开启。
九、缓慢......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
效模型。
图5 NMOS等效模型
MOS其实可以看成是一个由电压控制的电阻。这个电压指的是g、s两端的电压差，电阻指的是d、s之间的电阻。这个电阻的大小呢，它会随着g、s电压......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
沟道 MOS 管
MOS管可能需要额外的电路来偏置栅极。
N 沟道MOS管
要求其栅极电压高于其源极端子。这可能需要栅极驱动器IC或者......
C51单片机的IO口介绍(下)(2024-03-15)
信号通过一个非门取反后送入一个MOS管，MOS管负责控制这个IO的高低电平，配合内部上拉电阻完成高低电平的输出
为了方便我们分析，我们把这个MOS管看成一只NPN三极管。区别是三极管靠电流导通，MOS管靠电压导通
结合......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
严重的问题来自米勒振荡容易引起MOS管的二次开关或多次开关引起的MOS损耗加剧，最终可能烧毁。
3. 米勒振荡的应对
减缓驱动强度
a. 提高MOS管G极的输入串联电阻，一般该电阻阻值在1~100欧姆之间，具体值看MOS管的......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
2.MOS管
mos管是一种具有绝缘栅的FET，其中电压决定了器件的电导率。发明mos管是为了克服 FET 中存在的缺点，如高漏极电阻、中等......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
源。
在一些高电压驱动场景中，需要高耐压的MOS，这样就要从构造上做调整，内部结构就要做的很厚，同时带来的新的问题就是导致导通电阻增大。不同耐压的MOS管，其导通电阻中各部分电阻......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
Ic越小，因此饱和状态下的Ic是小于放大状态下的βIb的，此时，管子呈现出很小的结电阻，即所谓的饱和导通。
(三)MOS管......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
N沟道增强型MOS，只要VGS>VGSth，mos管DS之间就会出现反型层（即mos管已经导通，并在DS间形成了一条通道，该通道形成是因为栅极电压VGS的增大，将电子吸引至耗尽层形成），然后......
几种常用的防反接电路(2024-06-05)
就像是一个开关闭合了，电流是从D到S或S到D都一样的电阻。
在实际应用中，G极一般串接一个电阻，为了防止MOS管被击穿，也可以加上稳压二极管。并联在上面的电容，有一个软启动的作用，在电......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
要注意的是要用Qg来计算开启关断速度，而不是用栅极电容来计算。
下面讲讲MOS管开通过程
开始给MOS管Cgs充电，当电压升到5V时，Id流过一定的电流。继续充电，Id越来越大，但还没完全导通。当Id......
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项(2023-09-22)
功率逆变器应用采用宽带隙半导体器件时，栅极电阻选型注意事项;本文为大家介绍氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽带隙半导体器件用作电子开关的优势，以及如何权衡利弊。主要......
三极管和MOS管下拉电阻的作用(2024-04-17)
三极管和MOS管下拉电阻的作用;关于本文引用地址：简单讲解一下，如果工作在饱和区（完全导通），Rce≈0，Vce≈0.3V，且这个0.3V，我们就认为它直接接地了。那么就需要让Ib大于等于1mA，若......
TTL与CMOS，很基础但很多人不知道(2024-04-17)
输入管脚对于干扰信号的很敏感，一旦悬空，很容易引入干扰。
CMOS电路的输入电流不要超过1mA。不然，容易烧毁元器件。
输入端外界大电容，需要在输入端与电容间串接保护电阻，形成滤波电路，避免烧毁元器件。电阻选取原则R=V/1mA......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
1分钟搞懂三极管和MOS管(2024-10-16 11:40:39)
1分钟搞懂三极管和MOS管;
基极电流是指穿过基极进入集电极的，还是指少量电子与基极空穴复合形成的电流？为什么电流放大里说集电极电流是发射极电流的B倍（电流增益），放大区里又说集电极电流与基极电流成比例？
......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
常作为高输入阻抗放大器的输入级。
2.1 基本共源放大电路
共源放大电路采用的是N沟道增强型MOS管，为使它工作在恒流区，在输入回路加栅极电......
这40个模拟电路基础知识太有用了！(2024-06-06)
线宽的3倍。在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。
6、双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流;MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻......
90%的工程师会忽略的 40 个实用模拟电路小常识，你是其中之一吗？(2024-10-20 23:26:13)
流；MOS 管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。
7、三极管是靠载流子的运动来工作的，以 NPN 管射极跟随器为例，当基......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
为电池反向保护两部分来讲。
MOS管 作为反向电池保护可能并不常见，最常见的方法是使用二极管。然而，二极管压降很高，这将在低压电路中产生问题。这就是许多使用 MOSFET 作为......
无刷直流电机的电流换向电路 无刷直流电机的三相全桥驱动电路(2023-03-20)
，降低MOSFET大电流输出时的导通内阻，详细数据可参考MOS管DataSheet。上臂MOS管的G极分别由Q7/Q8/Q9驱动，在工作时只起到导通换相的作用。下臂MOS由MCU的PWM输出......
RS瑞森半导体低压MOS-SGT在电动车控制器上的应用(2023-04-03)
电压选型推荐
根据电动车蓄电池不同的电压而选择不同耐压的MOS管：
1、36V电池会选用60V耐压的MOS：RS60N130G、RS60N200T；
2、48V电池会选用85V耐压的MOS：RS85N140T......
变频器的辅助电源设计(2023-08-25)
载较大者应在副边整流二极管两端并联阻容吸收电路，注意吸收电容的耐压值要高，这里取R=100Ω，瓷片电容C=470pF，耐压1kV。
开关电源原边电路参数的计算
原边电路图如下：
①驱动电阻Rdrv的选取
这里Vcc>15V，当开关管Q的G极电......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
采用光纤的通讯方式，极大缩减了同步误差，可低于30ns。
2 MOSFET输出特性测试(ID=f(VDS))
MOS管的输出特性可以分为三个区:截止区、恒流区、可变电阻区。当MOSFET工作在开关状态时，随着......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
是IRF540NN沟道MOS管，D2、C3组成上桥自举电路，R3，R13为MOS管基极限流电阻。R15为驱动采样功率电阻，大负载时可以更换大功率电阻，防止电流过大烧毁电阻。R9、R10为单......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
S或S到D都一样的电阻。
在电源极性正确时，电流起始时通过场效应管的稳压管导通，S极电压接近0V。
两个电阻分压后，为G提供电压，使场效应管导通，因为其导通阻值很小，就把......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
应管内的二极管未到击穿电压不导通。分压电阻无电流流过无法提供G极电压，也不导通。从而起到保护作用。
对于电路中并联在分压电阻上的稳压二极管，因为场效应管的输入电阻......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
Vgs电压的升高而变小。
-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值，不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低，适合......
相关企业
;华联盛;;IR.FSC.AO.CET.TI.ON等品牌IC，MOS管 电容，电阻，二三级管
;深圳宝轮科技有限公司-销售部;;深圳宝轮科技有限公司 经销批发的锂电保护板IC、MOS管、PC817 光耦、S8261 保护IC、S8232 双节保护IC、DW01+G、DW01A-G
;枫港电子有限公司;;杭州分公司，主营mos管 ic 电阻电容
;杨盛电子;;长期需求多种IC MOS管 二三极管 电容电阻 电感 变压器材 胶料等等
品牌：78L系列、79L系列、78M系列等 合泰品牌：HT70系列、HT71系列、HT73系列、HT75系列等 富晶品牌：DW01+G系列、FS8205A系列等 MOS管：SI23系列、AO34系列
;金贤科达电子;;主营产品：集成电路,可控硅,场效应管,MOS管,二三极管,光耦,热敏电阻,保险管,电阻电容，钽电容等 。欢迎新老客户来电定货
;深圳市柯基特电子科技有限公司营业部;;专业代理 SAMSUNG MCU,电源IC,充电控制IC, MOS管，贴片电阻电容
;嘉兴市晶芯电子有限公司;;主营：粤晶高科，风华高科贴片三极管全系列，电容电阻全系列。 部分IC,MOS管
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
一颗芯片以及配套的读头模块，跟大陆各大智能卡厂家合作迅速扩大市场，行业客户遍布全国。2012年我们在场效应管领域推出500V，650V的高压MOS管晶圆，再次跟各大电源厂商紧密合作，选择瑞新选择质量的保证。 原厂