资讯
VIVO手机发布S16系列新机(2022-12-23)
器、LPDDR5内存、UFS3.1闪存,拥有4600mAh电池,支持66W快充、屏幕同样是6.78英寸2400×1080
OLED双曲面屏,支持120Hz刷新率。
影像方面,官方表示VIVO......
三星宣布大规模量产LPDDR5 uMCP产品(2021-06-16)
产品将旗舰智能手机上搭载的低功耗移动内存(LPDDR5)和UFS3.1接口的NAND闪存合二为一,为智能手机制造商提供高配置解决方案。
三星电子介绍,与之前的基于LPDDR4X 的UFS 2.2解决......
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP,可节约 55% 手(2023-10-11)
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP,可节约 55% 手;IT之家 10 月 11 日消息,国产厂商宣布推出 uMCP 系列产品,将内存和闪存集成到一个模块中,容量达 8GB......
车规级NAND主要厂商梳理(2023-10-24)
车规级NAND主要厂商梳理;1. 三星
市场份额:33.5%
主要产品:eMMC5.1/5.0、UFS4.0/3.1、SSD
主要进展:
UFS3.1覆盖128-512GB,均已量产出货
5月新......
慧荣推出专为AI手机设计的6纳米UFS 4.0主控(2024-03-14)
芯片系列中的旗舰款,以应对快速成长的AI智能手机、车用和边缘运算等高效能应用需求。另也宣布推出全新第二代UFS3.1控制芯片SM2753。
全球NAND闪存......
铠侠宣布第二代UFS4.0产品开始送样,适用于各种下一代移动应用(2023-06-01)
铠侠宣布第二代UFS4.0产品开始送样,适用于各种下一代移动应用;5月31日,存储大厂铠侠宣布第二代、更高性能的UFS4.0嵌入式闪存设备已开始送样。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度,适用......
中兴小鲜50官宣:紫光展锐6nm 5G国产芯片(2023-07-28)
热海报来看,中兴小鲜50将搭载紫光展锐T760 5G处理器,采用6nm EUV工艺,拥有A76*4+A55*4八核架构,集成ARM Mail G57
GPU,支持LPDDR4X内存、UFS3.1闪存,性能......
采用6nm工艺,紫光展锐推出全新5G芯片(2024-01-03)
小核,集成Mali G57 MC2(850MHz)GPU,支持FHD+@120Hz显示。还搭配HDR10、VRR、LPDDR4X2133MHz内存以及eMMC5.1/UFS3.1/UFS2.2闪存......
新交易案或对存储主控市场产生扰动(2023-06-28)
规模增长带动了数据存储主控芯片的市场需求。
据CFM闪存市场报告显示,2021年全球SSD控制器芯片总出货量约4.08亿颗。2022年,鉴于消费电子等下游需求下降等因素,全球主控芯片出货量有所下降,但......
为5G智能手机打造 西部数据发布第二代UFS 3.1移动存储新品(2021-08-12)
EU551嵌入式闪存器件,图片来源:西部数据
产品性能显著提升
据介绍,这款iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是西部数据公司在北京时间5月27日的闪存大会上推出的UFS3.1的平......
分区存储助力QLC应用到嵌入式存储设备(2023-02-15)
QLC闪存的成熟,QLC必然会应用到未来的嵌入式存储设备上,无论是厂商还是消费者,都要做好这个心理准备。事实上,今年(2022年)年初铠侠已经发布了基于QLC的UFS3.1产品。
QLC应用......
总投资1.2亿元 天极存储芯片封装项目投产(2022-03-07)
显示,天极集成电路年产闪存UFS3.1产品1000万只,BGA6000万只,半导体封装测试项目总投资1.2亿元。天极存储芯片封装项目从2021年12月8日首次接触,从签约到无尘车间完成装修、设备......
搭载第二代骁龙 7+,红米 Note 12 Turbo 正式发布(2023-03-29)
相同的 LPDDR5 + UFS3.1 高速内存/闪存,最大 16GB+1TB 存储。
除此之外红米品牌首次使用超扩散导流 VC 散热能力提升
35%,加入导流槽,增强蒸汽流动的方向性,提高......
CFMS2024:江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒(2024-03-12)
CFMS2024:江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒;备受瞩目的2024中国闪存市场峰会(简称"CFMS2024")将于3月20日在深圳盛大开幕。本届峰会以"存储周期 激发潜能"为主题,旨在......
CFMS2024:江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒(2024-03-12 14:54)
CFMS2024:江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒;备受瞩目的2024中国闪存市场峰会(简称"CFMS2024")将于3月20日在深圳盛大开幕。本届峰会以"存储周期 激发潜能"为主题,旨在......
联发科发布天玑7000系列首款新平台,采用台积电第二代4nm制程(2023-02-16)
实现更低功耗、更长续航。此外,天玑7200还支持Wi-Fi 6E和蓝牙5.3。
天玑7200的特性还包括,支持6400Mbps LPDDR5内存和UFS3.1闪存;MediaTek......
存储价格三季度将全面企稳,部分产品将迎来上涨(2023-06-29)
否认,目前原厂库存水位仍然高企,整个存储市场仍然供过于求,尤其是技术成熟、产能占比较大的DDR4、LPDDR4/4x、SSD、UFS3.1等产品,因此这部分产品的供应与需求端预计Q3将继续博弈,整体......
产业现状冰火交织,国产存储新势力如何破局发展?(2024-11-05)
满足高端应用市场需求。资料显示,时创意512GB UFS3.1嵌入式闪存芯片已于2023年底实现全面量产,该款产品针对AI及旗舰智能手机领域,具有高速率、稳定兼容、耐用可靠性强等特点。据悉,今年11月,时创......
天玑8200果然很能打,iQOO Neo7 SE神机实测预定同级产品之王(2022-12-09 15:54)
-A78核心和4颗2.0 GHz的Cortex-A55能效核心。同时,天玑8200支持UFS3.1闪存和四通道LPDDR5内存。
天玑8200 GPU部分搭载Arm Mali-G610六核GPU......
助力数字化可持续未来!美光科技首次亮相上海进博会,展示创新内存和存储解决方案(2023-11-08)
技术节点的迭代、以及对于OCP、OME协议的支持。而6500 ION NVMe固态硬盘同样是基于QLC 232层NAND闪存颗粒,能够在QLC的成本上提供媲美TLC的性......
要说近两年什么手机最火? 那必定是折叠屏手机了(2023-01-15)
配置上,vivoXFold搭载新一代骁龙8G1,而vivoXFold+则搭载了新一代骁龙8+,配合超频版UFS3.1闪存和增强版LPDDR5运存,vivoXFold系列写入、读取更快。在影像方面,与蔡......
国产存储新势力半年完成超6亿元战略融资,时创意凭什么?(2023-11-07)
半导体观察与国内存储模组厂商代表时创意董事长倪黄忠先生展开了深度对话。
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追赶原厂技术
时创意量产全新自研自造UFS3.1产品
倪黄忠先生介绍,行业发展前期,模组厂商缺乏技术积累,与原厂存在较大差距。随着......
美光量产全球首款基于LPDDR5 DRAM的多芯片封装产品(2020-10-21)
宣布量产业界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5) DRAM的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品uMCP5。美光uMCP5将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中,使智......
国内某大厂的智驾、座舱、泊车三合一域控制器拓朴分析(2024-01-29)
刚量产,UFS2.1最大读出速度为850MB/s,UFS3.1是1700MB/s,UFS2.1最大连续写入是260MB/s,UFS3.1是1400MB/s。UFS选择的是三星的KLUEG8UHYB......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层,削减非旗舰库存(2023-08-30)
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层,削减非旗舰库存;
【导读】据etnews报道,三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺,采取......
小米领投丨时创意获超3.4亿元B轮战略融资(2023-11-13)
UFS3.1存储芯片的全面量产,UFS3.1顺序读写速度分别达到2100MB/s、1700MB/s,并预计将于明年实现1TB容量UFS3.1的量产。公司始终冲在前沿技术探索与先进产品创新的第一线,打造......
200层以上!三星第八代V-NAND闪存要来了?(2021-06-09)
200层以上!三星第八代V-NAND闪存要来了?;6月8日韩媒消息,三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。
Jaihyuk Song透露,三星......
月产25万片12英寸晶圆 三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产(2022-04-02)
月产25万片12英寸晶圆 三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产;据BusinessKorea 4月1日报道,三星电子最近在中国西安完成了第二座NAND闪存工厂的扩建,并开始全面生产。继2021年底......
西安三星半导体12英寸闪存芯片扩建项目进入主体施工阶段(2023-12-12)
西安三星半导体12英寸闪存芯片扩建项目进入主体施工阶段;据中建钢构消息,11月27日,三星(中国)半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块首吊,标志着项目正式进入主体施工阶段。
三星(中国......
三星加大NAND闪存减产力度,预计年底达50%(2023-09-13)
三星加大NAND闪存减产力度,预计年底达50%;
【导读】据电子时报报道,业内人士透露,三星电子已加大NAND闪存减产力度,预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来,三星......
三星闪存每个季度都要涨价20%(2023-11-03)
三星闪存每个季度都要涨价20%;据多位半导体产业人士透露,三星将在今年第四季度将NAND闪存芯片的报价提高10-20%,明年第一和第二季度分别还要涨20%。
按照这个速度下去,预计一年之后,三星闪存......
平台的全新巨屏小米平板6 Max 14。性能出色的第一代骁龙8+与LPDDR5X内存和UFS3.1闪存组成性能铁三角,无论是移动办公还是大屏游戏,都能从容应对。在游戏方面,小米平板6 Max 14支持......
。性能出色的第一代骁龙8+与LPDDR5X内存和UFS3.1闪存组成性能铁三角,无论是移动办公还是大屏游戏,都能从容应对。在游戏方面,小米平板6 Max 14支持重载游戏接近满帧运行,游戏......
NAND闪存三十五年,看得见与看不见的“江湖春秋”(2022-10-19)
芝也并未完全将其束之高阁,还是保留了少部分研发人员持续跟进。作为这个行业先驱,东芝拥有领先的技术优势,更重要的是,当时这个市场中的玩家,只有美国的英特尔和韩国的三星两家。
1991年东芝发布了全球首个4MB NAND闪存......
突发!三星计划NAND闪存涨价20%(2024-03-13)
突发!三星计划NAND闪存涨价20%;
【导读】据朝鲜日报报道,三星电子计划将NAND闪存价格提高20%,该公司决定与大客户重新谈判,以获得公平的价格,并将NAND闪存......
减产策略奏效,三星短期内将持续调涨NAND Flash价格(2023-11-07)
减产策略奏效,三星短期内将持续调涨NAND Flash价格;
【导读】据台媒《科技新报》报道,存储大厂三星在2023年第二季起就开始削减DRAM芯片和NAND Flash闪存的产量,以应......
全球两大存储厂新消息!(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息!;近日,三星、铠侠两大存储厂公布新消息:三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。
三星开始量产第9代V-NAND
4月23日,三星......
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务(2022-12-14)
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务;据国外媒体报道,7nm及5nm制程工艺量产时间稍晚、3nm制程工艺率先量产的三星电子,是台......
紧追 SK 海力士,三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存(2022-08-17)
紧追 SK 海力士,三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道,三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外,它还......
外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心(2022-08-18)
外媒:三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道,三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外,三星还计划在本月开设一个新的研发中心,该中......
外媒:三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存(2022-02-10)
外媒:三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存;据businesskorea报道,三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。
businesskorea引述......
国产闪存受阻:三星马上涨价!(2022-12-21)
国产闪存受阻:三星马上涨价!;
【导读】近日,国产存储芯片遭受打压,几乎是同一时间,三星就开始涨价了!
近日,国产存储芯片遭受打压,几乎......
NAND闪存复苏缓慢,三星、海力士继续削减!(2023-08-19)
NAND闪存复苏缓慢,三星、海力士继续削减!;
【导读】NAND闪存需求的缓慢复苏使包括三星电子和SK海力士在内的半导体行业陷入困境。这是因为人工智能(AI)行业的增长导致DRAM盈利......
全球存储市场在竞争什么?(2023-02-03)
全球存储市场在竞争什么?;近日,据韩媒《BusinessKorea》报道,三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别连续30年和20年保持第一的位置。
同时,各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓(2024-06-19)
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓;
【导读】据The Chosun Daily报道,韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
全球两大存储厂新消息!(2024-04-25)
全球两大存储厂新消息!;近日,、两大厂公布新消息:量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址:开始量产第9代V-NAND
4月23日,三星电子宣布,其1Tb TLC第9代......
西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%(2022-02-28)
西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%;据陕西日报2月27日报道,随着三星(中国)半导体有限公司(以下简称“西安三星半导体”)12英寸闪存芯片二期项目建成投产,西安三星半导体闪存......
三星明年将推300层以上V-NAND(2023-10-20)
三星明年将推300层以上V-NAND;存储器大厂三星分享 V-NAND(即 3D NAND)发展计划,证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存,这将......
NAND市场增长,消息称三星西安半导体工厂开启工艺升级,正备产 236 层 NAND(2023-10-24)
也在取得豁免后,开始确实采取相应措施。消息指出,三星高层已决定将其为在西安 NAND Flash 闪存工厂升级到236层堆栈的技术,并准备开始大规模扩产动作。
三星......
存储大厂技术之争愈演愈烈(2024-04-16)
存储大厂技术之争愈演愈烈;AI、大数据等应用催生海量存储数据需求,也对存储技术提出了更高要求,这一背景下,存储大厂技术竞争愈演愈烈。
闪存方面,大厂聚焦层数突破。近期,韩媒报道,三星......
相关企业
;深圳市南方星电子有限责任公司;;南方星电子有限公司多年从事IC产品的代理服务。专业代理韩国现代(HYNIX)MEMEORY和FLASH、三星(SAMSUNG)、INTEL,镁光、东芝等NAND
行业的经营和经验积累,我公司与众多国际知名品牌闪存卡厂商包括 SANDSIK,东芝,三星,创建,LEXAR等品牌公司建立合作关系,欢迎有需要的公司来我司业务洽谈。
市宝安区福永怀德富德大厦712询价EMAIL:1084456689@qq.com 网址:HTTP://WWW.IC58.CN三星半导体产品主要有三星芯片,三星闪存芯片,三星电子元器件,SAMSUNG半导
场上流行的亦只有日本及美国的品牌。我们展望未来,看准韩国三星半导体(Samsung Semiconductor)在市场上的快速发展.确立了与三星的长期合作关系。三星半导体于1993年在总裁李健熙带领底下进行历时十年的 「新经营」成功
芯片的市场上的销量仅仅增长了5.1%,总的年销量方面仅从2005年的15亿美元增长为16亿美元。飞索半导体在销量方面的优异表现让公司在闪存市场上一跃而上位居第三了。但状元三星
;天恒电子科技有限公司;;本公司长期专业现金收购厂家、个人积压或过剩库存以及海关拍卖的电子元器件。1.三星和诺基亚及国产手机等手机的字库,中频,电源, 功放,FLASH,手机摄像头,CPU,手机
;江建发;;本公司批发数码闪存卡主要产品:SD-MINI-SD MS CF TF 等数码 联系方式:13148865786 15818754614 江先生 主营:闪存卡;SD卡;MS卡;MINI
、MICRON等世界著名品牌电子元器件厂商有着紧密合作, 长期优势供应摄相头IC,蓝牙IC,灯控IC,电源IC,闪存IC和触摸屏IC等,产品广泛用于诺基亚, 三星, 摩托罗拉, 索爱
;深圳瑞通晟科技有限公司;;深圳瑞通晟科技有限公司是深圳生产和销售闪存卡的专业公司电子公司,公司集研发、生产、贸易于一体,技术力量雄厚,管理科学。始终秉持着品质优秀、技术创新、诚信
;深圳市金道电子有限公司;;本公司专业手机商务电池 闪存卡 读卡器 液晶保护膜.闪存卡主要类别有TF CF SD MMC RSMMC MINISD PSP WII SDHC 座充 旅行充 直线 线充.