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器、LPDDR5内存、UFS3.1闪存，拥有4600mAh电池，支持66W快充、屏幕同样是6.78英寸2400×1080 OLED双曲面屏，支持120Hz刷新率。 影像方面，官方表示VIVO......
产品将旗舰智能手机上搭载的低功耗移动内存（LPDDR5）和UFS3.1接口的NAND闪存合二为一，为智能手机制造商提供高配置解决方案。 三星电子介绍，与之前的基于LPDDR4X 的UFS 2.2解决......
佰维推出 LPDDR5 + UFS3.1 集成产品 uMCP，可节约 55％ 手;IT之家 10 月 11 日消息，国产厂商宣布推出 uMCP 系列产品，将内存和闪存集成到一个模块中，容量达 8GB......
车规级NAND主要厂商梳理;1. 三星 市场份额：33.5% 主要产品：eMMC5.1/5.0、UFS4.0/3.1、SSD 主要进展： UFS3.1覆盖128-512GB，均已量产出货 5月新......
芯片系列中的旗舰款，以应对快速成长的AI智能手机、车用和边缘运算等高效能应用需求。另也宣布推出全新第二代UFS3.1控制芯片SM2753。 全球NAND闪存......
铠侠宣布第二代UFS4.0产品开始送样，适用于各种下一代移动应用;5月31日，存储大厂铠侠宣布第二代、更高性能的UFS4.0嵌入式闪存设备已开始送样。以小封装尺寸提供快速的嵌入式存储传输速度，适用......
热海报来看，中兴小鲜50将搭载紫光展锐T760 5G处理器，采用6nm EUV工艺，拥有A76*4+A55*4八核架构，集成ARM Mail G57 GPU，支持LPDDR4X内存、UFS3.1闪存，性能......
小核，集成Mali G57 MC2（850MHz）GPU，支持FHD+@120Hz显示。还搭配HDR10、VRR、LPDDR4X2133MHz内存以及eMMC5.1/UFS3.1/UFS2.2闪存......
规模增长带动了数据存储主控芯片的市场需求。 　　据CFM闪存市场报告显示，2021年全球SSD控制器芯片总出货量约4.08亿颗。2022年，鉴于消费电子等下游需求下降等因素，全球主控芯片出货量有所下降，但......
EU551嵌入式闪存器件，图片来源：西部数据 产品性能显著提升 据介绍，这款iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是西部数据公司在北京时间5月27日的闪存大会上推出的UFS3.1的平......
QLC闪存的成熟，QLC必然会应用到未来的嵌入式存储设备上，无论是厂商还是消费者，都要做好这个心理准备。事实上，今年（2022年）年初铠侠已经发布了基于QLC的UFS3.1产品。 QLC应用......
显示，天极集成电路年产闪存UFS3.1产品1000万只，BGA6000万只，半导体封装测试项目总投资1.2亿元。天极存储芯片封装项目从2021年12月8日首次接触，从签约到无尘车间完成装修、设备......
相同的 LPDDR5 + UFS3.1 高速内存/闪存，最大 16GB+1TB 存储。 除此之外红米品牌首次使用超扩散导流 VC 散热能力提升 35%，加入导流槽，增强蒸汽流动的方向性，提高......
CFMS2024：江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒;备受瞩目的2024中国闪存市场峰会（简称"CFMS2024"）将于3月20日在深圳盛大开幕。本届峰会以"存储周期 激发潜能"为主题，旨在......
CFMS2024：江波龙解码如何打破存储模组厂的经营魔咒;备受瞩目的2024中国闪存市场峰会（简称"CFMS2024"）将于3月20日在深圳盛大开幕。本届峰会以"存储周期 激发潜能"为主题，旨在......
实现更低功耗、更长续航。此外，天玑7200还支持Wi-Fi 6E和蓝牙5.3。 天玑7200的特性还包括，支持6400Mbps LPDDR5内存和UFS3.1闪存；MediaTek......
否认，目前原厂库存水位仍然高企，整个存储市场仍然供过于求，尤其是技术成熟、产能占比较大的DDR4、LPDDR4/4x、SSD、UFS3.1等产品，因此这部分产品的供应与需求端预计Q3将继续博弈，整体......
满足高端应用市场需求。资料显示，时创意512GB UFS3.1嵌入式闪存芯片已于2023年底实现全面量产，该款产品针对AI及旗舰智能手机领域，具有高速率、稳定兼容、耐用可靠性强等特点。据悉，今年11月，时创......
-A78核心和4颗2.0 GHz的Cortex-A55能效核心。同时，天玑8200支持UFS3.1闪存和四通道LPDDR5内存。 天玑8200 GPU部分搭载Arm Mali-G610六核GPU......
技术节点的迭代、以及对于OCP、OME协议的支持。而6500 ION NVMe固态硬盘同样是基于QLC 232层NAND闪存颗粒，能够在QLC的成本上提供媲美TLC的性......
配置上，vivoXFold搭载新一代骁龙8G1，而vivoXFold+则搭载了新一代骁龙8+，配合超频版UFS3.1闪存和增强版LPDDR5运存，vivoXFold系列写入、读取更快。在影像方面，与蔡......
半导体观察与国内存储模组厂商代表时创意董事长倪黄忠先生展开了深度对话。 1 追赶原厂技术 时创意量产全新自研自造UFS3.1产品 倪黄忠先生介绍，行业发展前期，模组厂商缺乏技术积累，与原厂存在较大差距。随着......
宣布量产业界首款基于低功耗DDR5(LPDDR5) DRAM的通用闪存存储(UFS)多芯片封装产品uMCP5。美光uMCP5将高性能、高密度及低功耗的内存和存储集成在一个紧凑的封装中，使智......
刚量产，UFS2.1最大读出速度为850MB/s，UFS3.1是1700MB/s，UFS2.1最大连续写入是260MB/s，UFS3.1是1400MB/s。UFS选择的是三星的KLUEG8UHYB......
三星平泽P1厂将128层NAND闪存产线转为236层，削减非旗舰库存; 【导读】据etnews报道，三星电子正在将平泽P1工厂的NAND闪存生产线从128层工艺转换为236层工艺，采取......
UFS3.1存储芯片的全面量产，UFS3.1顺序读写速度分别达到2100MB/s、1700MB/s，并预计将于明年实现1TB容量UFS3.1的量产。公司始终冲在前沿技术探索与先进产品创新的第一线，打造......
200层以上！三星第八代V-NAND闪存要来了？;6月8日韩媒消息，三星执行副总裁兼闪存负责人Jaihyuk Song介绍了三星闪存芯片业务最新进展。 Jaihyuk Song透露，三星......
月产25万片12英寸晶圆 三星西安NAND闪存二厂完成扩建并投产;据BusinessKorea 4月1日报道，三星电子最近在中国西安完成了第二座NAND闪存工厂的扩建，并开始全面生产。继2021年底......
叠NAND Flash闪存技术的开发。同时，三星也自上个月开始，将这项先进技术转移到其平泽园区一号工厂中大规模生产线。而这一重要的里程碑的达成，将使得三星处于NAND Flash技术的领先位置，将有......
西安三星半导体12英寸闪存芯片扩建项目进入主体施工阶段;据中建钢构消息，11月27日，三星（中国）半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块首吊，标志着项目正式进入主体施工阶段。 三星（中国......
三星加大NAND闪存减产力度，预计年底达50%; 【导读】据电子时报报道，业内人士透露，三星电子已加大NAND闪存减产力度，预计到2023年底减产幅度将达到50%。今年下半年以来，三星......
三星闪存每个季度都要涨价20％;据多位半导体产业人士透露，三星将在今年第四季度将NAND闪存芯片的报价提高10-20％，明年第一和第二季度分别还要涨20％。 按照这个速度下去，预计一年之后，三星闪存......
芝也并未完全将其束之高阁，还是保留了少部分研发人员持续跟进。作为这个行业先驱，东芝拥有领先的技术优势，更重要的是，当时这个市场中的玩家，只有美国的英特尔和韩国的三星两家。 1991年东芝发布了全球首个4MB NAND闪存......
平台的全新巨屏小米平板6 Max 14。性能出色的第一代骁龙8+与LPDDR5X内存和UFS3.1闪存组成性能铁三角，无论是移动办公还是大屏游戏，都能从容应对。在游戏方面，小米平板6 Max 14支持......
。性能出色的第一代骁龙8+与LPDDR5X内存和UFS3.1闪存组成性能铁三角，无论是移动办公还是大屏游戏，都能从容应对。在游戏方面，小米平板6 Max 14支持重载游戏接近满帧运行，游戏......
突发！三星计划NAND闪存涨价20%; 【导读】据朝鲜日报报道，三星电子计划将NAND闪存价格提高20%，该公司决定与大客户重新谈判，以获得公平的价格，并将NAND闪存......
减产策略奏效，三星短期内将持续调涨NAND Flash价格; 【导读】据台媒《科技新报》报道，存储大厂三星在2023年第二季起就开始削减DRAM芯片和NAND Flash闪存的产量，以应......
全球两大存储厂新消息！;近日，三星、铠侠两大存储厂公布新消息：三星量产第9代V-NAND、铠侠新一代UFS 4.0闪存芯片出样。 三星开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星......
机构称三星晶圆代工业务Q3营收55.8亿美元 首次超过NAND闪存业务;据国外媒体报道，7nm及5nm制程工艺量产时间稍晚、3nm制程工艺率先量产的三星电子，是台......
NAND技术的开发，并已于上月开始将这项先进技术转移到平泽园区一号工厂的大规模生产线上。 业界认为，这一突破将使三星处于NAND闪存技术的前沿，并准备与其他存储厂商展开竞争。 三星......
紧追 SK 海力士，三星电子将在今年推出 236 层 NAND 闪存;据 BusinessKorea 报道，三星电子将在今年内发布 236 层 NAND 闪存产品。此外，它还......
外媒：三星计划本月开设NAND闪存新研发中心;据外媒《BusinessKorea》8月17日报道，三星预计将在今年内发布236层NAND闪存产品。此外，三星还计划在本月开设一个新的研发中心，该中......
外媒：三星将在2022年底推出200层以上第8代NAND闪存;据businesskorea报道，三星电子将在2022年底推出200层以上的第8代NAND闪存。 businesskorea引述......
国产闪存受阻：三星马上涨价！; 【导读】近日，国产存储芯片遭受打压，几乎是同一时间，三星就开始涨价了！ 近日，国产存储芯片遭受打压，几乎......
NAND闪存复苏缓慢，三星、海力士继续削减！; 【导读】NAND闪存需求的缓慢复苏使包括三星电子和SK海力士在内的半导体行业陷入困境。这是因为人工智能（AI）行业的增长导致DRAM盈利......
全球存储市场在竞争什么？;近日，据韩媒《BusinessKorea》报道，三星电子在全球DRAM和NAND闪存市场分别连续30年和20年保持第一的位置。 同时，各大厂商多年来孜孜不倦地追求闪存......
NAND原厂齐增产引业界担忧涨势放缓; 【导读】据The Chosun Daily报道，韩国芯片制造商三星电子和SK海力士以及日本的铠侠一直在提高NAND闪存芯片的产量。这一......
全球两大存储厂新消息！;近日，、两大厂公布新消息：量产第9代V-NAND、新一代UFS 4.0闪存芯片出样。本文引用地址：开始量产第9代V-NAND 4月23日，三星电子宣布，其1Tb TLC第9代......
西安三星半导体占全世界闪存芯片产能超过10%;据陕西日报2月27日报道，随着三星（中国）半导体有限公司（以下简称“西安三星半导体”）12英寸闪存芯片二期项目建成投产，西安三星半导体闪存......
三星明年将推300层以上V-NAND;存储器大厂三星分享 V-NAND（即 3D NAND）发展计划，证实 2024 年将生产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，这将......

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