为满足市场对5G智能手机存储提出的新需求，8月5日，西部数据举办媒体发布会，宣布推出其用于5G智能手机的第二代UFS 3.1存储解决方案——西部数据iNANDTM MC EU551嵌入式闪存器件。这款新产品可提供超高分辨率相机、增强现实/虚拟现实、游戏和8K视频等新兴应用所需的高性能存储。

西部数据iNAND MC EU551嵌入式闪存器件，图片来源：西部数据

产品性能显著提升

据介绍，这款iNAND MC EU551嵌入式闪存器件是西部数据公司在北京时间5月27日的闪存大会上推出的UFS3.1的平台基础上的全新产品。iNAND MC EU551嵌入式闪存器件采用更高性能的NAND、更高效的控制器和优化的固件设计。

相比西部数据上一代UFS3.1产品，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件的产品性能显著提升：随机读取性能提升约100%，随机写入性能提升约40%，有助于支持混合工作负载体验，例如同时运行多个应用；顺序写入性能提升约90%，有助于达到新的5G和Wi-Fi 6的下载速度；顺序读取性能提升约30%4，通过缩短启动时间以更快启动应用，实现更快的上传速度。

西部数据表示，该产品旨在满足JEDEC UFS 3.1规范要求，并采用基于西部数据第七代SmartSLC^TM的领先的Write Booster技术。产品还支持Host Performance Booster 2.0版本，进一步融合了JEDEC标准的全新进展。

此外，iNAND MC EU551顺应手机客户对封装的要求，采用VBGA 11.5×13.0mm封装，拥有双电压、热保护、写入加速器以及HBP2.0（主机性能加速器）等加持，工作温度范围覆盖-25℃-85℃，同时强化了健康报告功能，帮助客户及时排除设备问题及管理存储器磨损等情况。

容量方面，iNAND MC EU551嵌入式闪存器件覆盖了目前智能手机最主流的128G、256GB，同时最高容量达512GB，兼顾了未来容量进一步扩大的发展趋势。

西部数据公司产品市场部高级产品市场经理宋学红表示，虽然市面上已出现ITB容量产品，但是1TB容量在手机市场上占比仍非常小，目前最主流的仍是128GB、256GB。至于1TB什么时候成为主流，他认为可能还需要一点时间。

智能手机率先搭载量产

“智能手机已经成为我们生活中不可或缺的一部分。随着高速5G网络、创新传感器和人工智能的应用普及，我们对手机的平均容量和处理多媒体应用的高性能需求都在不断增长。”西部数据公司汽车、移动和新兴市场事业部高级副总裁Huibert Verhoeven发布会上说道。

如今，手机已成为具备多传感器的内容平台，面临着多样化的工作负载，集成越来越多的多媒体应用，多媒体应用的分辨率也越来越高，5G通信也将催生更多的手机应用，都将持续要求存储性能更高、容量更大、时延更小以及可靠性更高。

iNAND MC EU551嵌入式闪存器件作为西部数据iNAND系列产品的新成员，可为5G智能手机上数据丰富的多媒体应用提供所需的性能和容量。

西部数据方面表示，十多年来，iNAND系列产品一直深受全球主要智能手机制造商的信任，公司持续深耕移动生态系统领域，与领先的SoC系统设计人员合作，在智能手机的参考设计中验证其UFS 3.1解决方案，从而为制造商提供经过测试的解决方案。

在发布会上，西部数据公司中国区智能终端产品事业部高级销售总监文芳透露，该款新产品在研发时就开始与客户沟通，在产品性能上与客户做匹配，目前手机领域头部客户都在用，但具体不便透露，至于搭载iNAND MC EU551的手机产品何时面市则以客户发布的时间为准。

目前，西部数据iNAND MC EU551 UFS 3.1嵌入式闪存器件（EFD）样品现已开始供货。

文芳表示，这款新产品不仅可应用于智能手机上，还可用于更多应用领域，由于智能手机对存储要求较高，是比较前沿的应用产品，所以率先在智能手机应用量产，接下来其他应用也将逐步跟上。

与铠侠联合研发投入高达180亿美元

在媒体提问环节，宋学红指出，iNAND MC EU551这款新产品的性能提升，基于西部数据领先的闪存技术，具体得益于三个方面。

首先是NAND方面，即NAND Array和外围电路两部分都做了调校和优化，整体提升了产品的I/O性能；第三个则是采用了新一代西部数据自研Controller主控芯片，较上一代主控芯片有了较大幅度的提升，包括制程、速度以及内部RAM设计等。

据了解，作为一家同时拥有HDD和Flash研发技术的公司，全球数据有超过40%存储在西部数据的产品上。在技术层面，西部数据联合铠侠（Kioxia）公司在过去10年间联合研发的投入高达180亿美元。

今年2月，西部数据与铠侠共同推出了第六代162层BiCS 3D NAND。相比上一代，六代162层BiCS 3D NAND每片晶圆的存储位增加约70%，横向密度增加约10%，芯片尺寸减少约40%，相应地每层密度提高从而大幅降低了单位比特成本。

162层的堆栈层数并非目前业界最多，但西部数据方面认为，“存储密度并非层数竞争”，闪存行业发展至3D时代，更多层不等同于更先进，完整的NAND等式应该是更多层叠加每层更高效率。

封面图片来源：拍信网