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研发客服2月28日，存储大厂美光科技宣布已开始提供升级版UFS4.0样品，采用232层3D NAND技术，可提供256GB、512GB和1TB三种容量。
自去年6月推出11mm x 13mm封装规格的UFS4.0解决方案后，美光进一步缩小UFS4.0的外形规格以实现更紧凑的9mm x 13mm托管型NAND封装。
性能上，美光UFS4.0的顺序读取速度和顺序写入速度分别高达4300MBps和4000MBps，较前代产品相比性能提升一倍，据悉，生成式AI应用中的大语言模型加载速度可提高40%。
此次增强版UFS4.0基于美光去年量产的UFS4.0产品，美光通过专有固件创新，提高了移动闪存存储的标准，其中包括高性能模式(HPM)、一键刷新(OBR)、分区UFS(ZUFS)。
美光增强版UFS4.0现已出样，并提供256GB、512GB和1TB的容量选项。
封面图片来源：拍信网
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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