据中建钢构消息，11月27日，三星（中国）半导体12英寸闪存芯片M-FAB项目模块首吊，标志着项目正式进入主体施工阶段。

三星（中国）半导体公司二期项目位于西安市长安区西太路综合保税区，由三星（中国）半导体有限公司投资建设，总建筑面积约10.7万平方米。项目建成投产后，将成为全球规模最大的闪存芯片生产基地。

资料显示，三星在中国大陆的西安、苏州拥有存储芯片工厂。其中，西安工厂是三星在华最大投资项目，主要制造3D NAND闪存芯片。据了解，目前三星西安工厂已成为世界上最大的NAND制造基地，约占了三星NAND总产量的40%。

据公开数据，三星（中国）半导体有限公司2012年落户西安高新区。据陕西日报指出，西安三星半导体作为陕西目前最大的外商投资项目，从落户陕西至今已开展了两期项目的投资建设。

项目一期于2012年9月开工建设，于2014年5月建成投产。投资总额由建厂时计划的70亿美元增加到实际完成投资108.7亿美元，其中闪存芯片项目投资100亿美元，封装测试项目投资8.7亿美元。

2017年8月30日，西安三星半导体投资70亿美元在西安高新区建设12英寸闪存芯片二期项目，新建一条闪存生产线。

2019年12月，西安三星半导体决定再投资80亿美元，拟对二期项目进行扩建，实现增产及产品的升级换代。二期项目已于2021年全面建成投产。

2022年10月，三星（中国）半导体公司12英寸闪存芯片M-Fab项目审核通过，已于今年一季度开工。据悉，该扩建项目投产后，届时将增产2.8万片/月，二期项目产能可达16.9万片/月。

据外媒2023年10月消息，三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。三星已开始采购最新的半导体设备，新设备预计将在2023年底交付，并于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。

此前消息称，美国同意三星电子和SK海力士向其位于中国的工厂提供设备，无需其他许可。

此外，西安市发改委今年4月印发的《西安市数字经济高质量发展实施计划》提到，到2024年，全市人工智能相关产业产值达到500亿元；加快推动三星闪存芯片、奕斯伟硅产业基地、龙腾8英寸功率半导体制造项目等重大集成电路项目建设。到2024年，全市集成电路产业规模达到1800亿元。

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