资讯
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
流过电流，同时CE电压下降。CE电压下降过程中，门极电压不再上升，而是维持在一定的电压平台上，称为米勒平台。在这期间，CE电压完全降至0V。随后GE电压继续上升至15V，至此整个开通过程完成。
IGBT......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
时刻，MOS进入了饱和区。
在Id上升至最大（t2结束），即刻就进入了米勒平台时期。米勒平台就是Vgs在一段时间几乎维持不动的一个平台。前面说了，从t2开始时刻，MOS进入了饱和区，在饱和有转移特性：Id......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
接影响在设计合适的栅极驱动电路时必须考虑的几个重要动态特性：特别是导通电阻、栅极电荷（米勒平台区域）和过流 (DESAT) 保护。
2、导通电阻
作为 WBG 半导体，SiC MOSFET 在给......
IGBT驱动电路介绍(2024-02-29)
电流对Cge和Cgc电容充电，随着Vce缓慢变化成稳态电压，米勒电容也随着电压的减小而增大。Vge仍旧维持在米勒平台上。
第5阶段：这个时候栅极电流继续对Cge充电，Vge电压开始上升，整个IGBT完全......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
电容：
输入电容Cies和米勒电容Cres对栅极的驱动特性影响较大，其中，米勒电容还是驱动电压Vge
米勒平台
的始作俑者，如下......
如何优化SiC MOSFET的栅极驱动？这款IC方案推荐给您(2023-07-20)
计适当的栅极驱动电路时必须考虑这些影响，包括导通电阻、栅极电荷（米勒平台）和过电流（DESAT）保护。
二 导通电阻
在低VGS时，一些SiC器件的导通电阻与结温特性之间的关系曲线看起来是抛物线*（由于内部器件特性的组合）。(*这适......
正确理解驱动电流与驱动速度(2022-01-27)
时门极驱动电压和驱动电流的简化时序图。t1 到 t2 这段时间是门 极驱动的源电流(IO+)从零开始到峰值电流的建立时间。在 t3 时刻，门极电压达到米勒平台，源电流开始给 MOSFET 的米勒电容充电。在 t4 时刻，米勒......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
用具有几千瓦 (kW) 到一兆瓦 (MW) 甚至更高的 功率水平。SiC MOSFET 和 IGBT 的应用具有相似的功 率水平，但随着频率的增加而产生差异，如图 1 所示。SiC MOSFET 在功......
安森美全新SiC MOSFET模块方案实现高性能充电方案(2021-06-09)
/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。
NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。该高电流器件（在米勒平台......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
首先表现在饱和电流随VDS上升而上升，其次表现在栅极电荷曲线中的米勒平台段呈斜线。从图中计算得出SiC的QGD需要将VDS与栅极电荷曲线叠加在一起，通过限定边界条件的方式得出。
来源：，赵佳......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
因素：
1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
图1 功率开通过程
2）功率输出电容COSS储存......
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片(2024-06-24)
基本半导体推出支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片;
【导读】相较于硅MOSFET和硅IGBT，碳化硅MOSFET具有更快的开关速度、导通电阻更低、开启电压更低的特点，越来......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135;
ADuM4135是一款单通道栅极驱动器，专门针对驱动绝缘栅双极晶体管(IGBT)进行了优化。ADI公司......
英飞凌推出2300 V隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器(2021-06-08)
/dt，以期达到满足相应EMI要求下整体开关损耗降低的目的。
米勒钳位
处在上下桥结构中的两个IGBT，一般总是交错导通，如果同时导通会发生桥臂直通的短路，引起炸机。当其中一个管子工作在关断状态下，而另一个由于经过开通过程会产生......
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器(2022-10-14)
保护IGBT免受逆变器应用中产生的过流损坏。米勒钳位功能可绕过IGBT接地时产生的米勒电流来抑制栅极电位升高和IGBT故障。TLP5212需要通过输入侧信号从关机保护重置到正常工作状态，TLP5222则可......
焊点气泡（空洞）的危害及其产生原因分析(2023-12-31 21:26:32)
焊点气泡（空洞）的危害及其产生原因分析;
电子制造工艺技术大全（海量......
示波器实验系统出现误差，原因哪有哪几种(2023-01-31)
示波器实验系统出现误差，原因哪有哪几种;示波器是用来测量交流电或脉冲电流波的形状的仪器，由电子管放大器、扫描振荡器、阴极射线管等组成。那么示波器实验系统误差产生原因哪有哪几种?
示波......
现代工业电机驱动中如何可靠地实现短路保护的问题(2022-12-19)
去饱和检测、米勒箝位和其它IGBT保护功能)。在电机相位之间，或在电机相位和负直流总线之间手动开关短路，进行短路测试。本例中未测试短路至地。
图4. 实验设置
控制器和电源板如图5所示。它们均为ADI......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
模块的单面热阻抗测试方法，并成功实现X模块的双面与单面热阻测试，最后对比单面与双面热阻值、实测值与仿真值之间的差异，并讨论差异的产生原因与修正手段。
在论文中提出一种适用于双面散热汽车IGBT模块......
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器(2013-03-20)
飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器;飞兆半导体推出了具有有源米勒箝位功能的FOD8318智能栅极驱动光电耦合器。 该器件是一个先进2.5A的输出电流IGBT......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程中，米勒电流产生噪声或引起这些功率器件故障的现象。......
东芝推出智能栅极驱动光耦，有助于简化功率器件的外围电路设计(2022-08-31)
功率器件在启动上下桥臂功率器件的开关过程中，米勒电流产生噪声或引起这些功率器件故障的现象。......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
双低边驱动芯片NSD1025在开关电源应用中有何优势(2021-03-15)
之间，以帮助减小开关损耗,并为MOSFET提供足够的驱动电流，以跨过米勒平台区域，实现快速打开。在开关MOSFET的时候，有一个高di/dt的脉冲产生，这种快速变化与寄生电感共同作用，产生......
功率分析仪维修测量值不显示或不准确(2023-03-06)
功率分析仪维修测量值不显示或不准确;功率分析仪的电压、电流的测量值无显示或者不正确，通常出现这种问题，一般是由于三种情况产生的。分别如下所示:
1．参数出现“---OL---"，没有读数
产生原因......
电源设计必学电路之驱动篇(2024-04-22)
半桥电路的控制要求。
2、IGBT驱动
IGBT常被用于中大功率数字电源开发，其驱动电压范围为-15~15V。IGBT驱动电路分为正压驱动和负压驱动，两者的区别在于关断时的门极电位。采用负压关断可以避免因米勒电容对门极电压的抬升作用而产生......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
到高耐压与高效率的要求，通常选用SiC MOSFET而非Si IGBT作为开关管。OBC的PFC及与DCDC级的原边侧都需使用SiC MOSFET，如图5所示。图6展示了以400V电压平台，11kW双向OBC为例......
高压护航，性能领先！纳芯微推出智能隔离驱动NSI67X0系列(2024-12-11 11:00)
高压护航，性能领先！纳芯微推出智能隔离驱动NSI67X0系列;纳芯微正式推出具有隔离模拟采样功能的智能隔离驱动 NSI67X0 系列，该系列适用于驱动 SiC、IGBT 和 MOSFET 等功......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
ADUM4137数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:41)
值）和高于 GND 2 时实现可靠的 IGBT 关闭。可以在进行或不进行米勒箝位操作的情况下使用单极次级电源工作。
如果开启后栅极电压未在允许的时间内 (t DVL ) 上升到内部阈值 (V DVL......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
进一步打开mos管。同理我们都知道电容充电时的电流要求是比较大的，如果此时我们的栅极不能提供足够的电流能量，那么VGS处于米勒平台的时间将会特别长，显然这不是我们想要的结果。如下图
所以为了使mos管快......
ST 先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能;
【导读】意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率......
意法半导体先进的电隔离栅极驱动器 STGAP3S为 IGBT 和 SiC MOSFET 提供灵活的保护功能(2024-11-13 13:02)
等能源应用的功率控制意法半导体的 STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率开关栅极驱动器集成了意法半导体最新的稳健的电隔离技术、优化的去饱和保护功能和灵活的米勒钳位架构。STGAP3S 在栅......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-06-06)
低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一款单通道隔离栅极驱动器， 拉电流和灌电流峰值分别为 4.5......
电动汽车直流充电桩设计指南完整版来了，全干货！(2024-07-09)
器由使用宽禁带元件的电桥组成，存在低边 MOSFET 自导通的风险。主要的原因包括米勒电容、栅极电阻和高 dv/dt。解决方案之一是使用提供负栅极电压的栅极驱动器。
NCP51752 是一......
瑞萨电子开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件(2013-05-17)
过微型隔离器将与温度较高的IGBT的相关信息反馈给 MCU。可根据脉冲的占空比计算温度。
整合的其它功能包括有源米勒箝位和软关断。有源米勒箝位可在IGBT处于关闭的状态下，显示故障关断。软关......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
硅驱动芯片的新功能是“米勒钳位”，随着SiC的开关，桥臂中点有很大dv/dt，下管Cgd电容会产生一个米勒电流，即使下管处于关断状态，也会通过下管关断电阻产生一个压降。考虑到碳化硅器件的导通阈值比较低（2V......
光伏逆变器系统设计从系统目标到解决方案，一次性讲透(2024-06-07)
的尺寸和电磁干扰（EMI）
● 满足全电压要求的功率元件
三电平对称升压
● 降低电感器、 MOSFET/IGBT、二极管的应力 .
● 减小电感器尺寸和重量
● 电路简单，易于控制
● 效率高
● 谐波......
IGBT驱动到底是做什么的?(2023-08-21)
大脑需要把这个信号传送给手，由手部肌肉运动来产生一定的力量，摁下开关。IGBT的驱动就是控制IGBT的、灵巧又有力量的“手”。
那么，信号从MCU到IGBT驱动芯片，中间都经历了什么？
首先
MCU的输出电流是mA级别，而......
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列设计注意事项，您知道吗？(2024-06-14)
会因所谓的寄生导通效应而导通，如图9 (a)所示。当上开关导通时，下开关两端的电压变化为dVCE/dt。电流通过寄生米勒电容CGD和外部电阻流入地。该电流可近似表示为CGD*dVCE/dt，会在路径中的电阻器上产生压降。如果......
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？(2023-08-21)
IGBT驱动芯片进入可编程时代，英飞凌新品X3有何玄机？;俗话说，好马配好鞍，好自然也要配备好的驱动IC。一颗好的驱动不仅要提供足够的驱动功率，最好还要有完善的保护功能，例如退饱和保护、两电......
ST 隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣(2024-02-29)
ST 隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣;
【导读】意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统......
满足高度紧凑型1500-V并网逆变器需求的新型ANPC功率模块(2022-12-09)
二极管作为续流二极管。施加750V直流母线电压，可视为最坏工况。
与普通IGBT相比，单极SiC器件在关断过程中不产生任何拖尾电流。因此，实验中观察到VDS和ID上存在典型振荡。引起震荡的根本原因......
什么是互感现象?互感现象产生原因(2022-12-27)
什么是互感现象?互感现象产生原因;在环形磁芯上用漆包线绕一个耦合电感，初级60匝，次级30匝，如图所示。
在环形磁芯上用漆包线绕一个耦合电感，初级60匝，次级30匝，如图所示。
在初......
意法半导体隔离栅极驱动器：碳化硅MOSFET安全控制的优化解决方案和完美应用伴侣(2024-02-29 10:04)
率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。这些驱动器具有集成的高压半桥、单个和多个低压栅极驱动器，非常适合各种应用。在确保安全控制方面，STGAP系列......
几种电路常见涌浪保护元件,如何抑制涌浪电压(2024-12-22 19:15:02)
涌浪就是瞬间出现超出正常工作电压的峰值，又称为突波。产生原因大多发生在电源启动、大负载起断、雷击等等。在电源启动时，系统大电流对电容由暂态到稳态的电流即是涌浪电流，此电流会减少电路元件的寿命且造成电路误动作。
......
运放电路误差这么大，哪来的？(2024-05-06)
可不算小。这个怎么来的？下面具体讲讲。本文引用地址：
基本放大电路
仿真结果
运放输出结果产生原因有很多，对于图中的应用来说，最主要的2个误差源是运放的失调电压Vos.和运放的偏置电流Ib-. 本应......
Power Integrations推出简单易用的SCALE－2即插即用型门极驱动器(2020-03-04)
Power Integrations推出简单易用的SCALE－2即插即用型门极驱动器;适合4500V模块的灵活、强大且可靠的IGBT门极驱动器中高压逆变器应用领域门极驱动器技术的创新者Power......
为什么电源纹波是低频？电源纹波产生原因及危害分析(2023-03-21)
为什么电源纹波是低频？电源纹波产生原因及危害分析;电源纹波产生原因
我们常见的开关电源，是输入的交流电压经过整流、稳压、滤波等处理后得到的，虽然经过了处理，但直......
相关企业
;深圳芯杰英电子有限公司;;深圳芯杰英电子有限公司位于深圳市南山科技园，有着多年的电子产品设计经验。专业从事UMPC笔记本产品的嵌入式软硬件开发，尤其擅长为客户定制X86平台产品。可以
;威海浩亿国际贸易有限公司;;我公司坐落在美丽的海宾城市威海市，距离韩国只有500海里，公司现专营韩国各种化工原料，如LEPE，HDPE，PET，PET+EVA复合料，PP，PP再生颗粒，PP再生原
;山西易尔易科技有限公司;;代理品牌： ABB 施耐德 松峰 邦浦 威纶触摸屏 ASCO LG 特价品牌： AB E+H IGBT模块 三菱 图尔克 赫斯曼 光洋 西门子 变频风扇 魏德米勒 国产
;华跃国际（香港）有限公司;;IKW40N120T2 单管IGBT原装特价,可用于焊机 、变频器 厂家：Infineon 封装：TO-247 包装:30pcs/管,240pcs/盒,2400PCS
/sg18479/index.html 元器件交易网平台：http://304399.shop.cecb2b.com 代理经销以下著名品牌功率半导体 。日本富士机电第四代IGBT、PIM、整流桥、IGBT单管
/index.html 元器件交易网平台：http://304399.shop.cecb2b.com 代理经销以下著名品牌功率半导体 。日本富士机电第四代IGBT、PIM、整流桥、IGBT单管等； 。德国
;东莞市宇捷塑胶有限公司;;本公司是一家台资企业，生产――销售――贸易一条龙服务。主要经营欧、美、日、台湾等各大厂牌的工程塑胶和泛用塑胶、弹性体及再生原料。工程塑胶：尼龙（PA6、PA66、PA12
;佳仕达（香港）电子有限公司;;佳仕达电子主要代理＇经销电子元器件:二极管,三极管,场效应管（MOS）,稳压管,光耦,集成电路（IC）,三端稳压管,桥堆,可控硅（晶闸管）,整流器,IGBT模块
;济南明力机械(输送机｜升降平台)有限公司;;现公司拥有液压升降平台产品八大系列六十多个品种，规格齐全、质量保证。选用意大利、德国液压泵站系统及其液压防爆装置和自锁装置。所有
、各类动力机械试验台产品,组装平台和焊接平台，组合拼装T型槽平板，检验划线装配平板、铆焊工装平板，镗铣床工作台，三座标平板，模具垫板，实验室基础平板，槽铁（地轨）垫箱铸铁平板（平台）按国