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研发客服追求最高效率是当今电力电子产品的关键需求，近日，英飞凌科技股份公司推出了最新的隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC紧凑型（1ED32xx）栅极驱动器系列。该系列采用8 mm宽体封装以确保设计简单，同时集成两级压摆率控制，从而显著提高系统效率。该系列具有高压和高安全性，适用于具有苛刻隔离要求的应用，如1700 V工业电机驱动。此外，它是太阳能系统、不间断电源和电动汽车充电等应用的理想选择。
1ED32xx系列优化了栅极驱动器电路。在降低启动和轻载运行期间的dv/dt和电磁干扰（EMI）的同时，最大程度地降低了高负载运行期间的开关损耗，可以在运行期间动态调整压摆率，从而在不更改BOM且不影响EMI行为的情况下优化系统输出功率。
该栅极驱动器系列提供10 A和18 A的驱动电流。它有一个米勒钳位，非常适合将其用于使用0 V关断以避免寄生导通的电源开关；同时，它的额定电压高达2300 V，支持远远超过1200 V阻断电压的电源开关。此外，UL 1577和VDE 0884-11（增强隔离）认证确保了卓越的应用安全性，并保证了较长的使用寿命。
追求最高效率是当今电力电子产品的关键需求，近日，英飞凌科技股份公司推出了最新的隔离EiceDRIVER™ 2L-SRC紧凑型（1ED32xx）栅极驱动器系列。该系列采用8 mm宽体封装以确保设计简单，同时集成两级压摆率控制，从而显著提高系统效率。该系列具有高压和高安全性，适用于具有苛刻隔离要求的应用，如1700 V工业电机驱动。此外，它是太阳能系统、不间断电源和电动汽车充电等应用的理想选择。
1ED32xx系列优化了栅极驱动器电路。在降低启动和轻载运行期间的dv/dt和电磁干扰（EMI）的同时，最大程度地降低了高负载运行期间的开关损耗，可以在运行期间动态调整压摆率，从而在不更改BOM且不影响EMI行为的情况下优化系统输出功率。
该栅极驱动器系列提供10 A和18 A的驱动电流。它有一个米勒钳位，非常适合将其用于使用0 V关断以避免寄生导通的电源开关；同时，它的额定电压高达2300 V，支持远远超过1200 V阻断电压的电源开关。此外，UL 1577和VDE 0884-11（增强隔离）认证确保了卓越的应用安全性，并保证了较长的使用寿命。
供货情况
现在可以订购EiceDRIVER 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器系列，评估板EVAL-1ED3241MX12H和EVAL-1ED3251MX12H也即将上市。
名词解释
SRC
SRC是Slew Rate Control的英文首字母缩写，就是电压转换速率控制的意思，简称压摆率控制。
无论是IGBT还是MOSFET，都是常工作在开关状态的器件。从开到关，或者从关到开都会经过线性区，所以总会产生开关损耗。为了减少开关损耗进而提高效率，我们希望器件的开关过程时间越短越好，也就是器件开与关之间的切换越快越好。然而如果开关的太快，dV/dt越大，又有可能面临EMI的问题，这个现象在小电流轻载时更突出。所以人们不得不做出取舍，在速度和EMI之间折中。
但如果拥有SRC功能加持的话，dV/dt可以在一定范围内受控可调。比如负载工作在小电流时减小dV/dt，而负载工作在大电流时增大dV/dt，以期达到满足相应EMI要求下整体开关损耗降低的目的。
米勒钳位
处在上下桥结构中的两个IGBT，一般总是交错导通，如果同时导通会发生桥臂直通的短路，引起炸机。当其中一个管子工作在关断状态下，而另一个由于经过开通过程会产生几kV/us的dv/dt。这将使该管经由Cgc电容产生电流灌入门极，可能引起门极电压的抬升进而导致器件开通。因为Cgc又被称为米勒电容，所以我们称这样的开通为米勒开通。而把能泻放这一分布电流的电路称为米勒钳位电路。
该电路一般由一个MOS管来提供低阻抗泻放回路，如上图所示。这个管子的门极受驱动信号控制，在正常开关的时候将关断不工作，呈现高阻，只在器件处于关断状态时开通起钳位保护作用。
供货情况
现在可以订购EiceDRIVER 2L-SRC 紧凑型栅极驱动器系列，评估板EVAL-1ED3241MX12H和EVAL-1ED3251MX12H也即将上市。
名词解释
SRC
SRC是Slew Rate Control的英文首字母缩写，就是电压转换速率控制的意思，简称压摆率控制。
无论是IGBT还是MOSFET，都是常工作在开关状态的器件。从开到关，或者从关到开都会经过线性区，所以总会产生开关损耗。为了减少开关损耗进而提高效率，我们希望器件的开关过程时间越短越好，也就是器件开与关之间的切换越快越好。然而如果开关的太快，dV/dt越大，又有可能面临EMI的问题，这个现象在小电流轻载时更突出。所以人们不得不做出取舍，在速度和EMI之间折中。
但如果拥有SRC功能加持的话，dV/dt可以在一定范围内受控可调。比如负载工作在小电流时减小dV/dt，而负载工作在大电流时增大dV/dt，以期达到满足相应EMI要求下整体开关损耗降低的目的。
米勒钳位
处在上下桥结构中的两个IGBT，一般总是交错导通，如果同时导通会发生桥臂直通的短路，引起炸机。当其中一个管子工作在关断状态下，而另一个由于经过开通过程会产生几kV/us的dv/dt。这将使该管经由Cgc电容产生电流灌入门极，可能引起门极电压的抬升进而导致器件开通。因为Cgc又被称为米勒电容，所以我们称这样的开通为米勒开通。而把能泻放这一分布电流的电路称为米勒钳位电路。
该电路一般由一个MOS管来提供低阻抗泻放回路，如上图所示。这个管子的门极受驱动信号控制，在正常开关的时候将关断不工作，呈现高阻，只在器件处于关断状态时开通起钳位保护作用。
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