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米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策(2023-03-06)
米勒电容、米勒效应和器件与系统设计对策;搞电力电子的同学想必经常被“”这个词困扰。增加开关延时不说，还可能引起寄生导通，增加器件损耗。那么是如何产生的，我们又该如何应对呢？本文引用地址：
我们......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施;在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害......
MOS管驱动电流估算(2024-04-02)
电流最大，电阻最大，根据P=I*I*R，此时管子消耗的功率最大，发热最严重，所以尽可能让平台电压工作的时间很短。
一般来说，耐压等级越高，MOS管的输入电容越大，反向传输电容Crss越小，米勒效应也相应减小。
......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
开启，就会存在击穿情况，即使不是立即发生，也可以肯定 mos 管 故障。
米勒效应可以通过使用低阻抗栅极驱动器来最小化，该驱动器在关闭状态时将栅极电压钳位到 0 伏，这减......
会议音响产生噪音杂音产生的原因有哪些(2024-01-15)
会议音响产生噪音杂音产生的原因有哪些; 会议音响产生噪音的原因
（1）设备内部的电路噪声
音响设备都有一项指标-信噪比。由于内部电子元件产生的电噪声，在一台设备单独工作时，可以......
应对近地轨道（LEO）卫星通信系统设计挑战(2024-01-17 16:05)
味着它们会不断地靠近或远离接收机。这种运动会产生多普勒效应，卫星工程师必须对此加以控制。在工程术语中，多普勒效应指由于发射机或接收机的运动而导致发射波和接收波之间出现频率差异。多普勒效应......
应对近地轨道（LEO）卫星通信系统设计挑战(2024-01-17)
味着它们会不断地靠近或远离接收机。这种运动会产生多普勒效应，卫星工程师必须对此加以控制。
在工程术语中，多普勒效应指由于发射机或接收机的运动而导致发射波和接收波之间出现频率差异。多普勒效应......
应对近地轨道(LEO)卫星通信系统设计挑战(2024-01-17)
干扰方向上插入射束零点，从而最大化信号与干扰加噪声比（SINR）。
多普勒效应和频移
与 GEO 卫星不同，LEO 卫星围绕地球旋转的速度不同于地球的自转速度。这意味着它们会不断地靠近或远离接收机。这种运动会产生多普勒效应......
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性(2024-07-24)
过压。为抑制导通期间的压差，静态导通电阻(RDSon)最好低于1mΩ。只有本征电容和Rg都很小，开关损耗才能降至最低，从而实现快速的开关操作。Crss/Ciss比率是一个非常敏感的参数，有助于防止米勒效应......
介绍一种扁线电机趋肤效应和邻近效应的新型解决方案(2024-07-23)
方案铜线中的电流更均匀地分布在凹槽中，使得开头所描述的效应产生的危害弱化。 然而这种方案的缺点是由于制造公差和必要的绝缘，槽中的载流横截面面积减小并且因此直流损耗增大 。同时，该方案对于制造工艺及设备要求极高。此外，填充系数降低高达30......
MOSFET共源放大器的频率响应(2024-03-04)
率之间有一个相对平坦的区域。这个零是由于CGD在高频下在放大器的输入和输出之间产生短路。
CS放大器的频率响应如图2所示。
•图5。图2中CS放大器的频率响应（RL=10 kΩ，RS=100Ω）。
密勒效应可以为我们提供CS......
纳芯微容隔技术，从容应对电源难题(2023-07-20)
过下管驱动电阻，直接将栅极短路到GND，以此消除米勒电流造成的压差，从而避免米勒效应导致下管误导通的风险。
纳芯微的隔离类产品
纳芯微的隔离产品品类非常齐全，包括数字隔离器、隔离驱动、隔离电压/电流采样、隔离......
真金无惧火炼 ——魏德米勒电气联接方案在钢铁行业的应用(2024-09-25)
磁干扰影响传输
（1） 转炉设备运行自身产生的电磁辐射
（2） 周围大量设施电机的频繁启停产生电磁干扰
（3） 炼钢过程中的金属粉尘产生的静电效应
这些因素所带来的强电磁环境使得各种电气信号容易受到干扰，引发......
解析LLC谐振半桥变换器的失效模式(2024-04-26)
在开通后为负，关断前为正。MOSFET开关在零电压处开通。因此，不会出现米勒效应从而使开通损耗最小化。
MOSFET的输入电容不会因米勒效应而增加。而且体二极管的反向恢复电流是正弦波形的一部分，并且......
基础知识之液体流速传感器(2024-03-06)
粒子会引起超声波频率的变化。具体来说，对于向流动物体发送的超声波，由于流体对波的传播速度产生影响，散射回来的超声波频率会发生偏移。根据多普勒效应，这个频率偏移与液体流速成正比。
发射和接收：通过......
浅谈因电迁移引发的半导体失效(2024-02-28)
管道切换的方式工作，其产品处理速度较高，被众多用户接受。但是，CMOS工艺有一个致命缺陷，由于工艺原因，伴随CMOS工艺制成芯片产生米勒效应极其容易受到外界干扰，产生翻转。另外，CMOS在翻转过程中，内阻变小，电流......
智能栅极驱动器实现高效三相电机控制(2023-10-13)
电流驱动电流，并具有可编程的驱动强度控制。可调节和自适应的死区时间被实现，以确保稳健性和灵活性。主动栅极保持机制防止了米勒效应引起的交叉传导，进一步增强了稳健性。
RJK0659DPA是一款适用于开关（电机......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
开关时对于栅极的电流没有任何要求。 其实这样的理解是不正确的。 这里就需要再重新理解下MOS管的开关过程。我们需要引入MOS管的寄生电容与米勒效应。
图中的CGD和CGS和CDS都是mos管的寄生电容，它是由于mos管的......
大联大世平集团推出基于onsemi产品的100W车内空调循环扇方案(2024-05-14)
一组高频宽通用放大器，可用于电流检测；
内置电荷泵功能可增加上臂驱动级弹性控制；
驱动级OFF时自带最大抑制电流设定，可有效防止米勒效应引起的自开启行为；
VDD掉电压时连动内部闸极下拉至GND以避......
隔离式栅极驱动器设计技巧(2023-08-21)
率输入，并产生适当的大电流以驱动功率开关器件的栅极。
以下简要总结了使用栅极驱动器的原因：
栅极驱动阻抗
栅极驱动器的功能是导通和关断功率器件（通常很快）以减少损耗。为了避免米勒效应......
双控自动门插座电路图(2024-07-29)
双控自动门插座电路图;如图所示是多普勒效应和光照双控自动门插座电路(RD627) .由多普勒效应传感头、光控开关、单稳态触发器、可控硅控制电路、乐曲发声电路和交流降压整流电路等组成。当车......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
，考虑使用较低电压的 SiC MOSFET 的原因之一可能是利用其出色的热特性。
尽管 SiC MOSFET 的动态开关行为与标准硅 MOSFET 非常相似，但由于其器件特性，必须......
汽车电子技术：带你了解发动机三种热循环方式(2023-06-25)
汽车上的推广并不广泛。
阿特金森热机模型
米勒循环——换种方式的“阿特金森”
既然阿特金森循环的原理并没有错，米勒先生在20世纪40年代发明了米勒循环，通过改变气门开闭时间来延续阿特金森的思路，增加......
IGBT重要的动态参数解析(2024-11-11 14:18:47)
上升, 下半桥IGBT_L的集电极-门极之间的米勒电容会产生一个瞬间电流icg =Ccg x dVcg /dt ，电流给下桥IGBT门极充电，抬升门极电压，可能造成误导通，因此，需要......
功率MOSFET零电压软开关ZVS的基础认识(2023-02-08)
因素：
1）开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
图1 功率开通过程
2）功率输出电容COSS储存......
提供米勒箝位的单电源/双电源高电压隔离IGBT栅极驱动器——ADUM4135(2023-10-11 14:25)
和检测电路集成在ADuM4135上，提供高压短路IGBT工作保护。去饱和保护包含降低噪声干扰的功能，比如在开关动作之后提供370 ns（典型值）的屏蔽时间，用来屏蔽初始导通时产生的电压尖峰。内部537 μA......
e络盟开售东芝最新智能栅极驱动器(2022-10-14)
保护IGBT免受逆变器应用中产生的过流损坏。米勒钳位功能可绕过IGBT接地时产生的米勒电流来抑制栅极电位升高和IGBT故障。TLP5212需要通过输入侧信号从关机保护重置到正常工作状态，TLP5222则可......
一文彻底了解派克Parker无铁芯/有铁芯直线电机及其应用(2024-09-06)
以看成是一台旋转电机按径向剖开，并展成平面而成。
二、直线电机的特点
直线电机类似于一台旋转电机解剖摊开来进行运转。在一台旋转电机中，相同的电磁效应产生的是转矩，而在直线电机中，产生的是直接推动力。
在许多应用中，相比......
SiC和GaN的技术应用挑战(2023-10-17)
器件之间的成本差距正在收窄。然而从系统层面，SiC 可为合适的应用在系统上节省更多成本，同时提供更佳的性能，从而带来总的成本优势。这也是推动持续完善相应产品布局的动力之一。
● 另外......
为自动化未来而生：魏德米勒SNAP IN鼠笼式联接技术(2024-05-09)
此，魏德米勒推出的 SNAP IN 鼠笼式联接技术，正是其洞察市场前沿需求，贯彻先锋精神所打造的创新之作，能助力用户易如反掌地完成电气柜的安装和维护工作。
极速接线，为新时代而生的“神器......
SiC MOSFET的短沟道效应(2023-03-29)
保护栅极氧化物，必须有一个屏蔽结构，这在所有现代SiC MOSFET概念中都可以找到。与硅器件相比，上述效应导致了更明显的漏极势垒降低效应（DIBL-或短沟道效应）。DIBL效应的原理大家可以在百度搜到，这里......
如何解决PLC控制系统抗干扰问题(2024-03-07)
电荷剧烈移动的部位就是噪声源，即干扰源。
干扰类型通常按干扰产生的原因、噪声的干扰模式和噪声的波形性质的不同划分。其中：按噪声产生的原因不同，分为放电噪声、浪涌噪声、高频振荡噪声等；按噪声的波形、性质不同，分为......
英飞凌推出车用XENSIV TLE4971系列磁性电流传感器(2022-12-01)
逆变器等。
基于其独特的温度和应力补偿特性，英飞凌XENSIV™ TLE4971磁性电流传感器可实现精确的磁电流感测，并免受因磁芯的滞后或饱和效应产生的......
2024 MWC上海，罗德与施瓦茨联合紫光展锐率先演示NR NTN设备测试(2024-06-28 14:47)
空间段的信道特性需要在综测仪内部进行模拟。双方的合作演示采用实时 5G NR NTN 连接，包括各种不同的轨道场景同时模拟各种轨道场景需要的特征参数，例如GSO场景的大时延以及多普勒效应和LEO场景的动态时延以及动态多普勒效应......
2024 MWC上海，罗德与施瓦茨联合紫光展锐率先演示NR NTN设备测试(2024-06-28)
联合演示首次引入了动态的链路时延以及动态的多普勒偏移，这些空间段的信道特性需要在综测仪内部进行模拟。双方的合作演示采用实时 5G NR NTN 连接，包括各种不同的轨道场景同时模拟各种轨道场景需要的特征参数，例如GSO场景的大时延以及多普勒效应......
2024 MWC上海，罗德与施瓦茨联合紫光展锐率先演示NR NTN设备测试(2024-06-28)
空间段的信道特性需要在综测仪内部进行模拟。双方的合作演示采用实时 5G NR NTN 连接，包括各种不同的轨道场景同时模拟各种轨道场景需要的特征参数，例如GSO场景的大时延以及多普勒效应和LEO场景的动态时延以及动态多普勒效应......
谈谈北斗导航及其意义(2016-10-21)
于读者全面了解，而且很多文章的说法并不准确，显然是非专业人士写的。科技报道不是由科技人士撰写，而是文科出身的记者捉笔，这种现象是国内科技报道的痼疾。
因为专业的原因，我一直关注着北斗，而且......
使用隔离式栅极驱动器的设计指南（一）(2023-02-27)
) FET 和氮化镓 (GaN) FET。
它是一种功率放大器，可以接受控制器 IC 的功率输入，并产生适当的大电流以驱动功率开关器件的栅极。
以下简要总结了使用栅极驱动器的原因：
● 栅极......
3D电视彻底被抛弃：LG、三星疯狂减产(2016-10-13)
。
3D电视观看需要佩戴3S眼镜，让很多消费者感到不便，这只是3D电视不受欢迎的原因之一。而另外一个重要的原因，则是3D内容的匮乏，让3D电视的用武之地极为有限。
在LG和三星看来，裸眼3D技术......
电源音频噪声的产生与抑制方法(2024-05-06)
音频噪声
当电源在工作过程中有问歇式振荡产生时，会引起线圈磁芯间歇式振动，当此振荡频率接近绕变压器的固有振荡频率时，易引发共振现象，此时将产生人耳所能听到的音频噪声。
电路振荡产生的原因有很多，下面......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
引用地址：
关于IGBT使用沟槽栅的原因及特点，可以参考下面两篇文章：
● 英飞凌芯片简史
● 平面型与沟槽型IGBT结构浅析
MOSFET全称金属-氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide......
OBC DC/DC SiC MOSFET驱动选型及供电设计要点(2022-12-06)
导致上下桥臂直通，造成系统短路损坏等严重后果1。
Figure 9. 高dv/dt造成SiC MOSFET误开通
2.1 SiC MOSFET驱动选型要点
2.2.1 负压驱动
为了规避开关过程中产生的......
变频器对电机有什么影响(2024-04-11)
异步电动机是以接近于基波频率所对应的同步转速旋转的，所以高次谐波电压以较大的转差切割转子导条后，就会产生很大的转子损耗。
此外，还需要考虑因集肤效应产生的附加铜耗，这些损耗都会使电动机额外发热，效率降低，输出......
德索分析新能源汽车高压线束设计要点(2023-09-25)
高压线束长时间通过大电流，由于功率大，焦耳效应产生大量热量，所以高压线束的线材耐温等级一般 达到125℃（150℃），端子耐温一般达到140℃。
5.EMC性能
EMC（Electro Magnetic......
plc控制系统中电磁干扰的主要来源有哪些呢(2024-07-15)
电荷剧烈移动的部位就是噪声源，即干扰源。
干扰类型通常按干扰产生的原因、噪声的干扰模式和噪声的波形性质的不同划分。其中：按噪声产生的原因不同，分为放电噪声、浪涌噪声、高频振荡噪声等；按噪声的波形、性质......
励磁涌流产生的原因是什么？(2023-08-04)
励磁涌流产生的原因是什么？;变压器励磁涌流是：变压器全电压充电时，在其绕组中产生的暂态电流。变压器投入前铁芯中的剩余磁通与变压器投入时工作电压产生的磁通方向相同时，其总......
不装了？张忠谋首次表态：支持美对华半导体政策(2023-03-17)
要隔天早上才会有人来修理；但如果在中国台湾，可能半夜两点就能修好，这就是工作文化产生的竞争力。”张忠谋谈到，中国台湾有很好的技职学校，培养出了很专业、认真工作的技术人员，这些负责维护机台的技师扮演着重要的角色。
言论......
干货｜IGBT和SiC 栅极驱动器基础知识(2022-12-23)
件保持在关断状 态。实施米勒钳位的一些主要考虑因素是位置和下拉 电流能力。位置决定了阻抗，从而决定了钳位的有效 性；阻抗越高，其有效性越差。下拉能力决定钳位是否 能够重定向足够的由 Cgd 产生的电流，以防......
电流表结构详解 产生电流误差原因分析(2023-03-29)
）压电电流
当一些特殊晶体结构物体受到机械压力时会产生压电电流，通常发生在绝缘接口端子和内部连接硬件上。一些塑料中，内部可能存储有电荷，它们可能产生类似于压电效应。下图显示了具有压电效应的端口所产生的......
干货分享丨5大SMT焊接常见工艺缺陷及解决方法(2024-02-06 06:19:51)
网络）
锡珠产生的原因......
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压电陶瓷片上加一电信号时，它会产生形变，引起传感器振动从而发射出超声波。当超声波碰到障碍物时，超声波反射回来通过传感器接收作用于压电陶瓷片上，根据逆压电效应，超声波传感器产生一个电信号输出。利用超声波在同一介质中传播速度不变的原
;深圳市金瑞电子材料有限公司;;贵司资料上网后会受到客户及工商质检部门等多方关注，请如实填写！因此虚假信息产生的相关责任，由贵司自行承担。贵司资料上网后会受到客户及工商质检部门等多方关注，请如
实力非常强。 对于客户在使用过程中出现的问题，我们有专业的工程师提供技术支持服务，帮助分析问题产生的原因及推荐解决方法。如果在使用我公司产品过程中发现性能不如其他公司产品，经公
镀膜或上色；激光去除最上层颜色而露出底色。 ２、去除表面材料打标：激光热量产生熔化、蒸发或再固化。 ３、变色打标：光化学作用；不去除材料；对比度是由颜色变化产生的原因。 应用范围： 汽车
、MICROCHIP、INTEL、AMD、PANASONIC、3Alogics、AVX、KEMET、NEC……。同时我司还专注于：承接各企业（OEM、EMS、ODM）因各种原因产生的电子零件呆料、备错料、剩料
;青岛美伦尔环境科技发展有限公司;;人造雾系统工作原理 人造雾系统工作原理：主要是利用造雾机组将水经过耐高压管线有专业喷头产生1-15微米的水滴，由此激发的雾滴能长时间悬浮在空气中，单一喷头产生的
手持式静电涂装机，本静电涂装系列产品在全国率先采用国际流行的高压内置技术，数码变频控制技术等多项高科技技术的应用。完全克服了传统充电技术所产生的法拉第屏蔽效应对产品质量所产生的影响，该产
;焦作市金科助剂厂;;有机硅消泡剂在引进国外配方的基础上，由专家、教授和我单位科研人员经多次反复试验、摸索研制出的一种专门消除生物发酵过程中产生的泡沫。主要原料从国外进口，具有无毒、强效、量少、稳定之特点
地客户提供完善配套及售前售后服务，公司一贯注重于“诚、信”,致力于半导体领域。我公司投资有自己的Memory测试工厂，可以测试NorFlash、Nand Flash、AG-and FLASH、Sram以及各种Dram。能够准确的协助客户分析问题产生的原因
;东莞市长安明成研磨材料店;;本公司主要经营振动研磨抛光机，脱水烘干机，各种研磨石，各种研磨抛光剂，产品广泛用于金属，非金属零件表面光整光饰。尤其适用于不规则形面批量去切除削，磨削，冲压，浇铸等所产生的