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OptiMOS线性场效应晶体管兼具低R值与大安全工作区;英飞凌科技股份公司推出OptiMOS™线性场效应晶体管系列。这个全新产品系列兼具沟槽型功率场效应管的低导通电阻（RDS(on)）与平......
、更高效的器件，用于高性能、占板面积受限的应用。 全球行业领先供应商宜普电源转换公司为业界提供增强型氮化镓（eGaN®）功率场效应晶体管和集成电路，最新推出100 V、典型值为1.7 mΩ 的......
保持凉爽。 对于这种高功率场效应晶体管放大器，使用两个对称电源。 V 最大：平衡 + / – 65V DC V 最大：平衡 + / – 60V DC I 最大：6A + / – 65V......
等。 电源管理的发展历程 上世纪40年代晶体管问世，不久后，作为电源管理技术的发展基础的晶闸管在晶体管渐趋成熟的基础上问世，从而揭开了电源管理技术长足发展序幕。 1979年发明了功率场效应晶体管......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
EPC新推由氮化镓场效应晶体管驱动且可扩展的DC/DC演示板;EPC9137是一款两相的48 V/12 V双向转换器，以小型化解决方案提供1.5 kW功率，效率为97%，适用......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
的输入电压转换为5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管......
A的最大电流。与高功率密度应用的传统解决方案相比，新型RT6190控制器与EPC的超高效氮化镓场效应晶体管EPC2204相结合，使得解决方案尺寸可缩小20%以上，而且在20 V和12 V输出......
测物件的速度及准确性非常重要。EPC9144演示板展示出通过AECQ101认证的车规级EPC2216氮化镓场效应晶体管具备快速转换性能，与等效MOSFET相比，EPC2216的功率脉冲可以快速10倍的......
增强型晶体管具有误开启自保护功能，且仅需要单电源供电，因此在功率应用中通常选用增强型器件。但由于氧化镓P型掺杂技术缺失，场效应晶体管一般为耗尽型器件，增强......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
从掺杂铌的二硫化钼碎片的边缘长出了二硫化钼的多层结构，形成了一个厚实的、粘合的、平面的异质结构。他们证明了这些可用于制造新的隧道场效应晶体管（TFET），即具有超低功率消耗的集成电路中的元件。 化学气相沉积法可用于从不同的TMDC中生......
动车的交流电电动机的输出控制。 传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却有着驱动电流小的优点。IGBT正是结合了这两者的优点：不仅驱动电流小，导通电阻也很低。 这种晶体管结合了金属氧化物半导体场效应晶体管......
EPC推出80V、通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应晶体管; 【导读】EPC推出 80 V、通过AEC-Q101 认证的氮化镓场效应晶体管（GaN FET）EPC2252，为设......
年产6000万片高精密度集成电路板、3.6亿颗场效应晶体管项目开工;据“微聚庐江”消息，7月21日，合肥得壹科技发展有限公司年产6000万片高精密度集成电路板和3.6亿颗场效应晶体管......
不同终端市场应用要求。SuperGaN FET已应用于各种商业产品，并在高功率系统中显著提升可靠性、功率密度和效率。 Allegro的自供电型单通道隔离式栅极驱动IC，在多种应用和电路中专为驱动氮化镓场效应晶体管......
IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈;外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管......
FET已应用于各种商业产品，并在高功率系统中显著提升可靠性、功率密度和效率。 Allegro的自供电型单通道隔离式栅极驱动IC，在多种应用和电路中专为驱动氮化镓场效应晶体管进行了优化。经验证，与友......
MicroSystems, Inc.（Allegro）（Nasdaq: ALGM）开展合作，使用Transphorm 的 SuperGaN® 场效应晶体管和Allegro的AHV85110隔离式栅极驱动器，针对大功率......
宜普电源转换公司（EPC）eToF™ 激光驱动器IC，助力革新激光雷达系统设计;宜普电源转换公司（EPC）宣布推出激光驱动器IC(EPC21601)，在单个芯片上集成了40 V、10 A 场效应晶体管......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
EPC与ADI携手推出基于氮化镓场效应晶体管的DC/DC转换器;EPC公司和ADI公司推出参考设计，采用全面优化的新型模拟控制器来驱动EPC公司的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。新型......
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芯片三巨头发力CFET晶体管，进军埃米时代; 【导读】日前，台积电资深副总经理暨副共同首席运营官张晓强在2024技术论坛上宣布，台积电已成功集成不同晶体管架构，在实验室做出CFET（互补式场效应晶体管......
进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。 随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET......
器件、显示器件、晶闸管(可控硅)、场效应晶体管、IGBT、MOSFET、继电器与干簧管、开关、保险丝、晶振、连接器、各种......
管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括 直流- 直流转换器 、  无线......
管理器件的领先供货商，为首家公司推出替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管及集成电路，其目标应用包括 直流- 直流转换器 、  无线......
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久台积电透露其1.4nm级工艺制程研发已经全面展开，2nm级制程将于2025年开始量产。 据悉，台积电的1.4nm节点的正式名称为A14，预计在技术上不太可能采用垂直堆叠互补场效应晶体管（CFET......
三星公布第二代 3nm 工艺良率等细节信息; 据 21ic 获悉，近日半导体主管庆桂显声称将在今年第三季度举行的今年国际集成电路技术研讨会上展示其最新的 SF3 工艺信息。本次技术将鳍式场效应晶体管......
如何用万用表测试MOSFET;介绍： MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）晶体管是一种广泛用于电子设备中开关和放大电子信号的半导体器件。 MOSFET 是一种四端子器件，具有......
探索任务、深层石油开采系统、飞机系统等领域的进步。 电力电子电路不断发展以实现更高的效率，绝缘栅双极晶体管（IGBT）和金属氧化物场效应晶体管（MOSFET）等电力电子设备为令人兴奋的创新打开了大门。硅......
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。  封面......
Nexperia Nexperia，作为生产大批量基础半导体器件的专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
二极管件、MOSFET二极管件、氮化镓场效应晶体管(GaN FET)以及模拟IC和逻辑IC。 而KYOCERA AVX公司成立于2021年4月，是由京瓷的“企业电子元件部门”和“AVX”合并......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器 中国上海，2023年11月16日......
Nexperia Nexperia，作为半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家，其产品广泛应用于全球各类电子设计。公司丰富的产品组合包括二极管、双极性晶体管、ESD保护器件、MOSFET器件、氮化镓场效应晶体管......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。 BIPOLAR 是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的......
管 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属......
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。 MOSFET......
的EPC2065 和 EPC2054具备更高的性能和更低的成本等优势。 EPC2065 是一款 80 V、3.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），可提供221 A脉冲电流，其芯片级封装的尺寸为7.1......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器 安富......
-MHz半桥驱动器，专为高达200 V的GaN场效应晶体管而设计。该器件的可调死区时间控制功能能够将高速DC / DC转换器、电机驱动器、D类音频放大器及其它功率转换应用效率提高多达5％。设计......
置为同步半桥、全桥拓扑或降压、升压和降压-升压拓扑。LTC7890/1同步降压控制器是一款高性能DC-DC器件，通过高达100V的输入电压驱动N沟道同步GaN场效应晶体管 (FET) 功率级。这些......
别在 2024 年下半年和 2025 年投入量产。这些工艺都将采用 FinFET 结构，也就是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）结构。这种结构已经被台积电使用了多年，并且......

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;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
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;结型场效应管 欧阳志航;;欧信电子商行位于中国汕头市潮南区司马浦镇华里西村华祥路顺德楼，欧信电子商行是一家主营各厂家场效应管、肖特基、功率管、可控硅等晶体管的经销批发的个体经营。欧信电子商行经营的主营各厂家场效应
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