中国上海，2023年11月16日—avnet.html">安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品，包括一系列新型N通道（MOSFET）。新增系列将涵盖600V-650V的高压和30V-150V的低压产品。

Farnell及e络盟高级供应商客户经理IbtissameKrumm表示：“全球功率半导体市场正在迅速扩张。尽管这段时间以来，汽车应用对功率半导体的需求一直是人们的热点话题。但它掩盖了一个事实，那就是许多其他应用的需求增长速度也非常迅猛，至少与汽车应用的需求增长速度相当。”

他补充道：“功率场效应管推动这些应用的需求增长，除了更广为人知的汽车应用外，还包括太阳能逆变器和热泵等绿色能源应用、工业控制、电源，以及无线园艺工具等充电家用电器。功率场效应管的性能能够直接影响这些应用设备的整体系统性能，对于开发工程师而言，它通常是所有新项目的必备品。”

e络盟的客户在从事新产品开发时，需要更便捷地获得关键组件，从而进行设计、测试、评估、开展原型设计，及推出新概念。因此，e络盟与东芝合作，结合东芝全新300毫米功率半导体晶圆制造设施，将确保两家公司都能支持客户对高质量场效应管及其他众多半导体产品需求的持续增长。

e络盟现供应的部分新款场效应管包括：

•TPH3R10AQM功率场效应管：基于U-MOS-X工艺，该器件可提供更出色的导通电阻性能和安全操作区域。这一器件非常适合具有挑战性的应用，如的、通信基站及许多工业用途。

•DTMOSVI系列：TK055U60Z1功率场效应管是600V DTMOSVI系列的第一款产品，该系列产品基于东芝最新一代工艺，采用了超级结结构，被广泛认为是功率场效应管的最新分水岭。新型场效应管的RDS(on)仅为55毫欧，性能较东芝DTMOSIV-H系列的同类器件提升了13%。

•TPH9R00CQ5功率场效应管：基于U-MOS X-H沟槽工艺，这种新型功率场效应管可用于高性能开关电源，例如通信基站及其他工业应用的。在使用同步整流的高性能电源解决方案中，反向恢复性能非常重要。全新TPH9R00CQ5包括一个高速体二极管，与TPH9R00CQH等现有器件相比，该二极管可将反向恢复电荷(Qrr)降低约74%（达到34nC的典型值）。

•XPQR3004PB：该器件利用先进的散热能力来支持更大的汽车电流。40V器件采用热增强L-TOGLTM封装，能够承受更大电流，且导通电阻更低。

客户现可通过Farnell（欧洲、中东和非洲地区）、Newark（北美地区）和e络盟（亚太区）购买全新场效应管系列和其他东芝半导体产品。