资讯
用于模拟IC设计的小信号MOSFET模型(2024-01-26)
实践中并不理想，因为增益将在工作范围内发生巨大变化。
在饱和状态下，跨导仅取决于输入电压。
短而宽的器件在给定的输入偏置电压下使电流增益最大化。
输出电阻
下一个感兴趣的参数是输出电阻（ro）。这被定义为晶体管......
晶体管低频放大器(2023-06-25)
必须使工作点稳定。由于温度对管子参数β、Icbo、Ube的影响，最终都集中反映在Ic的变化上，为了消除这种影响，我们通过晶体管偏置的直流或电压的负反馈作用使静态工作点稳定下来，常见......
Nexperia建立新的特定型应用FET类别以优化性能(2020-10-22)
限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。
Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE......
了解RET的开关特性(2023-02-03)
在打开或关断状态下工作的开关应用。因此， 有时被称为数字晶体管。本文讨论了在开关应用中使用RET进行设计时的一些关键操作参数。
△ 配电阻晶体管(RET)
电压和电流(VI)参数
IC/IIN 是指RET......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用
2023 年 9 月 11 日，中国 – 意法半导体新系列 IGBT晶体管......
51单片机的GPIO配置(2023-07-11)
入还是输出。
即需要预先初始化，配置GPIO的参数，再去使用GPIO。在51单片机中不支持这样的操作，即不能配置GPIO的参数。
51GPIO
除去P3口的特殊引脚，P1/P2/P3/P4上电......
MAT03数据手册和产品信息(2024-11-11 09:20:29)
MAT03数据手册和产品信息;MAT03双通道单芯片PNP晶体管提供出色的参数匹配和高频性能。低噪声特性（1 kHz时最大值为1 nV/√Hz）、高带宽（典型值190 MHz）和低失调电压（最大......
天天说卡脖子，7nm体现在晶体管的哪部分你知道吗？(2020-09-18)
积电的 7nm 属于同代工艺；而三星规划中的 4nm 工艺，在晶体管密度上实则可能还比不上 Intel 的 7nm。
现在应该考虑一些更重要的参数，包括晶体管密度，以及材料方面的提升用以加强性能，还有......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;新系列 将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管在所有工作条件下具有更大的设计余量、耐变......
利用可用功率增益设计双边低噪声放大器(2023-12-18)
放大器的可用功率增益（a）和源的最大可用功率（b）。
在GA方程中，PAVN被归一化为源的可用功率，因此我们对此功率增益测量的参考点是输入电压源（VS）。随着射频功率从源传输到放大器输出，它受到晶体管......
认知里的PWM脉冲宽度调制(2024-08-09)
认知里的PWM脉冲宽度调制;针对PWM，官方的解释是这样：PWM，也称脉冲宽度调制，它是一种模拟控制方式，根据相应载荷的变化来调制晶体管基极或MOS管栅极的偏置，来实现晶体管或MOS管导......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-11)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;
【导读】意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效(2023-09-12 10:03)
意法半导体1350V新系列IGBT晶体管提高耐变性和能效;STPOWER IH2面向工业和电磁加热应用意法半导体新系列 IGBT晶体管将击穿电压提高到 1350V，最高工作温度拓宽到175°C，更高的额定值确保晶体管......
4200A-SCS参数分析仪的功能特点及应用范围(2023-04-07)
-SCS参数分析仪，通往发现之路现在变得异常简便。
功能特点：
典型应用：
MOSFET、BJT晶体管
材料特性分析
非易失性存储设备
电阻率系数和霍尔效应测量
NBTI/PBTI
III-V 族器......
西门子MM440变频器的参数设置及使用(2023-05-24)
西门子MM440变频器的参数设置及使用;一、西门子公司的变频器品种规格齐全。功率小到几百瓦，大到数千千瓦；功能从低端到高端；额定电压从低压、中压到高压；分交流变频器和直流变频器等。本章......
用源表测试IV参数的典型应用及源表测试软件(2023-03-20)
用源表测试IV参数的典型应用及源表测试软件;器件的I-V功能测试和特征分析是实验过程中经常需要测试的参数之一，一般我们用到源表进行IV参数的测试，如果需要对测试的数据进行实时IV曲线......
仪器仪表稳流电源设计(2022-12-21)
足设计要求。
④调整管的确定
稳流电源调整管的选择很重要，大功率晶体管产品的选择余地很大，故本例未作详细的计算，已知电源电压uimax≈20v、供电电流icm=300ma，则最大集电极耗散功率pcm=6w，则选择的晶体管的参数......
一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
波形的等效电路。该电路假定使用一个电流观察电阻来测量ID
在deskew菜单中输入的参数用于构建 VDS 对应波形。波形使用基尔霍夫电压定律建立：
其中
VDD - VDS_high 表示电源轨电压和高压端场效应晶体管......
【泰克应用分享】一种新的软件时序偏差校准方法加速双脉冲测试进程(2023-11-03)
速度显著加快，缩短了测试时间。
该技术适用于使用场效应晶体管或 IGBT 的功率转换器。在本篇文章中，我们将使用 FET 术语，来使得描述简单明了。
为什么要消除时序偏差（deskew）？
在设......
干货总结｜晶体管的应用知识(2023-03-28)
栅-源阈值电压。你需要更高的电压才能打开晶体管。
这个连续漏电流。这是流经晶体管的最大电流。
还有其他重要的参数也需要记住，不过这取决于你在做什么。但这不在本文的范围之内。记住以上两个参数，您就......
硬件工程师基础面试题(2024-10-06 11:59:22)
值和介质损耗最稳定的是NPO（COG）材质电容。
某磁珠的参数为 100R......
200M示波器竟然无法测量10M晶振，原来是探头档位没选对！(2023-06-26)
电平可变，即根据振动电路确定。
图1无源晶振
3、有源晶振
有源晶体振荡器是一种完整的振荡器，除石英晶体外，还有晶体管和阻力元件。有源晶体振荡器不需要内部振荡器，信号质量好，相对稳定，连接方式相对简单，不需......
SoC开发为何需要从原子到系统一贯式设计流程？(2022-12-30)
；另一方面，新技术引入前需要更全面的分析仿真，以确保引入的新技术与工艺及成熟技术兼容。
工艺复杂化的趋势主要表现为两个方向。横向上，需要同时考虑的参数越来越多，很多......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-06)
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1......
妙趣横生的电子小知识 第1篇：初识晶体管(2023-03-03)
集电极引脚的电流额定值，是表示“这个晶体管最大允许流过这么大的电流”的指标。该值的大小决定了可以将多少安培电流施加给负载（LED或电机），因此这是一个非常重要的参数。
与各引脚相关的电流名称如图4.1所示，表示“该晶体管......
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思(2023-01-12)
晶体管特性图示仪,晶体管特性图示仪是什么意思; 体管特性图示仪它是一种能对晶体管的特性参数进行测试的仪器。 一般使用简介：
(1)“电压(v)／度”旋钮开关 此旋钮开关是一个具有4......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
出提供能量。
1.1 共射放大电路动态参数分析
利用h参数等效模型可以求解放大电路电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。在放大电路的交流通路中，用h参数等效模型取代晶体管......
种新型MOSFET，经过优化，可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数，有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数，以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET将Nexperia的最......
推挽式B类功率放大器的基本原理(2024-01-22)
还绘制了放大器的功率效率。
推挽式B类功率放大器的功率术语。
图5.推挽式放大器的电源功率（PCC）、负载功率（PL）、晶体管功率（PTran）和功率效率与集电极电流（ic）的关系。
上图中使用的参数RL......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-02)
低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。
Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管......
变频器和IGBT的基础知识(2024-05-30)
极与发射极之间加反向电压或不加电压时，MOSFET内的沟道消失，晶体管无基极电流，IGBT关断。
2.IGBT的基本特性与主要参数
IGBT的转移特性和输出特性
（a) 转移特性 （b) 输出特性
1）IGBT......
Nexperia推出新款600 V单管IGBT，可在电源应用中实现出色效率(2023-07-05)
半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布，将凭借600 V器件系列进军绝缘栅双极晶体管(IGBT)市场，而30A NGW30T60M3DF将打响进军市场的第一炮。Nexperia在其......
英伟达GPU弱爆了！世界第一AI芯片升级4万亿晶体管、90万核心(2024-03-14)
Engine 3)，规格参数更加疯狂，而且在功耗、价格不变的前提下性能翻了一番。
2019年的第一代WSE-1基于台积电16nm工艺，面积46225平方毫米，晶体管1.2万亿个，拥有40万个AI核心、18GB......
还搞不懂TIP147是什么管子？看这一文，引脚图+参数+工作原理(2024-01-22)
面积
3、TIP147 3D 模型
TIP147 3D模型
四、TIP147 三极管参数
晶体管类型： PNP 达林顿
最大集电极电流(IC )：-10A
最大集电极-发射极电压（V CE......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D－3封装的热门功率BJT(2024-09-02 14:36)
阅此博客文章。Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参考资料。这让设计工程师能够更好地了解双极晶体管、其基本原理、热性能考量和应用见解。要了......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
软件中配置测试视图以测量生物晶体管的Id-Vg
输出特性（Id-Vd）
另一种常见的测试是确定FET的输出特性，即漏极电流与漏极电压的相关函数，如图10所示。这些曲线是使用4200A-SCS参数......
了解单边低噪声放大器的设计(2023-12-18)
的量称为晶体管的噪声参数。我们不计算这些参数，而是由制造商给出或通过测量获得。Fmin有时以dB为单位表示为NFmin，它随着晶体管的偏置点、温度和操作频率而变化。RN参数是一个灵敏度因子，表明......
中国科研团队在集成电路领域研究取得新进展(2024-11-05)
性能FPGA平台上进行了实验验证。
随着集成电路技术节点的不断发展，3D的晶体管结构和先进材料的使用增强了晶体管的自热效应，加速了缺陷产生，降低了驱动电流，增大了晶体管功耗，进而使得晶体管......
2080亿晶体管！英伟达推出最强AI芯片GB200：今年上市(2024-03-19)
2080亿晶体管！英伟达推出最强AI芯片GB200：今年上市;
3月19日消息，在GTC 2024大会上，英伟达CEO黄仁勋宣布推出新一代 Blackwell。
第一款Blackwell名为......
可将电流从4ma调整到20mA的电流回路测试仪(2023-03-15)
可将电流从4ma调整到20mA的电流回路测试仪;传感器是任何测量系统不可或缺的一部分，因为它们有助于将现实世界的参数转换为机器可以理解的电子信号。在工业环境中，常用......
解读浪涌电流测试仪技术解决方案(2023-05-31)
制信号和参考信号整形器9的触发脉冲。参考信号整形器9将持续时间为10 MS的适当半正弦波的单个脉冲输出到同相输入放大器8输出信号。放大器8将信号输出到N个MOSFET 3的栅极。为了保护晶体管......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
为失效芯片位置）
5、封装
图 8 简化的封装步骤
6、FT/测试
FT（Final test）是发货前的最后一道测试，一般会在室温和高温两种环境下对器件进行测试，测试的参数主要包括Idss......
美国收紧关键技术出口管制，涉及量子计算、半导体设备、GAAFET(2024-09-09)
等相关技术的出口管制，将在全球范围内实施更严格的出口管制。
该规则涵盖了量子计算相关组件和软件；先进的半导体制造；用于开发超级计算机和其他高端设备的高性能芯片的环绕栅极场效应晶体管 (GAAFET......
无刷电机的电子换向器是通用的吗？(2024-03-25)
不同时间点给予转子对应相位的磁场电流，从而使转子始终处于磁场轴的最佳位置，确保电机正常通电运转。电子换向器由晶体管、集成电路、电容器、电感、二极管和其他电子元件组成，其主要功能是将直流电（DC）转化成交流电（AC），并通......
Nexperia推出采用空间和能源效率较高的DFN2020D-3封装的热门功率BJT(2024-09-05)
现更紧凑的设计。有关低VCEsat技术的更多技术信息，请参阅此博客文章。
Nexperia为使用双极结型晶体管的工程师提供BJT应用手册，这是一本由工程师编写、供工程师阅读的实用、全面且最新的参......
45W晶体管电子管混合式功率放大器(2023-06-27)
偏压就要取得更负一些，反之，若运用时没有取到参数给出的阳极高压，栅极偏压的绝对值就要减小。电子管的典型工作参数可以从有关手册上查到。而且电子管的生产离散性相比晶体管要小得多，可以......
PLC程序调试方法步骤介绍(2023-09-25)
技术人员还要预估PLC选型所需要的重要参数值。如顺序控制中的I/O点数；若使用编码器，要根据编码器的参数计算其输出脉冲的频率值，进而换算成PLC高速计数的脉冲频率。再如，过程......
PLC硬件选型及冗余量的把握(2022-12-08)
技术人员还要预估PLC选型所需要的重要参数值。如顺序控制中的I/O点数；若使用编码器，要根据编码器的参数计算其输出脉冲的频率值，进而换算成PLC高速计数的脉冲频率。再如，过程......
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新(2023-03-06)
双面散热汽车IGBT器件热测试评估方式创新;IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction......
相关企业
;深圳市侠光电子有限公司;;公司主营大功率三极管整系列：【高压IGBT管】【大电流MOS管】【双极性晶体管】【肖特基整流管】【快恢复整流管】【可控硅整流管】【达林顿管】等。公司常备大量现货销售，只做
汽车音响高频调谐器用晶体管：2SC3195 2SC1815 2SA1015 2SC1623 2SA812 汽车电器通用晶体管：HE8050 HE8550 2N5551 2N5401 2SC2383
;徐圣海;;亚洲寻星网专业从事最新的卫星咨询,卫星电视节目的参数更新,争取做最全最快的参数网站,卫星器材最全的销售总汇.
;安丘市科威电子有限公司;;我公司已有13年半导体器件生产历史,设备先进,测试仪器齐全,例行实验设施完善。主要产品有:１．ＮＰＮ硅低频大功率晶体管 3DD1-3DD12,3DD21
;东莞灿域电子有限公司;;我司是一家生产代理.二三极管 .产品系列有各种封装的 晶体管 场效应管 可控蛙 三端稳压IC等品种达800遇种. 产品用于;显示器 电源 音响 电话机 电脑 玩具 节能
测试仪、电参数测试仪、环境测试仪、实验室测试仪、电桥LCR表、信号测试仪、绝缘电子测试仪等产品的经销批发的私营有限责任公司。上海伊测电子科技有限公司A经营的电源、示波器、安规耐压、晶体管特性图示仪、电子
;szwtron;;分布式组件、集成电路、电子组件、被动组件等。主动组件：小信号晶体管、功率晶体管、场效应晶体管、IGBT、线性IC、逻辑处理IC、LCD驱动IC、、MP3IC、DVDIC、工业
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
类电子元器件，主要产品包括：高频中、小功率晶体管、玻璃封装硅功率二极管、高压硅堆、单相、三相桥式硅整流器、高频大功率晶体管、低频大功率PNP、NPN晶体管、功率晶体开关管、达林顿PNP、NPN功率晶体管、功率MOS
;深圳市雄基电子器材有限公司;;是深圳老牌的电子产品供应商，公司位于华强北电子大厦。主要产品：稳压电路 .稳压二极管 1瓦 . 集成电路 . 稳压二极管 .To-92双极型晶体管 . 贴片