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电子元器件7大常用的封装形式(2024-10-16 10:15:48)
电子元器件7大常用的封装形式;
（点击图片链接进入，了解......
怎样设计SMT(表面组装)工艺流程？(2024-10-14 15:29:45)
节已经讲完，下一个章节将讲解《SMT表面组装元器件的封装形式》，
SMT工程师之家，欢迎您继续关注后续精彩内容！
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干货分享丨PCB焊盘设计工艺的相关参数(2024-01-24 22:33:33)
工艺对焊盘的要求
4.3.1贴片元器件两端没连接插装元器件的必须增加测试点，测试点直径在1.0mm~1.5mm之间为宜，以便于在线测试仪测试。测试点焊盘的边缘至少离周围焊盘边缘距离0.4mm。测试......
SMT加工必备知识：贴片元件与插件元件的区别与选择(2024-03-20)
不良等问题。
三、应用场景差异
贴片元件：广泛应用于小型、高密度、高集成度的电子元器件中，如手机、电脑、平板等消费电子产品。这些产品对体积、重量和性能要求较高，因此贴片元件成为首选。
插件元件：更适用于大型、重量较大的元器件......
EMS抢食OSAT？这还真有戏！(2017-04-06)
EMS抢食OSAT？这还真有戏！;
在集成电路产业链中，封装是不可忽视的重要一环，因为它起着安装、固定、密封、保护芯片以及增强电热性能等几方面的作用。而随着多年的终端需求演进，封装形式也从DIP......
干货分享丨SMT知识培训手册(从业SMT者必看)(2024-08-14 17:46:54)
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小外形模压着塑料封装，元件两侧有翼形状或J形状短引线的一种表面组装元器件封装形式。
5、四边扁平封装（QFP）(quad flat package......
一文读懂PCBA加工30个专业术语！(2024-10-15 20:04:57)
SMT相对，TH是将元器件插入到PCB的孔中，然后通过焊接等方式进行固定。
BGA（球栅阵列封装）：一种高密度封装形式，适用于高性能、小型......
SMT工艺流程与要求~(2024-10-28 19:08:07)
图所示。
锡膏印刷
其目的是将适量的锡膏均匀的施加在PCB的焊盘上，以保证贴片元器件与PCB相对应的焊盘再回流焊接时，达到良好的电器连接，并具......
采用自主设计封装，绝缘电阻显著提高！ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管(2024-11-13 09:40)
施加高电压容易引发漏电起痕，因此需要确保更长爬电距离的器件。ROHM作为SiC领域的领航企业，一直致力于开发支持高电压应用的耐压能力和可安装性都出色的高性能SiC SBD。此次，通过采用ROHM原创的封装形......
AT256全品种集成电路测试仪的功能特点及用途介绍(2022-12-15)
通道
标准提供多达128个测试通道， 可设定用于不同的元器件封装。
升级模块：64通道
可扩充到192/256个测试通道。
用两种模式扫瞄：
•一般模式： 扫描信号是以一固定管脚为参考点， 测试信号施加到待测元器件......
ROHM开发出支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管(2024-11-15)
底部的中心引脚，采用了ROHM原创的封装形状，将爬电距离延长至最小5.1mm，约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离，可以抑制引脚之间的漏电起痕（沿面放电）*2，因此在高电压应用中将器件......
SMT BGA集成电路封装工艺详解(2024-10-27 15:52:27)
比越来越接近1，引脚数目增多，引脚间距减小，芯片重量减轻，功耗降低，技术指标、工作频率、耐温性能、可靠性和适用性都取得了巨大的进步。
图2所示是常用半导体器件封装形式......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
上的二极管，以满足不同的电路工作要求。复合二极管不仅可以减小元器件的数量和体积，更重要是能保证同一个封装内二极管参数的一致性。复合二极管的组合形式有共阴极式、共阳极式、串联式和独立式等类型。复合二极管的常见封装形式......
提高功率器件动态参数测试效率的7个方法(2022-12-05)
方便轻松地进行更换，同时还避免了繁琐的接线操作，减少了发生错误的机率。
方法2：被测器件免焊接
一家功率器件厂商、电源企业或科研院所，对功率器件测试的需求是多样的，往往需要对多种封装形式的器件进行测试。此时，如果......
PCB设计中焊盘的种类及设计标准(2024-09-30 15:44:50)
工艺对焊盘的要求
1、贴片元器件两端没连接插装元器件的应加测试点，测试点直径等于或大于1.8mm，以便于在线测试仪测试。
2......
提高功率器件动态参数测试效率的7个方法(2022-12-05)
免焊接
一家功率器件厂商、电源企业或科研院所，对功率器件测试的需求是多样的，往往需要对多种封装形式的器件进行测试。此时，如果测试板采用焊接方式，则会出现两个问题，一是需要针对每种封装......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
TOLL等贴片封装形式，在中大功率应用场景的散热问题难以解决。但是，镓未来氮化镓采用独特的紧凑级联型技术，封装形式涵盖QFN/DFN、TOLL、TO-220和TO-247等多种形式，满足小功率（30W......
ASW3642/HDMI切换器四切一方案|HDMI 4：1切换器控制IC(2023-09-19)
电流: 30uA (典型值)
◼ 关断电流: <1uA (最大值)
◼ 工作电压: 1.8V~5.0V
◼ 封装形式：LGA42-3.5*9.0
TS3DV642应用......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
认为氮化镓只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中大功率应用场景的散热问题难以解决。但是，镓未来氮化镓采用独特的紧凑级联型技术，封装形式......
好马配好鞍——镓未来氮化镓和纳芯微隔离驱动器比翼双飞，助力氮化镓先进应用(2022-11-29)
提升到120W甚至更大功率。
普通消费者，甚至对氮化镓了解不多的工程师，普遍认为氮化镓只能实现几十瓦到一百多瓦的输出功率。这种情况基本属实，因为增强型氮化镓目前只有QFN/DFN和TOLL等贴片封装形式，在中......
1. SMT BGA设计与组装工艺：认识BGA(2024-10-07 07:43:16)
度及对准方面的问题。
元器件的普通封装和微处理器、存储器类的特殊封装，驱动了其余电子组装的封装问题。元器件封装的驱动力是其散热和电气性能、可靠 性、空间......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸、超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。
针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的已逐渐成为业界主流。利用其本身也是IC制造商的优势，通过......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
业内先进水平（1.0mm×0.6mm以下封装产品比较），非常有助于缩减各种小型设备电路板上的元器件所占面积并进一步提高效率。另外，还采用ROHM自有的封装结构，使侧壁有绝缘保护（相同封装的普通产品没有绝缘保护）。在受空间限制而不得不高密度安装元器件......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01)
更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。
针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装的MOSFET已逐渐成为业界主流。ROHM利用其本身也是IC制造商的优势，通过灵活运用其IC......
ROHM开发出具有绝缘构造、小尺寸且超低功耗的MOSFET(2022-12-01 15:49)
小型设备向高性能化和多功能化方向发展，设备内部所需的电量也呈增长趋势，电池尺寸的增加，导致元器件的安装空间越来越少。另外，电池的尺寸增加也是有限制的，为了更有效地利用有限的电池电量，就需要减少用电元器件的功率损耗。针对这种需求，开发易于小型化而且特性优异的晶圆级芯片尺寸封装......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
峰值反向电压：36V√ 最小击穿电压：40V√ 最大击穿电压：44.2V√ 钳位电压：58.1V√ 峰值脉冲电流：114A√ 漏电流：0.5uA√ 峰值脉冲功率：6600W√ 封装形式：MIN218
TVS......
汽车DC 24V系统过抛负载测试解决保护方案(2023-07-19)
峰值反向电压：36V√ 最小击穿电压：40V√ 最大击穿电压：44.2V√ 钳位电压：58.1V√ 峰值脉冲电流：114A√ 漏电流：0.5uA√ 峰值脉冲功率：6600W√ 封装形式：MIN218
TVS......
从CITE2018看中国厂商的进步与差距(2022-12-28)
过硬的产品，品牌如何立起来？标准如何去落地？尤其在电子行业，小到被动贴片元器件，大到复杂的系统级芯片（SoC），以及最终的系统实现与运维服务，缺了哪一个都玩不转，能把哪一个玩到极致都不容易。
从电......
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用(2023-07-27)
封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系......
英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件(2023-07-28)
供了一种简单易用且经济高效的方式来提高系统性能。
CoolMOS S7 电源开关还借助已改进的热阻来有效管理散热，通过采用创新、高效的 QDPAK 封装，减少甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式......
实现SiC器件与高速电机、电控系统的全方位优化、匹配，满足工业和新能源汽车应用的更高需求(2020-03-30)
，以及沿用较大体积的总线电容、水冷系统；在动力输出方面，则沿用了适配IGBT较低开关频率的低速电机和变速箱（特斯拉的Model 3型新能源汽车甚至釆用了分立器件封装形式，而不是整合的功率模块封装......
揭秘热设计：集成电路设计的关键密码(2024-05-06)
径的规划是首先要考虑的因素；它为半导体产生的热量提供了一条通向外界环境空气的路径。这条热路径一般会通过接地焊盘穿过器件封装的底部（如图1所示）。因此在应用设计中，应当选择那些能够通过器件接地片将热量从封装......
功率器件动态参数测试系统选型避坑指南(2023-02-08)
以通过上述方法进行计算，考察其是否能够满足测试需求。
02：支持的器件封装类型
长期以来，针对分立器件的测试系统选择很少，其中一个原因是分立器件的封装种类很多导致开发成本和硬件成本高，特别对于贴片封装器件更是如此。市面......
功率器件动态参数测试系统选型避坑指南(2023-02-08)
种类很多导致开发成本和硬件成本高，特别对于贴片封装器件更是如此。市面上大多数测试系统仅支持TO-247、TO-220这样的插件器件，无法对其他封装形式的器件进行测试，极大地限制了测试系统的应用场景。
针对这一问题，泰克科技推出的功率器件......
车规级半导体分立器件质量保证要求研究(2024-06-04)
前金属化与后金属化材料，厚度与层数等等10个方面，同一种族系的设备其晶圆制造工艺也必须是一样的。在组装工艺上，纳入同一支族的产品应是在同一家组装厂制造出封装形式接近、组装工艺类似的设备。
由于分立器件封装形式......
LM386 低电压音频功率放大器(2023-06-27)
LM386特别适用于电池供电的场合。
LM386的封装形式有塑封8引线双列直插式和贴片式。
二、特性(Features):
静态功耗低,约为4mA,可用于电池供电。 工作电压范围宽,4......
Nexperia全新车用TrEOS ESD保护器件兼具高信号完整性、低钳位电压和高浪涌抗扰度(2020-09-16)
封装形式提供。
Nexperia产品经理Lukas Droemer评论道：“我们的TrEOS技术自2015年推出以来，便为移动设备和计算ESD保护树立了行业基准。随着......
变频器中的器件选取(2023-08-25)
功率为1W，稳压值5V~220V。
1N47xx系列：稳压值3.3V~100V，功率1W，插接件封装。
三极管/场管
三极管和场效应管一般有两种用途，可控开关和放大器件，作为开关使用时工作在饱和区，作为放大器件......
Melexis发布先进的磁性位置传感器芯片(2022-12-09)
有利于机械集成，加快开发和设计进度。相对于轴外容差而言，堆叠式双芯片是一大亮点，对于电动助力转向（EPS）等应用至关重要。SMD版本采用SOIC-8（用于单芯片）和TSSOP-16（用于双芯片）封装形式......
基于STM32的TL431小电流输出电路(2024-05-06)
基于STM32的TL431小电流输出电路; TL431是一种并联稳压集成电路。因其性能好、价格低，因此广泛应用在各种电源电路中。其封装形式与塑封三极管9013等相同，如图a所示。同类产品还有图b......
Melexis发布先进的磁性位置传感器芯片(2022-12-09)
式双芯片是一大亮点，对于电动助力转向（EPS）等应用至关重要。SMD版本采用SOIC-8（用于单芯片）和TSSOP-16（用于双芯片）封装形式。
MLX90376符合ASIL标准，是依据ISO 26262标准......
英飞凌高压超结 MOSFET 系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用(2023-07-28 15:25)
甚至消除了固态设计中对散热器的需求，从而使系统变得更加紧凑和轻便。该系列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 MOSFET产品......
英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件，用于静态开关应用(2023-07-28)
列 MOSFET产品提供顶部散热和底部散热两种封装形式，均能够抵御高脉冲电流，并应对突然的浪涌电流。此外，该系列 MOSFET产品还具有体二极管的稳健性，能够......
2021安徽省重点项目投资计划清单公布，一大批集成电路项目上榜(2021-03-30)
米，购置相关生产设备及配套设施，年产25万件IC封装模具、IC冲压模具及IC封测设备各种相关零配件产品。
· 年产127亿颗新型电子元器件项目：总投资11亿元，租赁厂房面积5万平米，购置设备，建成......
国芯思辰| 霍尔开关AH541在汽车安全带扣中的应用，ESD高达±12KV(2024-06-19)
环境温度范围是-40℃~150℃，电源引脚具有反向电压保护；
•AH541有三种封装形式：TO92S、Small-SOT23、SOT23-3L，且封装符合 ROHS标准；
典型应用电路图
AH541应用......
一种驱动电机用霍尔传感器的设计方法(2023-02-06)
小体积应用非常友好。通常在外围电路中仅需要上拉电阻及滤波电容即可。其典型外围电路如下图所示：
图2.3霍尔元器件典型外围电路
对于同一款霍尔，在不同工况下需选择不同耐温或者不同封装来匹配具体的应用环境，芯片厂商往往能够提供多种耐温规格及多种封装形式......
7. SMT BGA设计与组装工艺：BGA元器件封装形式的考虑(2024-10-14 21:31:29)
7. SMT BGA设计与组装工艺：BGA元器件封装形式的考虑;
JEDEC关于
BGA的设计指南中没有定义特定的材料和组装
方法。针对不同的应用，各供应商会使用不同
的基材。基底......
纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片新品NSM203x系列(2022-12-20)
要高压，降低了对板上共电源的周边元器件的影响。多种封装形式，兼容性强TO94（X）封装，分为厚款封装（1.55mm）与薄款封装（1.00mm），每种封装均可提供多种引脚弯折形式，包括不同高度的L形弯折与V......
纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片新品 NSM2(2022-12-20)
写，不需要高压，降低了对板上共电源的周边元器件的影响。
多种封装形式，兼容性强
TO94（X）封装，分为厚款封装（1.55mm）与薄款封装（1.00mm），每种封装均可提供多种引脚弯折形式，包括......
纳芯微推出高精度、高带宽、宽灵敏度范围的线性霍尔效应电流传感器芯片新品NSM20(2022-12-20)
系列包含了5个产品型号，即NSM2031、NSM2032、NSM2033、NSM2034和NSM2035。考虑过流保护输出、参考电压输出、存储器类型（单次可编程OTP、可重复编程MTP）、封装形式......
相关企业
了众多知名企业及电子厂商的信赖与支持。欢迎各位新老客户来电洽谈合作。与我们的合作，从你第一次来电开始！ 公司主营：集成电路、二、三极管、三端稳压、场效应管、快恢复、达林顿、肖特基、贴片元器件SMD、可控硅、行管等各种电子元器件
；AMD；MIC；TI，ST；AD；PIC；HYNIX；XILINX我们的经营范围：1、三极管(Transistors)：放大，开关，达林顿，高反压，带阻尼，微波，磁敏，光敏等；封装形式：SOT23
;ISSI；BSI；AMD；MIC；TI，ST；AD；PIC；HYNIX；XILINX 我们的经营范围： 1、三极管(Transistors)：放大，开关，达林顿，高反压，带阻尼，微波，磁敏，光敏等；封装形式
了众多知名企业及电子厂商的信赖与支持。欢迎各位新老客户来电洽谈合作。与我们的合作，从你第一次来电开始！ 公司主营：集成电路、二、三极管、三端稳压、场效应管、快恢复、达林顿、肖特基、贴片元器件SMD、可控硅、行管等各种电子元器件
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;上海宝廉商贸有限公司;;本公司从事贴片元器件销售有十多年头，对贴片元器件有很广泛的渠道。
），电容（普通型、中高压型、高精度型、高容量型），钽电容，二三极管，IC。 贴片电阻系列： 有0201,0402,0603,0805,1206,1210,1218,1812,2010,2512等封装形式
)型），电容（普通型、中高压型、高精度型、高容值型），钽电容，二三极管，IC等。贴片电阻系列：有0201,0402,0603,0805,1206,1210,1218,1812,2010,2512等封装形式
;深圳市中导电子器件有限公司;;深圳中导电子器件有限公司是一家专业电子元器件配套商，主营网络变压器并兼营表贴片电容、电阻、电感、电位器，各种封装形式的二极管、三极管，SMD 电子元器件、集成