近日，安徽省人民政府印发了《安徽省2021年重点项目投资计划》，纳入计划的项目总数达7851个，年度计划投资1.48万亿元。其中，续建项目4941个，计划开工项目2910个。全年计划竣工项目1392个。

2021年，安徽省在重点项目安排上，聚焦重大科技基础设施、大数据中心、云计算、产业创新平台等建设，促进科技创新势能转化为经济发展新动能，共安排项目215个，年度计划投资427.48亿元。

在投资计划表名单中，涵盖了多个集成电路产业项目，以下是部分项目介绍：

· 12吋晶圆驱动芯片制造项目：总投资128.10亿元，总建筑面积20.1万平方米，建设生产厂房、综合楼、化学品库、仓库、废水处理站生产线，形成年产150纳米LCD驱动IC3.5万片、90纳米小尺寸驱动IC0.5万片的生产能力，目前3万片产能，2021年计划将产能提升至5万片。

· 集成电路产业链配套项目：总投资30.7亿元，项目主要从事集成电路封测以及模组组装业务，达产后将形成月产能12万片的DRAM及1600万颗4DNAND封测能力。

· 晶圆凸块封装测试基地项目：总投资24亿元，总建筑面积3万平方米，月产3万片12吋晶圆、5万片8吋晶圆。其中：一期月产1.2万片12吋晶圆及3万片8吋晶圆。

· 第三代功率半导体(碳化硅)产业园项目：总投资21亿元，总建筑面积8万平方米，主要建设厂房、辅助用房，购置晶体生长炉、原料合成炉测试设备、超净室、研发设备等先进设备。

· 捷敏半导体IC电源管理器件生产线项目：总投资16亿元，建筑面积约2.8万平方米，引进进口双头铝线锲焊机、自动塑封模压机、半导体器件测试仪等设备，配套国内先进设备，从事半导体IC电源管理器件的封装生产，项目建成后，可实现年产半导体IC电源管理器件26.2亿颗。

· 上达柔性集成电路封装基板COF生产项目：总投资20亿元，总建筑面积约6.46万平方米，主要建设生产厂房、综合楼和宿舍楼，购置国内外柔性集成电路封装基板生产设备及配套附属设施等，单面卷带COF基板15KK/月，双面卷带COF基板15KK/月。

· ITO靶材及其它薄膜材料研发及生产项目：总投资15亿元，总建筑面积8万平方米，建设厂房4栋，2F办公综合楼1栋，门卫室1间，并配套建设消防、环保、道路、供配电、给排水等辅助设施，项目建成后将形成年产800吨ITO靶材、750吨太阳能靶材和1478.4吨其它种类薄膜材料的生产能力。

· 显示驱动芯片COF卷带生产项目：总投资12.7，总建筑面积6万平方米，建设主楼、厂房、动力站、化学品库及仓库，建设3条中国大陆最大的半导体显示芯片封装COF卷带生产线，形成月加工70KK卷带的生产能力。

· 鑫丰科技存储器封测项目：总投资5.5亿元，建设存储器封测基地。

· 集成电路关键工艺材料项目：总投资3.5亿元，总建筑面积5万平方米，计划建设厂房、办公楼、仓库、动力站及三废车间等相关配套设施，项目建成后将形成年产集成电路制造和封装的关键材料1.7万吨。

· 年产360万片再生晶圆项目：总投资3.2亿元，项目总建筑面积4万平方米，建设晶圆再生厂房、零部件清洗厂房，配套厂务系统车间、办公楼、仓库等辅助、公用工程，项目建成后将形成每年120万片晶圆再生的能力。

· 至纯半导体湿法设备制造项目：总投资1.8亿元，拟新建1栋厂房、1栋办公楼及相关附属设施,购置激光切割机、磨床、车床、电脑控制系统等设备，从事半导体核心零部件的制造与加工。项目建成后可实现年产半导体核心零部件550件。

· MEMS微系统集成工程建设项目：总投资10亿元，总建筑面积1万平方米，厂房改造，新增购置200余台套，建设提升原有产线的产能，形成年产5万片晶圆、4亿颗芯片的生产能力。

· 集成电路及电子元件封装测试项目：总投资1亿元，总建筑面积2.4万平方米，设计年产集成电路及电子元件封装测试产品5亿只。

· 半导体封测边框生产项目：总投资25亿元，建筑面积25万平方米，新建半导体封装生产线18条，购置关键设备2500台，建设半导体封测边框生产基地。

· 顺芯第三代化合物半导体中段制程晶圆超薄化与封测产品生产研发基地项目：总投资20亿元，总建筑面积8万平方米，第一期实现年产84万片的晶圆薄化与金属化生产能力，第二期实现年产168万片的晶圆薄化与金属化生产能力以及100万片的芯片封装测试生产能力。

· 安徽微芯SiC单晶衬底研发及产业化项目：总投资13.5亿元，建筑面积3.2万平米，新建厂房包括碳化硅晶体生长车间、碳化硅晶圆片加工车间等，购置主要研发设备、检测设备和其他辅助设备共576台（套），年产碳化硅晶圆片4英寸(直径100mm)3万片、6英寸(直径150mm)12万片。

· 年产50亿只集成电路及8亿颗功率器件及模组项目：总投资5.12亿元，一期租赁厂房1.6万平方米，购置生产线，二期建设标准化厂房4.5万平方米，年产50亿只集成电路及8亿颗功率器件及模组。

· 晶圆再生制造及半导体零部件制造、精密清洗涂层项目：总投资2亿元，新建4栋共1.5万平方米厂房，建成后形成年产再生晶圆2000万片，再生、制造半导体光电设备零件500万件、精密清洗涂层200万件的生产能力。

· 半导体设备精密零配件加工制造项目：总投资1.15亿元，租用厂房1-2层3652平方米，购置相关生产设备及配套设施，年产25万件IC封装模具、IC冲压模具及IC封测设备各种相关零配件产品。

· 年产127亿颗新型电子元器件项目：总投资11亿元，租赁厂房面积5万平米，购置设备，建成后形成年产127亿颗新型电子元器件的生产力。

· 年产2000万件电子元器件及配件项目：总投资1.05亿元，总建筑面积1.3万平方米，购置注塑机、超声波焊接机、自动裁线机、端子机等相关先进生产设备51台(套），形成年产2000万件电子元器件及配件的生产能力。

· 年产100亿只高可靠性集成电路芯片先进封装测试产业化项目：总投资5亿元，总建筑面积2.62万平方米，购置晶圆粘片机、金线键合机等设备，形成年产100亿只高可靠性集成电路芯片的生产能力。

· 郑蒲港新区富捷半导体被动功率器件项目：总投资5亿元，租赁厂房2.4万平方米，建设厚膜贴片电阻设计开发生产线5条，年产1000亿个被动元电子器件。

· 新能源汽车IGBT模块项目：总投资3亿元，新建1条IGBT功率模块封测生产线，同时搭建可靠性及环境实验室、IGBT芯片及模块研发中心及应用测试平台，产线建设规模为年产42万只新能源汽车IGBT模块。

· 高端功率半导体芯片研发制造项目：总投资2.23亿元，购买厂房，购置扩散炉、自动刻蚀机、自动涂布机等研发制造设备约600台套，建设两条全自动化生产线，年产360万片5英寸高端功率半导体芯片。

· 先进半导体电子应用材料项目：总投资3.2亿元，总建筑面积2.2万平方米，建设办公楼、车间、仓库及相关附属设施，项目建成后将形成年产1.33万吨电子化学品的生产能力。

· 槟城半导体芯片及封装项目：总投资5亿元，租赁厂房1万平方米，年产60万片芯片、500只分立器件成品。

· 12寸半导体级单晶硅棒和硅片生产基地项目：总投资1.05亿元，总建筑面积2.7万平方米，建设厂房及附属设施，形成年产硅棒100吨、抛光片100万片的生产能力。

· 联宝科技新增年产1000万台/套智能产品项目：总投资100亿元，新增年产1000万台/套智能产品项目规划生产服务器、超小型计算机、高端笔记本电脑、固态硬盘等智能产品，一期利用现有厂房进行技术升级改造，二期新建标准厂房。目前生产主板车间新架第23条线，完成四厂生产主板F线和台式F线，计划2021年完成部分产线。

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