资讯
SK海力士率先推出第6代10纳米DRAM产品(2024-04-12)
。
10纳米级第6代产品将采用尖端的极紫外（EUV）光刻工艺，与之前的第5代10纳米级产品相比，该工艺可实现更高的净芯片（每片晶圆可生产的芯片数量）和更......
全球存储市场在竞争什么？(2023-02-03)
方面，2022年11月初，美光已经将1β DRAM（第五代10nm级别DRAM）产品送往了客户的产品验证流水线，这也意味着10纳米级别的芯片工艺已经来到了第五代。相较于1α（alpha），1β（beta......
富士胶片成功研发锶铁氧体磁带 实现全球最大580TB存储容量(2020-12-21)
生产出适合涂布在磁带上的超细SrFe磁性颗粒。同时，采用新型分散剂将超细SrFe磁性颗粒均匀分散、纳米级排列控制，从而达到高信噪比。
此外，新研发的平滑非磁性层（下层）的使用，更进一步提高了磁带表面的光滑度，减少......
富士胶片成功研发锶铁氧体磁带 实现全球最大580TB存储容量(2020-12-21)
生产出适合涂布在磁带上的超细SrFe磁性颗粒。同时，采用新型分散剂将超细SrFe磁性颗粒均匀分散、纳米级排列控制，从而达到高信噪比。
此外，新研发的平滑非磁性层（下层）的使用，更进一步提高了磁带表面的光滑度，减少......
修改部分设计，三星第六代10纳米级1cDRAM延后半年(2025-01-22)
修改部分设计，三星第六代10纳米级1cDRAM延后半年;韩国媒体MeyyToday报导，存储器大厂三星将第六代10纳米级1cDRAM制程开发延后六个月到6月才完成。 三星之前宣称第六代10纳米级......
斥资3000亿新台币 南亚科12英寸新厂即将动土(2022-06-01)
用自主研发技术，不再走授权模式。
据南亚科规划，该厂房正式采用南亚科技自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划构建EUV极紫外光微影生产技术，月产能约45,000片芯片，预期......
三星更新工艺技术路线图：2025 年 2nm，2027 年 1.4nm(2023-06-28)
布的最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。
三星的 SF2 工艺......
三星10纳米级1c内存突然延期(2025-01-28)
第六代10纳米级1c DRAM制程遇到困难。
尽管市场在2024年底左右，获得了三星送交的第一个测试芯片。
但因......
中导光电纳米级图形晶圆缺陷光学检测设备再次交付功率半导体头部客户(2023-11-22)
交付客户。
此次交付用户的NanoPro-150产品灵敏度系纳米级序列，充分满足半导体芯片90nm及以上产线制造工艺需求。NanoPro-150是NanoPro-1XX系列中的高端产品，本次......
IBM 芯片新功能：诊断癌症(2016-10-18)
只需要在家中就可以对自己的唾液和尿液进行分析，以进行“体检”。
，它们的研究进展主要集中于纳米级 DLD──一种基于液体样本对 DNA 进行癌症鉴别的方法。你可以简单把这项技术理解为玩柏青哥，但完......
2024年Q2原厂DRAM技术最新进展(2024-06-20)
、LPDDR4X、LPDDR5和LPDDR5X，采用最小的12纳米级DRAM单元设计。两家公司都率先采用EUV光刻技术，而美光科技则继续采用基于ArF和ArFi的图案化技术直至其1α和1β代，并计......
就你会改名？三星决定将SF3更名为SF2应对英特尔挑战(2024-03-06)
可能使用不同的工艺技术来制造专为SF3设计的芯片。
尽管这一信息目前尚未得到三星的官方确认，但它证实了今年早些时候出现的传闻，即三星将在2025年使用其2纳米级工艺技术为一家日本初创公司制造人工智能处理器。
在技......
英伟达“地表最强”AI芯片售价3-4万美元(2024-03-20)
2080亿个晶体管组成，采用量身定制的台积电4纳米工艺制造，两个reticle极限GPU裸片将10 TB/秒的芯片到芯片链路连接成单个统一的GPU。
第二代Transformer引擎：结合......
SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM(2021-07-12)
SK海力士开始量产采用EUV技术的第四代10纳米级DRAM;7月12日，SK海力士宣布已于7月初开始量产适用第四代10纳米（1a）级工艺的 8Gb LPDDR4移动端DRAM产品。
自从10......
质疑对手技术进展真实性，三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽(2021-05-07)
质疑对手技术进展真实性，三星将公开10纳米级制程DRAM电路线宽;5月7日消息，由于质疑竞争对手的技术进展，三星决定公开自家DRAM产品的电路线宽，以显示三星在该领域的技术领先地位。据韩......
三星首款12纳米级DDR5 DRAM 2023年量产(2022-12-21)
三星首款12纳米级DDR5 DRAM 2023年量产;据三星电子方面透露，新款DRAM将成为下一代计算、数据中心和AI驱动系统等领域更可持续运营的基础。AMD方面则表示，AMD与三......
看好今年DRAM市场前景，南亚科将加速开发10 纳米制程与DDR5(2021-04-26)
科已规划建设一座双层无尘室12寸先进晶圆厂，将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划建置EUV极紫外光生产技术，月产能约为45,000片晶圆。新厂计划于2021年底动工，2023年底......
英特尔首批20A和18A测试芯片已经流片(2023-03-08)
的进度也如预期良好，而最先进Intel20A（2纳米级）、Intel 18A（1.8纳米级）流片也已经出来。
这些工艺将用于制造公司自己的产品，以及为其英特尔代工服务(IFS)部门的客户生产的芯片......
三星第五代DDR内存良率不达标(2024-06-12)
三星第五代DDR内存良率不达标;
【导读】据韩国媒体ZDNet Korea报道，三星第五代10纳米级（1b）制程DRAM内存良率未达业界80%~90%的一般目标，这使......
传SK海力士8000亿韩元买设备，M16厂年底月产能或达1.8万片(2021-06-29)
万片的产能之外，还准备在M16厂进行第四代10纳米级（1a）制程的DRAM生产。目前SK海力士虽然已经宣称开发出第四代10纳米级制程的DRAM，不过当前仍需要时间来提升产品生产的良率。
目前，SK......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-02)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;
【导读】三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM（DDR5 DRAM：五代......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
电子总裁兼晶圆代工业务负责人崔时荣会上透露，三星将自2025年起首先于移动终端量产2纳米制程芯片，随后在2026年将其用于高性能计算（HPC）产品，并于2027年扩至车用芯片。
不同于台积电在2纳米开始选择GAA......
新榜公布：台积电/中芯国际/新紫光等半导体厂商入列(2024-07-31)
电的市占率高达61.7%。
目前，台积电的工艺制程以先进工艺为主，目前，先进制程产品依然是台积电的营收支柱。第二季度财报数据显示，先进制程芯片整体约占台积电晶圆总收入的67%，成熟制程芯片（28纳米......
2纳米先进制程已近在咫尺！(2024-03-11)
纳米技术的到来。
三星电子在2023三星晶圆代工论坛上公布了2纳米制程的最新路线图。三星电子总裁兼晶圆代工业务负责人崔时荣会上透露，三星将自2025年起首先于移动终端量产2纳米制程芯片，随后在2026......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01 15:01)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;在相同封装尺寸下，容量是16Gb内存模组的两倍，功耗降低10%，且无需硅通孔(TSV)工艺即可生产128GB内存......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;- 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展三星电子宣布，已成......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21 10:42)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;- 三星电子新款DRAM将于2023年开始量产，以优异的性能和更高的能效，推动下一代计算、数据中心和AI应用的发展三星电子宣布，已成......
日本新创Rapidus计划在2027年实现2纳米生产，将获国家支持资金(2024-07-25)
承诺透过新立法确保该计划获得国家支持的资金。
该工厂被认为对日本至关重要，因为它将使该国能够在领先的节点上制造芯片。Rapidus计划在2027年之前在北海道建造一座晶圆厂，该晶圆厂将采用2纳米级......
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产(2023-05-18 14:45)
三星电子宣布12纳米级 DDR5 DRAM已开始量产;三星电子最新推出的DRAM将以更高的能效和生产率，优化人工智能应用在内的下一代计算今日，三星电子宣布其采用12纳米级工艺技术的16Gb DDR5......
美光积极准备EUV技术，争取与三星及SK海力士竞争(2020-12-24)
制造商阿斯麦（ASML）沟通”，工作地点就在美光总部美国爱达荷州。美光已开始生产第3代10纳米级（1z）DRAM存储器，预计2021上半年开始大量生产第4代10纳米级（1a）DRAM存储器。
与竞......
谁是下一个晶圆代工“最强王者”？(2024-05-06)
英特尔推展制程蓝图。
三星SF1.4增加纳米片，改善性能与功耗
相对于台积电与英特尔，媒体报导，三星两年前在Samsung Foundry Forum 2022就层公布先进制程蓝图，埃米级SF1.4......
三星发布其容量最大的12nm级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-01)
同封装尺寸下，容量是 16Gb 内存模组的两倍。
三星电子存储器事业部内存开发组执行副总裁 SangJoon Hwang 表示：在三星最新推出的 12 纳米级 32Gb 内存的基础上，三星......
这项冷场发射技术加速先进芯片开发(2022-12-21)
这项冷场发射技术加速先进芯片开发;近期，应用材料宣布开发「冷场发射（cold field emission，CFE）」技术且已达成商品化。该突破性电子束（eBeam）成像技术可协助芯片制造商更好地检测与成像出纳米级......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证(2023-01-12 16:13)
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证(2023-01-12 16:13)
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;• 获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证• 以DDR5积极应对服务器市场，提早......
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功(2022-12-21)
三星电子首款12纳米级DDR5 DRAM开发成功;
【导读】三星电子宣布，已成功开发出其首款采用12纳米（nm）级工艺技术打造的16 Gb DDR5 DRAM，并与AMD一起......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证(2023-01-12)
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;
获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证
以DDR5积极应对服务器市场，提早......
谁是下一个晶圆代工“最强王者”？(2024-05-06)
两年前在Samsung Foundry Forum 2022就层公布先进制程蓝图，埃米级SF1.4（1.4纳米）2027年量产。三星高层透露，正在开发SF1.4纳米片量从三个增至四个，有望......
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品(2023-09-03)
三星发布其容量最大的12纳米级32Gb DDR5 DRAM产品;2023年9月1日，宣布采用(nm)级工艺技术，开发出其容量最大的32Gb （
：五代双倍数据率同步动态随机存储器）。这是......
我国科学家研制出首个全模拟光电智能计算芯片(2023-11-16)
Peta-OPS/W，较现有的高性能GPU、TPU等计算架构，提升了400万倍。形象来说，原本供现有芯片工作1小时的电量，可供它工作500多年。
超低成本
光电融合芯片的光学部分的加工最小线宽仅采用百纳米级......
美光2025年量产1γ DRAM，先进制程竞赛继续打响(2023-09-04)
）- 32Gb（4GB），原生速度将在6.4-7.2Gbp。
此外，今年5月三星宣布量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM，9月三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术，开发......
ASML声称美国对中国芯片制造设备进行维护的禁令不会对该公司造成损害(2024-04-28)
制造商无法自由购买先进的晶圆厂设备，但中国的中芯已经购买并安装了大量的先进设备，并且现在可以在7纳米级（甚至可能是5纳米级）制造工艺上生产芯片。但是这些设备需要维护。因此，美国政府现在正在努力说服外国政府停止其芯片......
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证(2023-01-12)
SK海力士第四代10纳米级DDR5服务器DRAM全球首获英特尔认证;·获得近期上市的英特尔CPU“Sapphire Rapids”兼容存储器认证
·以DDR5积极应对服务器市场，提早......
近700亿元，这家存储器厂商拟建设12英寸先进晶圆厂(2021-04-21)
厂房总投资金额约为新台币3,000亿元（约合人民币696亿元），将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划建置EUV极紫外光微影生产技术，月产能约为45,000片晶圆。
此座先进晶圆厂，预估以7......
英特尔即将告别第11代酷睿“Rocket Lake”处理器(2023-02-09)
英特尔即将告别第11代酷睿“Rocket Lake”处理器;
【导读】据tomshardware 2月8日报道，英特尔本周宣布计划停止使用其14纳米级工艺技术制造的高端第 11 代酷......
三星完成HBM4逻辑芯片设计，采自家4纳米制程(2025-01-06)
进制程有助改善HBM4能效与性能表现。
三星试图HBM4采取更积极路线，以挽回HBM3E流失的HBM市占。 除自家4纳米制造逻辑芯片外，HBM4还导入10纳米级1c制程生产DRAM，有望16层堆叠导入无凸块混合键合。......
SoC开发为何需要从原子到系统一贯式设计流程？(2022-12-30)
具备在原子层面进行仿真分析的能力，能够理解材料特性，并能推导材料在工艺或器件级的性能表现。
“设计师需要对材料在纳米级别进行仿真，分析原子在芯片运作时的行为模式，在应用一种新工艺时，设计......
纳米压印光刻，能让国产绕过 ASML 吗(2023-03-20)
取与光学光刻完全相反的方法，即压印瞬间对芯片局部加热，使纳米级形变过程中能严丝合缝地贴合掩膜 [32]。不过，实际生产过程更复杂，除了空气，任何细小的灰尘都会威胁产品的成品率。
多数纳米......
追赶台积电，消息称三星正整合优势资源全力攻关 2nm 工艺(2023-10-13)
官方公布了最新工艺技术路线图，该公司计划在 2025 年推出 2 纳米级的 SF2 工艺，2027 年推出 1.4 纳米级的 SF1.4 工艺。与此同时，该公司还公布了 SF2 工艺的一些特性。
三星......
相关企业
确保技术领先性和产品的先进性。 通过超高效率的粉末处理，依赖成熟的技术工艺，以及严格的质量保证体系，我们能够以人造金刚石行业最低的价格为客户提供从50到1000纳米之间各种尺寸的纳米级和亚微米级金刚石粉，并在超高的生产能力下保持产品的稳定性和一致性。
;南京华意科技有限公司;;4000小时、 8000小时、16000小时、20000小时、24000小时、30000 小时、40000小时、80000小时全合成超级纳米级润滑 剂），在ATLAS
;夏圣按;;本公司是依托学校的研究性企业，出售微米级任何粒径和性能要求的尼龙(系列)粉，可按厂家要求改性。 出售可用于电子产品只有立方晶型和四方晶型的钇掺杂的纳米氧化锆.
;成都纳英光电科技有限责任公司;;本公司（成都纳英光电科技有限责任公司）是一家专业从事生产加工微米级到纳米级的特种器件及光学仪器的企业。本公司秉承十多年来在微光学、微图
;全球资讯榜;;财富排行榜 商业排行榜 人物排行榜 品牌排行榜 娱乐排行榜 电影排行榜 音乐排行榜 艺术排行榜 文学排行榜 书刊排行榜 大学排行榜 国家排行榜 城市排行榜 旅游排行榜 搜索排行
司投巨资经多年潜心研究，反复地实验、创新，改进现已成功掌握了一整套多种无机化工原料、有机化工原料和中草药的纳米级微粉先进的加工技术，对不同软硬度，含结晶水、纤维质的原料均可用物理方法进行纳米级粉粹，并可使加工后的纳米
技术而制成的空气抑菌晶片，晶体微粒可细至20 - 100纳米 (nm), 真正的纳米级技术。这空气抑菌晶体由空调或风扇带动吹到空气中，杀灭空气中和物体表面上的细菌病毒，并防止细菌滋生。因为是纳米级
;东莞市长佑环保产品有限公司;;长佑”隔热防晒漆，由隔热专家潘教授三十年研究，采用中国和美国航天飞行器（如神州五号、神州六号）外部高科技绝热涂层转为民用的一种多功能涂料，主材为进口纳米级
节约能源与环保对世界各国而言都是一项非常重要的工程 中意科技本着不断的创新和研发,将纳米级材料的运用向全市场推进.本着领先的纳米应用技术与光学电科技结合,开发出全新的节能中意LR-T5增光节能灯具,此一崭新的科技产品,利用点光源反射原理,通过
纳米以下的产品在水相中容易获得，要想得到很分散的纳米级粉体比较困难，此设备是当前最好的纳米粉体干燥设备。