近日,美光中国台湾地区董事长卢东晖表示,美光有多达65%的DRAM产品在中国台湾生产,继日本厂于去年10月开始量产1β(1-beta)制程技术后,中国台湾现在也开始量产1-beta制程。
相较上一代的1α(1-alpha)制程,美光最新的1-beta制程功耗降低约15%,位元密度提升超过35%,每颗晶粒容量可达16Gb。
至于更先进的1γ(1-gamma)技术,卢东晖表示新一代的1-gamma制程是美光第1代采用极紫外光(EUV)的制程技术,将在2025年上半年先在台中厂量产。
据悉,目前在美光只有在台中有EUV的制造工厂,因此1-gamma制程势必会先在台中厂量产,未来日本厂也有望导入EUV设备。
当前尽管存储产业仍处于下行周期,但存储大厂对于先进技术的竞赛仍在继续。除了美光外,三星也在积极探索先进制程。
三星在去年10月召开的Samsung Foundry Forum 2022活动上,对外公布了DRAM技术路线图。按照规划,三星将于2023年进入1bnm工艺阶段,芯片容量将达到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB),原生速度将在6.4-7.2Gbp。
此外,今年5月三星宣布量产12纳米级16Gb DDR5 DRAM,9月三星宣布采用12纳米(nm)级工艺技术,开发出其容量最大的32Gb DDR5 DRAM,全新12纳米级32Gb DDR5 DRAM计划于今年年底开始量产。
封面图片来源:拍信网
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