近日，台塑集团旗下DRAM大厂南亚科发布媒体邀请函，表明南林科技园区新建双层无尘室12英寸厂计划将于6月23日举行动土典礼。据悉，此举是是台塑集团投资DRAM存储器、摆脱科技束缚的关键举措。

公开资料显示，台塑集团半导体事业布局广，除了南亚科之外，还有上游硅晶圆厂台胜科、载板厂南电、后段封测厂福懋科，发挥上下游垂直整合综效。南亚科则专注利基型存储芯片。此前南亚科从40纳米到20纳米，每年需要向美光科技支付大量专利授权费。近年来积极投入自主技术研发，2020年初开发出10纳米级DRAM新型存储器技术，同时确立下世代10纳米DRAM将采用自主研发技术，不再走授权模式。

据南亚科规划，该厂房正式采用南亚科技自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划构建EUV极紫外光微影生产技术，月产能约45,000片芯片，预期直接提供2,000个工作机会，并间接创造产业链数千个就业机会。该厂预估以7年分3阶段投资，计划2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产，总投资金额约新台币3,000亿元。

南亚科总经理李培瑛曾指出，新厂预计从第二代10纳米级DRAM制程开始导入，首阶段15,000片月产能，3阶段完成后，将为南亚科增加45,000片月产能。虽较目前每月70,000片产能少，但因制程提升，颗粒产能数量将提升。新厂南亚科也规划构建EUV极紫外光微影生产技术，也有技术研发中心，最终什么制程导入或什么产品导入，还须视市场需求决定。

南亚科第一季说明会李培瑛指出，新厂建照尚未取得加上缺工问题，一直未动土，也影响完工量产时间。除了建设费用提高，也使南亚科位元产能增加有限，仅能借30纳米或20纳米等级制程转换到10纳米等级只小部分提升。不过10纳米级新制程的研发进度符合进程。新厂落成量产时间是否维持原来计划，有待典礼当天南亚科再宣布。

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