4月25日消息，据钜亨网报道，南亚科看好今年DRAM市场前景，将加速开发10 纳米制程技术与DDR5 产品，同时规划新厂扩建。

南亚科表示，今年来自智能手机、服务器数据中心的需求将稳定成长，而供给端的增长幅度有限，综合来看，需求的成长将超过供应端，看好整体产业健康发展。

南亚科董事长吴嘉昭指出，今年预期DRAM 市场售价止跌回升，整体产业可望走出谷底，并迈向成长。南亚科将投入更多的研发资源，加速开发10 纳米级制程技术与DDR5 产品，同时规划新厂扩建，未来将以符合市场需求为目标，逐步增加产出。

对于今年营运计划，南亚科表示，1A 制程试产线已完成建置，今年将持续致力产品试产及良率提升，前导产品8Gb DDR4 预计下半年开始送样认证及小量生产；第二颗为下世代DDR5，正在设计开发，预计下半年开始试产。今年也将同步加速1B 制程技术及产品开发时程，预计第三季开始试产首颗产品。 

除10 纳米级产品线外，南亚科也将持续优化20纳米产品组合，除增加DDR4 最高规格3200Mbps 在服务器及PC OEM 客户认证，提升销售量外，也将加速20 纳米低功率产品推广。LPDDR4X 4267Mbps 最高规格产品正认证中，未来目标市场包括便携型产品、汽车及工业等应用。 

此前报道，南亚科已规划建设一座双层无尘室12寸先进晶圆厂，将采用南亚科自主研发的10纳米级制程技术生产DRAM芯片，及规划建置EUV极紫外光生产技术，月产能约为45,000片晶圆。新厂计划于2021年底动工，2023年底完工，2024年开始第一阶段量产

上述报道称，为应对1A制程技术的量产、新厂房兴建及一般部门资本支出，南亚科今年资本支出上限预计为新台币156亿元。

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