近日，有报道称三星代工厂已决定对其工艺技术进行一次重要的重命名。具体来说，原本被称为SF3的第二代3纳米级制造技术，现在被重新命名为SF2，即2纳米级制造工艺。这一决策可能引发了一系列合同重写的动作。

据ZDNet指出，三星此次的重命名可能是为了简化其工艺命名法，并更好地与即将在今年晚些时候推出2纳米级技术——英特尔20A生产节点的英特尔代工厂进行竞争。至少从视觉上看，这次重命名使得三星在纳米级别上与英特尔保持了一致。

三星在2022年秋季公布的截至2027年的工艺技术路线图中，列出了多个节点，其中包括SF3E、SF4P、SF3、SF4X等。显然，自2024年初以来，三星已经开始通知其客户有关路线图的变化，以及SF3更名为SF2的决策。有报道称，该公司甚至与原本打算使用SF3生产节点的客户重新签订了合同。

“三星电子通知我们，第二代3nm正在更改为2nm，”一位消息人士向ZDNet透露。“去年我们与三星代工厂签订了第二代3纳米生产合同，但最近我们修改了合同，将名称改为2纳米。”

三星计划在2024年下半年开始生产基于现在所谓的SF2的芯片。由于有报道称一位客户不得不因为仅仅重命名工艺技术而重写合同，这似乎表明三星的SF3确实已经更名为SF2，而没有进行任何实质性的技术改动。如果不重新设计，就不可能使用不同的工艺技术来制造专为SF3设计的芯片。

尽管这一信息目前尚未得到三星的官方确认，但它证实了今年早些时候出现的传闻，即三星将在2025年使用其2纳米级工艺技术为一家日本初创公司制造人工智能处理器。

在技术上，三星的SF3（现为SF2）使用了环栅(GAA)晶体管，该技术被三星称为多桥通道场效应晶体管(MBCFET)。然而，与英特尔的20A工艺技术相比，SF3（现为SF2）存在一个主要缺点，即不具备背面供电网络(BSPDN)。英特尔的20A工艺技术不仅引入了GAA晶体管，还引入了背面供电网络，以实现更高的性能和能效。

据报道，继2022年底开始讨论之后，三星代工厂自2023年初以来已经向其客户和合作伙伴传达了这一变化。如果原本被称为SF3的工艺现在更名为SF2，我们怀疑三星的路线图上的其他节点也可能会进行进一步的名称更改，并且前SF2节点也将获得新的名称。这一系列的调整可能会使三星在未来的技术竞争中保持更大的灵活性。