资讯
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
），主要有两种结构形式：N沟道型和P沟道型。
根据场效应原理的不同，分为耗尽型（当栅压为零时有较大漏极电流）和增强型（当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流）两种。
因此......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
LVMOS工艺技术制造是100A、30VN沟道增强型场效应管，可兼容替代尼克森PKC26BB。
PKC26BB替代料SVG032R4NL5特点
■ 100A,30V,RDs(on)(典型值)=2.0mΩ......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
足维修人员需求。
01
什么是MOS管
MOS管即金属氧化物半导体型场效应管，属于场效应管中的绝缘栅型，因此，MOS管有时被称为绝缘栅场效应管，在一般电子电路中，MOS管通常被用于放大电路或开关电路。
1......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化，N沟道增强型功率MOS场效应管......
4个常用的单片机防反接电路(2022-12-08)
本不高。
缺点：一旦接反需要更换保险丝，操作比较麻烦。
3、正接反接都可正常工作的电路
优点：输入端无论怎样接，电路都可以正常工作。
缺点：存在两个二极管的压降，适用于小电流电路。
4、N沟道增强型场效应管......
防反接常用单元电路，收藏了(2024-10-26 11:31:16)
于小电流电路。
04
N沟道增强型场效应管......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
区别在于沉底和载流子不同，下面以N沟道增强型MOS管为例简单介绍下，其结构如下所示:
增强型NMOS管的结构
增强型NMOS管是以P型掺杂硅片为衬底，然后制作两个N型掺杂的区域，再制作一层电介质绝缘层，在两个N型掺......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、 G2管脚的顺序。
４、用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳＮ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
常作为高输入阻抗放大器的输入级。
2.1 基本共源放大电路
共源放大电路采用的是N沟道增强型MOS管，为使它工作在恒流区，在输......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道，功率MOSFET主要是N沟道增强型。
MOSFET的主要特性
通常，Power MOSFET器件参数分为静态、动态、开关特性，其中......
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用(2022-11-28)
RS瑞森半导体低压MOS在小家电的应用;
一、分类
MOSFET是集成电路中带有绝缘层的栅型场效应管，主要分为N沟道和P沟道两大类。其中N沟道MOS管电路中BEEP引脚......
硬件工程师的哲学人生~(2024-10-17 22:45:34)
你爱一个男生，非常笃定的话就和他结婚吧，男生的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男生的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管(2023-02-28)
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
不同的电平信号的MCU怎么通信(2023-01-09)
了电平转换的效果。
到此，该电路就分析完了，这是一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N沟道MOS管和......
不同的电平信号的MCU串口通信(2024-10-24 15:47:14)
三极管是电流放大系数（贝塔β）当基极电流改变一毫安时能引起集电极电流变化多少。
3、场效应管栅极和其它电极是绝缘的，不产生电流；而三......
不同的电平信号的MCU怎么通信？(2024-10-22 16:01:50)
一个双向的串口电平转换电路。
MOS的优势：
1、场效应管的源极S、栅极G、漏极D分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似，图一所示是N......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
金属-氧化物-半导体场效应晶体管，简称场效晶体管。内部结构(以N-MOSFET为例)如下图所示。
MOSFET......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
晶体管，以硅片为秤体，利用扩散工艺制作.......有N沟道和P沟道两个型。不仅如此，它还有两个兄弟，分别是结型场效应管以及晶体场效应管.......
面对这么大一段话，我不......
必看！IGBT基础知识汇总！(2024-01-03)
必看！IGBT基础知识汇总！;
01 是什么？本文引用地址：
，绝缘栅双极型，是由（BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（MOSFET......
电路与人生，这样来理解电路(2024-10-20 12:02:30)
你爱一个男人，就和他结婚吧，男人的爱情就像绝缘栅场效应管，一般不可以测，所以，你千万别用你的闺蜜好友啥的来试他，男人的防线就如模电老师形容那管子一样，一测试就坏，而且，就算坏了，你还......
可控硅控制器工作原理(2024-01-22)
结构的双极型晶体管称为普通双极性晶体三极管简称普通双极管。
(2)场效应管
场效应管的内部含有许多由导电材料构成的栅源和漏源两个电极形成的空间电荷层而构成具有放大能力的器件叫场效应晶体管，也叫绝缘栅......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
生物晶体传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
驱动MOS晶体管的原理类似于结型场效应晶体管，也就是一个耗尽型器件，它可以工作在负、零、甚至略微正偏压条件下[2].由于衬底电压影响与反型层(即导电沟道)相连的耗尽层厚度，通过MOS晶体管的体效应......
川土微电子推出CA-IS38XX系列高速多通道增强型数字隔离器(2022-12-07)
川土微电子推出CA-IS38XX系列高速多通道增强型数字隔离器;
【导读】川土微电子CA-IS38XX高速多通道增强型数字隔离器新品上市！该系列产品可提供宽体、超宽体两种封装。其中......
纯直流场效应管功放电路(2023-06-20)
排动级原理如阁7-26所示。差分输入级采用场效应挛生模块NPD5565S，其参数为VDss=55V，iDss=6～15mA，其输入特性非常好（高输入阻抗），如无NPD5565S，也可用其它小功率N沟道管，耐压......
储能系统的关键零部件——IGBT介绍(2024-10-08 17:04:04)
源变换与传输的核心器件
IGBT可以通俗的理解为是带阀门控制的能控制电子双向（多向）流动的晶体管。IGBT是由BJT双极型三极管和绝缘栅型场效应管MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有 MOSFET金氧半场效......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
）。
栅极电荷损失
所有MOSFET都有一层绝缘层，可以防止电流流过栅极端子——这也是它们与其他类型场效应晶体管的区别所在。然而，严格地说，这种绝缘只能阻挡稳态电流。如图3所示，MOSFET的绝缘栅......
无刷直流电机的三相六臂全桥驱动电路讲解(2023-03-20)
控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305(P沟道)，Q4~Q6为IRFR1205(N沟道)。该场效应管内藏续流二极管，为场效应管......
重庆万国造出自研自产 IGBT 元件，预计今年内实现量产(2022-08-12)
Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有（Metal-Oxide......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-16)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
中国上海，2023年11月16日......
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？(2024-06-14)
请问一下IGBT是如何实现电路控制的？;绝缘栅双极晶体管（英语：Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT），是半导体器件的一种，主要用于新能源电动汽车、及电......
无刷直流马达控制电路(2023-04-25)
机驱动部分使用6个功率场效应管控制输出电压，四轴飞行器中的直流无刷电机驱动电路电源电压为12 V.驱动电路中，Q1~Q3采用IR公司的IRFR5305（P沟道），Q4~Q6为IRFR1205（N 沟道......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17 15:24)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源......
模拟电路入门100个知识点！(2024-11-10 22:13:28)
。
35、场效应管同双极型三极管相比，其输入电阻
大
，热稳定性
好......
涨知识！氮化镓（GaN）器件结构与制造工艺(2024-06-17)
-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种电压控制器件。MOSFET有两种类型，“p沟道”和“n沟道”，这两种类型都可以处于增强或耗尽模式，因此共有四种不同类型的MOSFET......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;全新系列的N通道功率场效应管可供开发人员用于各种应用，包括汽车、绿色能源、工业控制、电源和充电家用电器
安富......
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求(2023-11-17)
e络盟扩充东芝场效应管产品系列，满足全球市场日益增长的需求;
中国上海，2023年11月16日—安富利旗下全球电子元器件产品与解决方案分销商e络盟宣布新增250多种东芝（Toshiba）产品......
豪威集团发布业内最低内阻双N沟道MOSFET(2022-06-30)
在电池包装中起到安全保护开关的作用，其本身对功率的损耗也必须足够低才能满足高效、低发热的要求。
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双N沟道增强型MOSFET，WNMD2196A具有业内同类产品最低内阻，RSS......
吉利科技旗下晶能微电子自研首款车规级 IGBT 产品成功流片(2023-03-16)
(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
均为常闭型 N 沟道场效应管。GAN063-650WSAQ 处理的额定最大漏源电压为 650 伏，可承受 800 伏的瞬态（脉冲宽度小于一微秒）。其额定漏电流为 34.5 安培 (A)，在 25℃ 时的......
什么是SMT分立器件？有哪些类型？内部结构是怎样的？(2024-10-28 11:57:14)
形短引脚，对称分布在长边的两侧，引脚中宽度偏大一点的是集电极，这类封装常见双栅场效应管及高频晶体管。
小功率管额定功率为100～300 mW，电流为10～700 mA......
芯能发布SiC-MOS智能功率模块(2023-07-19)
芯能发布SiC-MOS智能功率模块;
【导读】IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道......
芯能发布SiC－MOS智能功率模块(2023-07-20)
芯能发布SiC－MOS智能功率模块;IPM29- SiC_MOS智能功率模块新产品内部集成了新一代N沟道增强型1200V-SiC_MOSFET芯片与与优化的SOI工艺6通道栅极驱动芯片，作为......
基础知识之IGBT(2024-03-22)
（半导体氧化物）- Semiconductor（半导体）的三层结构的Field-Effect Transistor（场效应晶体管）。
BIPOLAR 是指使用了双极性元件，将称为p型和n型的......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
始人，还是华威大学的电力电子器件专业教授。他领导了额定电压从1200 V到15 kV不等的定制功率器件（绝缘栅双极型晶体管、金氧半场效晶体管和二极管）研发项目，涉及电动汽车、航天、工业机械和电网。他已......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-01-31)
华威大学的电力电子器件专业教授。他领导了额定电压从1200 V到15 kV不等的定制功率器件（绝缘栅双极型晶体管、金氧半场效晶体管和二极管）研发项目，涉及电动汽车、航天、工业机械和电网。他已发表了80多篇论文和3项专利，其工......
罗姆（ROHM）第4代：技术回顾(2023-02-01)
kV碳化硅器件。他凭借论文《碳化硅功率金刚石场效应晶体管的高温电老化和热老化性能及应用注意事项》赢得《电气与电子工程师协会汇刊电力电子学卷》2018年最佳论文奖。自2018年进入业界以来，他领导了新型硅绝缘栅......
中科院上海微系统所在Nature Electronics报道晶圆级范德华接触阵列研究重要进展(2022-05-26)
制备的银转移电极MoS2背栅场效应晶体管阵列照片；（b）10×10晶体管阵列开关比统计结果；（c）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管转移特性；（d）银转移电极MoS2背栅场效应晶体管输出特性曲线。
封面......
相关企业
软启动电路，可以减小在上电过程中变压器的应力，防止变压器饱和。 二，韩国信安品牌MOSFET和士兰的高压MOSFET： TSM1N60M/F/D是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，有TO-251
们共同为电子界携手创造美好繁荣的未来. 专营贴片：微波高中低频三极管,MOS,GaAs,FET,增强型场效应,双栅场效应管,结形场效应管.高频IC电路,CMOS逻辑电路. VCO,CATV,FM,AM,肖特基,变容二极管,PIN,RF
;结型场效应管 深圳市佰�N电子有限公司;;
场赢得良好的口碑与信任。专注于MOS场效应管产品，主要为AOD407、 AO409、AOD442、AOD413A、AOD403、AO4407、AO4435、AO4406、AO4828、AO4824、AO4447A
器、低电压检测IC、P/N沟道场效应管、音频放大IC、EEPROM IC等，广泛应用于数码相机、数码相框、手机、MID平板电脑、小音箱、蓝牙耳机、无线鼠标、车载MP3/MP4、GPS、遥控玩具、机顶
器等电子系列产品上。 MOS管系列包含： （CES2301,CES2312,CES2321,CEM9926,CEM9435,CEM4953 ,CEM8958,单N沟道，单P沟道，双N沟道，N+P沟道）等。
;深圳市福田区华达创谊电子;;深圳市华达创谊电子科技是一家专业从事军工通讯家电医疗设备电子测量信息技术应用电子元件经销商。 经营范围:贴片IC、增强型IC、二（三）极管、单（双）向可控硅、场效应管
;深圳市亿骏捷电子科技有限公司;;深圳市亿骏捷电子科技有限公司 本公司为一般纳税人企业,可开13％增值税发票！ 主要经销的产品有全新原装进口正品MOSFET场效应管、二三极管、单双向可控硅、肖特
；GT60N321等；场效应管TO-3P：2SK1317；2SK2225；2SK1020；2SK2652；2SK2690-01；IGBT驱动片：EXB841；M57962AL等，有着型号全，品种多的元器件库存，并与
.MOS场效应晶体管系列：结型场效应管.低噪声场效应管.高频场效应管.开关场效应管.高输入阻抗场效应管.双栅场效应管.高压场效应管.MOS耗尽型场效应管.CS系列场效应管. 进口晶圆，完全替代IR