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下一个“黑马”赛道，MRAM存储器市场蠢蠢欲动;据日经新闻网报道，近期晶圆代工厂商力积电（PSMC）传出将和日本新创企业合作，目标在2029年量产MRAM，将利用力积电计划在日本兴建的晶圆厂第2期工......
一个维度提升硬盘容量。 但技术瓶颈依然存在，此时就需要新的技术，备受瞩目的技术，便是MRAM（磁阻存储器）。对，没错，人们兜兜转转又将希望放到了“磁”上。 本文是“一级市场”专题第一篇文章，关注MRAM......
——RRAM（阻变存储）、MRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、PCM（PCRAM，相变存储器）。 第一种是RRAM（阻变存储），英飞凌是在这条路线上的最大玩家。 2021年底......
车载MCU，又要变天了(2024-03-11 09:26)
，解决上述几个问题，并扩展MCU的制程继续向前发展，不断突破28nm、22nm乃至16nm。三种存储，三种流派目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内——RRAM（阻变存储）、MRAM......
的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器(PCM，Phase Change Memory)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储器（FRAM/FeRAM......
密度特性，并具有Flash的非易失特性。新型存储技术可主要分为相变存储器?(PCM，Phase Change Memory)、磁变存储器（MRAM）、阻变存储器（RRAM/ReRAM）以及铁电存储器（FRAM......
Magnetoresistive Random Access Memory，SOT-MRAM）阵列芯片，另一方面携手阳明交大研发出工作温度横跨近400度的新兴磁性存储器技术。 工研院表示，这项新兴磁性存储器......
台积电再添“利器”SOT-MRAM 内存：功耗仅为类似技术百分之一; 1 月 18 日消息，台积电携手工业技术研究院（ITRI）在下一代 MRAM 存储器相关技术方面取得突破性进展，成功研发出“自旋......
样品 荷兰埃因霍温——2023年5月22日——恩智浦半导体 近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车......
尺寸最小+功耗最低，三星即将宣布MRAM重要突破;据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。 会议接收的资料显示，三星......
前无法确认哪种新兴内存技术成为最后的赢家，最终取代客户端 PC 和服务器中的 DRAM。 铁电随机存取内存的特点是快速写入周期，但它还有诸多强大的竞争者。这是因为 MRAM、FERAM 和 ReRAM 等多种新型存储器......
的投资力度以及存在同样大的市场需求，MRAM也有望称为未来主流内存产品。 大概十年前，飞思卡尔半导体宣布该公司将与多家创投公司集资成立一间以磁性随机存取存储器(MRAM)为主要产品的独立新公司——EverSpin......
瑞萨推出集成STT－MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能; 瑞萨电子最近宣布，他们已成功研发出自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）的测试芯片。这款芯片以其卓越的读写性能，有望......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能; 瑞萨电子最近宣布，他们已成功研发出自旋转移矩磁阻随机存取存储器（STT-MRAM）的测试芯片。这款芯片以其卓越的读写性能，有望......
达克股票代码：NXPI）近日宣布与台积电合作交付行业首创的采用16纳米FinFET技术的汽车嵌入式MRAM（磁随机存储器）。在向软件定义汽车（SDV）的过渡中，汽车......
解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。 氧化......
电和英飞凌已经在一系列不同应用中就RRAM技术进行了近十年的合作，将TC4x迁移到RRAM将为在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。 目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT......
在微控制器缩小到更小的节点方面开辟新的机遇。 目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。该代工厂还在探索相变RAM（PCRAM）和自旋轨道扭矩MRAM（SOT-MRAM......
结合适用于大容量的选择器与磁性隧道结的单元技术，并应用交叉点型阵列的精细加工技术，在 MRAM 最小的单元半间距 20.5 纳米规模上实现了单元读/写操作。随着存储单元小型化，存储器可靠性往往会下降。双方......
”是什么？ MRAM的全称是Magnetoresistance Random Access Memory，磁致电阻随机存储器。目前，MRAM的诸多研究中，已经可以开始生产的产品结构被称为STT......
将揭晓针对这三种半导体存储器而定制的尖端技术： (1) 一种利用氧化物半导体的新型 DRAM，重点是降低功耗，(2) 适用于更大容量 SCM 应用的 MRAM，以及 (3) 具有......
产品的性能有了更高要求，迫切需要在存储材料和技术方面取得突破。在这些需求的驱动下，相继出现了一些新型非易失存储器，如铁电存储器（FRAM）、相变存储器(PRAM)、磁存储器(MRAM......
是截然不同的两条赛道。 目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内——RRAM（阻变存储）、MRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、PCM（PCRAM，相变存储器）。 当然做进MCU，它们......
是混乱的一年。但当尘埃落定，我们认为2020年的存储器市场仍将持续供过于求。” 当前存储器价格低廉意味着新型存储器的机会不多，因为低价的DRAM和闪存完全可以满足需求。Handy认为：“新型存储器仍然需要经过漫长而艰苦的奋斗才能跟主流存储器......
互联网投资基金、京鹏投资等。 本轮融资将主要用于加强研发团队建设和设备采购，提升产品研发能力，加速磁性随机存储器（MagneticRandom-Access Memory，MRAM）芯片......
芯片项目签约青岛西海岸新区，总投资28.5亿元，分两期在新区建设8英寸、12英寸新一代存储芯片生产线及研发中心，所产芯片将极大提升物联网及汽车芯片存储器性能，将助力新区打造国内存储......
存储器容量小、易失性和高成本等问题，产品主要包含相变存储器（PCM）、阻变存储器（ReRAM）、磁阻存储器（MRAM）和纳米管RAM（NRAM）等。 除了三星之外，今年以来铠侠、字节跳动等公司也在新型存储......
）和磁性存储器（MRAM）等。英飞凌和台积电最近宣布，两家公司正在努力将RRAM添加到英飞凌新一代 AURIX系列 MCU中。RRAM与NAND一样具有非易失性，断电状态下不会失去数据，且允......
的是“一”还是“零”。场切换 MRAM 可能是最接近理想的“通用存储器”的，因为它是非易失性的、快速的并且可以无限循环。因此，它可以用作 NVM 以及 SRAM 和 DRAM......
面向嵌入式领域的MRAM（磁阻存储器）。与传统DRAM相比，eMRAM具备更快存取速度与更高耐用性，不需要像DRAM一样刷新数据，同时写入速度是NAND的1000倍数。 基于上述特性，业界看好eMRAM未来......
电代工厂的40纳米RRAM技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。 目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。 据悉......
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU;11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU......
台积电RRAM技术引入英飞凌汽车MCU;11月25日，英飞凌和台积电宣布，两家公司正准备将台积电的电阻式RAM（RRAM）非易失性存储器（NVM）技术引入英飞凌的下一代AURIX™微控制器（MCU......
美半导体设备巨头科天对欧设备公司Capres收购或已达成协议，欲加强新型存储器布局; 据海外消息人士透露，KLA-Tencor（科天半导体，下简称“科天”）正准......
其称为会变得更低，再加上功耗优势，这让mram称为他们关注的方向。 MRAM的全称是Magnetoresistance Random Access Memory，磁致电阻随机存储器。目前，MRAM的诸......
内存又大又便宜 谁还需要用硬盘;一些高端数据库已经了取消硬盘，直接把数据存在内存里。 无论是家用电器里微小的嵌入式控制器，还是企业级服务器，内存（RAM，随机存取存储器）都是......
为你的智能座驾选择适宜的存储器;从人工驾驶到辅助驾驶再到全自动驾驶，社会正在将人为操纵的一切转向电子控制。尤其是近两年，L3甚至以上的汽车越来越多，自动驾驶和现实的距离就差“一小步”。简单......
凌存科技获得pre-A轮融资，加速存储器MeRAM产业化落地;据园丰资本消息，苏州凌存科技有限公司（以下简称“凌存科技”）战略投资签约仪式举行，本轮系凌存科技pre-A轮融资，由乾......
（相变随机存取存储器）和 MRAM（磁随机存取存储器）等新型存储器是下一代存储技术路线，这些也是“存内计算”的基础技术，从技术特征来看，这些技术有哪些独特性？ 资深......
/新型存储器，如PCM（相变存储器）、FeRAM（铁电存储器）、MRAM(磁性存储器)及ReRAM(阻变存储器)逐渐受到市场的关注。而在四种新型存储器中，ReRAM在密度、工艺制程、成本......
大项目集中开工建设。 其中，总投资30亿元的致真存储芯片制造项目，将在新区建设新一代存储芯片生产线及研发中心，所产芯片将极大提升物联网及汽车芯片存储器性能，助力新区打造国内存储芯片产业新增长极。同时，围绕存储芯片领域，吸引......
系统运行的流畅性。nMCP可实现较高的性能密度、更好的集成度、更低的功耗、更大的灵活性以及更小的成本。助力5G通信模块市场的产品加速上市。 第四款产品是智能引擎全芯小精灵—KOWIN MRAM,新一代非易失性的磁性随机存储器......
超强STM32来袭！意法半导体：已突破20nm工艺壁垒; 【导读】近日，意法半导体宣布推出基于18nm全耗尽绝缘体上硅 (FD-SOI) 技术和嵌入式相变存储器 (ePCM) 的先......
和区域方面是分开的。 考虑到这种类型，由于 SRAM、DRAM 和 MRAM 等半导体在汽车和电子系统中的应用不断增加，到 2032 年，随机存取存储器 (RAM) 部分......
、非易失性存储器如NAND，以及丰富的专用外设，其中存储单元对MCU性能有着重要影响。然而，随着时间的推移，闪存却逐渐开始成为制约MCU提高性能、降低功耗的瓶颈之一，特别是在车用领域。汽车......
上不去制程。 而目前，市场共有三种新型存储器已经开始用在MCU内，并帮助MCU突破制程限制——eRRAM（阻变存储）、eMRAM/STT-MRAM（磁性存储器）、ePCM（PCRAM，相变存储器）。这些......
降低了功耗需求。 目前，太空用非易失性存储器领域有两大领跑者：磁阻RAM (MRAM)和电阻 AM (ReRAM)。MRAM使用磁态来存储数据，而ReRAM使用一种称为忆阻的特性。这两......
谁是存储器市场下一个“宠儿”？;AI浪潮对存储器提出了更高要求，高容量、高性能存储产品重要性正不断凸显，存储产业技术与产能之争也因此愈演愈烈：NAND Flash领域，闪存堆叠层数持续提升；DRAM......
业界在电阻式RAM方面取得更多进展，作为嵌入式存储器替代微控制器flash存储器的一种选择。他说：“我们需要一些独特的方式来跨越flash存储器的门槛。MRAM尚且处于‘早期阶段’。” 恩智浦确定了40种不同类型的嵌入式非易失性存储器......
(SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。 分析师表示，在存储......

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;深圳市琴芯电子有限公司;;联系QQ:2303721985;半导体 无线和射频半导体 PIN 二极管 无线和射频集成电路 射频晶体管 分立半导体 二极管与整流器 分立半导体模块 晶体管 晶闸管 存储器
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;上海英芯电子科技有限公司;;英尚国际有限公司(Ramsun International Limited),是一家专业从 事随机存储器、程序存储器芯片市场推广及销售；公司拥有较为专业的市 场服
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