近日，铠侠（Kioxia）官网宣布其多项创新研究成果，将于2024年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。

据了解，此次发布包括三大创新技术，分别是氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）、高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术、具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术。

氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。

高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器）技术： 与SK海力士联合开发的高容量交叉点MRAM技术，通过将高密度选择器与磁隧道结相结合，实现了业界领先的单元密度。同时，该技术还采用了创新的读出方法，有效降低了读取干扰，提升了存储器的可靠性。这项技术在人工智能和大数据处理等领域具有巨大的应用潜力。MRAM因其非易失性、高速读写、无限写入次数和高可靠性等特性，被认为有望在多种应用领域替代现有的存储技术。MRAM的基本单位为磁隧道结（MTJ），利用材料的磁阻变化来存储数据。

具有水平单元堆叠结构的下一代3D存储技术：铠侠自主研发的下一代3D闪存技术采用水平单元堆叠结构，相比传统的垂直堆叠结构，具有更高的位密度和可靠性。这项创新有望进一步提升闪存的存储容量和性能，满足未来数据存储不断增长的需求。3D DRAM通过垂直堆叠技术，将DRAM单元尺寸大幅减少，提高能效的同时降低单元面积。这种技术有望成为推动DRAM微缩的关键因素，满足不断增长的存储需求和性能要求。

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