11月25日，英飞凌和宣布，两家公司正准备将的电阻式RAM（）非易失性存储器（NVM）技术引的下一代AURIX™微控制器（MCU），并将在的28纳米节点上制造。

自第一个发动机管理系统问世以来，嵌入式闪存微控制器一直是汽车电子控制单元(ECU)的主要构建块。目前，市场上大多数MCU系列都基于嵌入式闪存技术（eFlash）技术。而是嵌入式存储器的下一步，可以进一步扩展到28纳米及以上。

英飞凌AURIX TC4x MCU系列将性能扩展与虚拟化、安全和网络功能的最新趋势相结合，以支持下一代软件定义的车辆和新的E/E架构。

据介绍，基于台积电技术的AURIX微控制器，可提供更高的抗扰度，并允许按位写入而无需擦除，从而实现优于嵌入式闪存的性能。其耐用性和数据保留性能与闪存技术相当。

英飞凌认为，与台积电的合作成功奠定了RRAM在汽车领域的基础，并使其Autrix系列微控制器具有更广泛的供应基础。

基于台积电RRAM技术的AURIX TC4x通过提高ASIL-D性能、人工智能功能和最新的网络接口（包括10Base T1S以太网和CAN-XL）进一步扩大了这一成功。

2018年，台积电开始量产汽车用40纳米eFlash技术，但其40纳米超低功耗嵌入式RRAM技术，完全兼容CMOS工艺，已于2017年底进入风险生产。

2021年，台积电代工厂的40纳米RRAM技术成功进入量产，28纳米和22纳米节点也可作为物联网市场的低成本解决方案。

目前，台积电的非易失性存储器解决方案包括闪存、自旋传递扭矩MRAM（STT-MRAM）和RRAM。

据悉，英飞凌已经将基于台积电28纳米eFlash技术的AURIX TC4x系列样品运送给主要客户，而基于28纳米RRAM技术的首批样品将于2023年底提供给客户。