瑞萨电子最近宣布,他们已成功研发出自旋转移矩磁阻随机存取存储器(STT-MRAM)的测试芯片。这款芯片以其卓越的读写性能,有望为性能要求严苛的微控制器(MCU)提供传统闪存芯片的有力替代品。
随着物联网(IoT)和人工智能(AI)技术的飞速发展,端点设备中的MCU必须提供比以往更高的性能,以满足日益增长的需求。瑞萨电子在谈及他们在内存技术方面的工作时指出:“高性能MCU的CPU时钟频率已达到数百兆赫兹。为了进一步提升性能,我们需要提高嵌入式非易失性存储器的读取速度,以尽量缩小它们与CPU时钟频率之间的差距。”
STT-MRAM,通常简称为MRAM,是一种新型存储器技术,旨在弥合非易失性但相对较慢的闪存与易失性但快速的动态和静态RAM(如SRAM和DRAM)之间的性能差距。它基于自旋的磁存储原理而非传统的电荷或电流存储方式。尽管MRAM的写入速度已被证明相当高,但其读取操作传统上却存在延迟——这正是瑞萨电子此次研发工作的重点。
为了提升读取速度,瑞萨电子的测试芯片采用了两种新机制:一是根据实际测试将给定芯片的参考电流与单元分布的中心对齐;二是减少读出放大器的偏移。结合这些创新以及新的连接方法,该芯片实现了瑞萨电子所称的“世界上最快的随机读取访问时间”——仅需4.2纳秒(ns),这意味着它能够在200MHz甚至更高的频率下顺畅运行。
此外,瑞萨电子还利用他们于2021年12月首次开发的技术提升了该芯片的写入性能。通过调整从输入到输出的降压电压,他们成功地将性能提高了80%,使得测试芯片的写入速度持续达到10.4MB/s。最后,为了增加芯片的灵活性,瑞萨电子还集成了基于MRAM存储单元击穿技术的0.3Mb一次性可编程(OTP)存储器,该存储器可在需要时进行现场写入操作。
瑞萨电子在2024年国际固态电路会议(ISSCC 2024)上展示了他们的这一重要研究成果,但关于该技术的商业化时间表,他们尚未给出具体信息。尽管如此,这一突破性的进展无疑为物联网和人工智能领域的高性能MCU提供了新的发展方向和可能性。