据外媒报道，三星电子即将在国际电子器件会议（IEDM）上报告其在新一代非易失性存储器件领域的最新研究进展。

会议接收的资料显示，三星研究人员在14nm FinFET逻辑工艺平台上实现了磁性隧道结堆叠的磁阻式随机存取存储器(MRAM)制造，据称是目前世界上尺寸最小、功耗最低的非易失性存储器。

该团队采用三星28nm嵌入式MRAM，并将磁性隧道结扩展到14nm FinFET逻辑工艺。三星研究人员将在12月召开的国际电子器件会议上就此进行报告。

论文中提到，该团队生产了一个独立的存储器，其写入能量要求为每比特25pJ，读取的有效功率要求为14mW，写入的有效功率要求为27mW，数据速率为每秒54Mbyte。

为了实现这一性能，研究团队将磁性隧道结缩小到三星的14nm FinFET逻辑平台，与上一代28nm节点的MRAM相比，面积增加了33%，读取时间加快了2.6倍。

该研究的目标之一是证明嵌入式MRAM作为高速缓存存储器适用于依赖大型数据集和分析的应用，例如边缘AI。

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