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MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
利用反证方式来看看MOS管作为开关时的连接方式。
NMOS和PMOS 的开关连接方式是不同的。
NMOS管：D极接输入，S极接输出，（正常导通）
PMOS管：S极接......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
单节锂电池产生高电压来运行电机。
下图为
升压转换器的简化原理图
，由
电容
、
电感
、
MOS 管
和......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
、60V的电流、电压， RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，和ao mos管 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
去耦电容都会通过两个器件快速放电，这会导致通过两个开关设备的电流脉冲非常短但非常强。
通过允许开关转换之间的死区时间（在此期间两个 mos 管 均不导通），可以最大限度地减少发生击穿的机会，这允......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
另一对MOS管2相Q3导通的时候(此时必须保证Q1和Q4关断)，电流从右至左流过电机，从而驱动电机沿逆时针方向转动。驱动电机时，保证H桥两......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等;据投资界消息，半导体功率器件厂商安建半导体已于近日获1.8亿元B轮融资，募集资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
在充电，一个MOS管GS电容在放电，这样会存在两个管子同时导通的情况，一个管子还没关断，另一个管子就开通了，从而造成VCC和GND短路。
解决上述问题，只需确保一个管子导通前，另一......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
动电路详解
1、简介
在学习此部分之前，需要先掌握基础H桥驱动的工作原理，具体可参看此篇博客：电机驱动芯片（H桥、直流电机驱动方式）
自行搭建的H桥驱动电路一般都包括两个部分：半桥/全桥驱动芯片和MOS管......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
冲击电流限制法电路
D1用来限制MOS管 Q1的栅源电压。元器件R1，C1和D2用来保证MOS管Q1在刚上电时保持关断状态。
上电后，MOS管的栅极电压要慢慢上升，当栅源电压Vgs高到一定程度后，二极......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
果漏源极不加保护电路，同样有可能因为器件开关瞬间电流的突变而产生漏极尖峰电压，进而损坏MOS管，功率管开关速度越快，产生的过电压也就越高。为了防止器件损坏，通常采用齐纳二极管钳位(图中D901)和RC缓冲......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
压控型，导通由G和S极之间压差决定。
对NMOS来说，Vg-Vs>Vgs(th)，即G极和S极的压差大于一定值，MOS管会导通，但是也不能大太多，否则烧坏MOS管，开启......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施;在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大电压范围。
d. **VDSS（漏源间可承受的最大电压差值）**：该值一般我们看最小电压值，在实际设计中mos管DS端的电压差值也应远小于该值，并留有较大余量。（例如该mos管为75V，那么......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
须清楚这个参数是否符合需求。
解释2：n型
上图表示的是p型mos管，读者可以依据此图理解n型的，都是反过来即可，因此，不难理解，n型的如图在栅极加正压会导致导通，而p型的相反。
解释3：增强型
相对于耗尽型，增强......
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析(2024-11-17 11:29:59)
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析;
开关电源开关管(MOS管)，有几种驱动电路？你都知道哪一种？
......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
要组成部分
。
因此，值得关注的是，储能逆变器内使用的半导体器件有：IGBT、MOS管、MCU、电源管理芯片、电容、PCB板等，
其中IGBT、MOS管......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
浪涌电流是什么意思？如何抑制浪涌电流？4种浪涌电流抑制电路(2024-06-24)
Vgs电压的升高而变小。
-Vgs>-Vgs(th) 和 -Vgd<-Vgs(th)MOS管 处于饱和模式。Id是固定值，不随Vds变化。而且MOSFET的导通电阻很低，适合......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示：
从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称......
STM32单片机的八种GPIO口模式(2024-08-22)
-MOS管和N-MOS管：
由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：
信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是......
单片机中常见GPIO的八种工作模式详解(2024-06-19)
上下两边两个二极管用于防止引脚外部过高、过低的电压输入。当引脚电压高于VDD时，上方的二极管导通；当引脚电压低于VSS时，下方的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。也叫钳位二极管。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
换电路
当 SDA1 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs = 0，MOS 管关闭，SDA2 被电阻 R3 上拉到 5V。
当 SDA1 输出低电平时：MOS 管 Q1 的......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
路电源，反向电压瞬间被控制在肖特基二极管的正向压降，负载应该没事。这个瞬间反向大电流又会让比较器动作，关闭MOS 管。
NMOS 电路的振荡电路
振荡器的频率由R5 和C5......
申矽凌自动检测方向的开关型电平转换器产品系列(2023-06-15)
芯片设计师在开关型电平转换结构的基础上，又增加了沿加速电路（包括两个Oneshot电路及对应控制的两个MOS管T1和T2）。
图3 四通......
STM32的GPIO工作原理详解(2023-05-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO介绍及电路图讲解(2023-07-19)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N......
STM32的GPIO详细介绍(2023-06-25)
-MOS 管和 N-MOS 管：由 P-MOS 管和 N-MOS 管组成的单元电路使得 GPIO 具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL 肖特基触发器：信号......
过流保护的电路方案——限制的电流1A是怎么来的？(2024-02-26)
有一个P沟道的MOS管，它是作为一种功率开关，控制输出的电压VOUT。也就是说，NCP380芯片，本质上可以把它看成一个MOS管。当MOS管导通，5V电压就可以输出；当MOS管关闭，5V电压......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
正常工作时的损耗。
优缺点分析：
（3）方案三：串入MOS管
该方案是在输入回路串入MOS管（需外加控制电路），利用MOS的可变电阻区进行电流抑制，适用小功率输入冲击电流抑制。
工作......
三相直流无刷电机驱动电路图解(2023-04-25)
母线电压采样电路
霍尔编码器驱动电路
1.三相逆变全桥电路
三相逆变桥电路采用IR2101S加MOS驱动方式。IR2101S本身是半桥驱动，采用上桥跟下桥驱动方式，也就是一路驱动需要1个IR2101S和2......
推挽电路驱动mos管工作原理及应用(2024-10-08 11:25:02)
推挽电路驱动mos管工作原理及应用;
看了该文章可以知道什么？
1.推挽电路
2.为什么要用推挽电路驱动mos管
......
STM32 GPIO工作原理详解(2023-03-20)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
如何构建脉宽调制信号发生器？看这一文(2024-06-25)
控制 MOS管 Q1。
该MOS管型号为IRF540。
D1是一个LED，通过信号变亮或者变暗。
二极管D2 可以防止来自感性负载（由电机产生）的反电动势损坏MOS管。
通过电阻 R1、R2、 R3......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
亦商亦儒 躬身入局半导体江湖——专访深圳市萨科微半导体有限公司总经理宋仕强(2022-05-14)
韩国延世大学团队的SiC MOS和SiC SBD管产品，应用于中国市场的新能源汽车。
“我在准备成立萨科微半导体之初，认认真真地做过功率器件和mos管的市场调查和产业链研究，查阅......
一种低电压、低功耗模拟电路设计方案(2024-07-23)
的衬底驱动电流镜结构即本文提出的低电压电流镜如图1(b)所示，这种电流镜用衬底-漏极连接代替传统简单电流镜结构里的栅极-漏极连接[3].当然，M3和M4通过衬底连接而不是栅极，而N型MOS管M3和M4的栅......
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;深圳亚思迈拓有限公司;;主要代理MCU和MOS管
;恒嘉兴电子;;微盟授权代理主要经营国内、外知名品牌稳压、升压、检测、复位、锂电池充电保护管理IC、LED驱动IC和MOS管
;博飞特科技有限公司;;IC批发： 1.EEPROM存储器 -AT24C01/02/04/08/16/32/64/128/256 -AT93C46/56/66 2.MOS管 -电动车控制器MOS管元
;深圳市喜利恒科技有限公司销售二部;;深圳市喜利恒科技有限公司 专营 AOS 轻小封装 MOS管 只做市场 只有实报 支持含税 诚信实报 - 品质如生命 价格优势 支持对比 技术支持 多位
主要产品是江苏供应长电全系列二/三极管，晶体管，MOS管，压敏电阻，TVS管，整流管，稳压管，双晶体管，数字晶体管，镇流器专用开关晶体管等被动元器件。 公司秉承想客户之所想，急客户之所急的经营思路，快速，高效，灵活
;无锡华胜光浦;;无锡华胜机电科技有限公司是美国朗特lto-dms公司在无锡唯一的旗舰直销商，现货提供美国原装电动车MOS管，型号DMFP75N075B，DMFP84N06N，完美
;嘉美电子;;际整流器公司（IOR）.VISHAY.FAIRCHILD是全球领先的功率管理技术领导企业。IR .VISHAY .FAIRCHILD的模拟和混合信号集成电路、集成功率系统和功率MOS管
;黄云;;MOS管
;爱尔泰（香港）有限公司;;我司是KEC一级代理、JK一级代理，BYD一级代理，昂宝On-Bright一级代理，专业销售KEC的MOS管，BYD高压MOS管，JK自恢复保险丝，昂宝IC以及
;深圳市海泽微电子科技有限公司;;深圳市海泽微电子科技有限公司 代理经销批发的二三极管、ESD防静电保护管、TVS管、MOS管、二三极管、ESD防静电保护管、TVS管、MOS管畅销消费者市场，在消