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英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择(2023-07-26)
英诺赛科多款TO封装GaN强势出货，为电源设计提供丰富选择;
【导读】英诺赛科推出多款采用TO252 / TO220 封装的直驱氮化镓芯片，基于先进的8英寸硅基氮化镓技术，耐压从650V......
MOSFET在汽车电子上的应用(2024-06-20)
为其能够耐受汽车电子系统中常遇到的掉载和系统能量突变等引起的瞬态高压现象，且其封装简单，主要采用TO220 和 TO247封装。同时，电动车窗、燃油喷射、间歇式雨刷和巡航控制等应用已逐渐成为大多数汽车的标配，在设......
常用的锂电池充电IC芯片(2023-02-24)
值8.4V 充电电流600毫安 单灯指示 线性SOP8
FS4059A 5V输入充8.4V芯片 充电1A 单灯指示 双节内置MOS管 SOP8
FS4062A 5V输入充8.4V芯片 充电4A 单灯......
60v mos管万代ao4264E/威兆VS6410AS替代料SVGP069R5NSA(2023-09-12)
、60V的电流、电压， RDS(on) = 8.0mΩ(typ) ，最高栅源电压@VGS =±20 V，和ao mos管 60v AO4264E/威兆VS6410AS封装、电压、导通......
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5(2023-09-26)
30V MOS管N沟道PKC26BB替代料SVG032R4NL5;MOS管是电压控制电流器件，用栅极电压的变化控制漏极电流的变化。有P沟道MOS管和N沟道MOS管，SVG032R4NL5采用......
英诺赛科推出高性价比120W氮化镓方案，采用TO封装，效率达94.6%(2023-03-10)
化量产使氮化镓成本在行业中具备较强的竞争优势。
近期还推出了采用TO252 / TO220封装的氮化镓新品，并将其应用在120W 双面板适配器方案中，将高效率、高功......
功率MOS管总烧毁，看看是不是这些原因？(2024-09-27 19:49:51)
去耦电容都会通过两个器件快速放电，这会导致通过两个开关设备的电流脉冲非常短但非常强。
通过允许开关转换之间的死区时间（在此期间两个 mos 管 均不导通），可以最大限度地减少发生击穿的机会，这允......
储能逆变器带动哪电力电子器件？(2024-10-18 17:33:25)
要组成部分
。
因此，值得关注的是，储能逆变器内使用的半导体器件有：IGBT、MOS管、MCU、电源管理芯片、电容、PCB板等，
其中IGBT、MOS管......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
&Coss小、开关时间Ton&Toff短的MOS管，以保证数据通信正常。
6、封装
根据PCB板的尺寸，选择合适的NMOS管尺寸，在板载面积有限的情况下，尽可能选择小封装；尽量选择常见封装......
常用电平转换电路汇总！~(2024-11-24 22:52:40)
换电路
当 SDA1 输出高电平时：MOS 管 Q1 的 Vgs = 0，MOS 管关闭，SDA2 被电阻 R3 上拉到 5V。
当 SDA1 输出低电平时：MOS 管 Q1 的......
摊牌了，MOS管的真面目！(2025-01-01 18:07:51)
马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动MOS管。
MOS管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通DS，栅极......
申矽凌自动检测方向的开关型电平转换器产品系列(2023-06-15)
芯片设计师在开关型电平转换结构的基础上，又增加了沿加速电路（包括两个Oneshot电路及对应控制的两个MOS管T1和T2）。
图3 四通......
初学者，这样认识电阻，电容，二极管，三极管？(2024-12-05 18:40:15)
放的电路中用于放大作用。
MOS管，大多都是TO-220的封装，用在开关电源中，用作开关管，频率高，内阻小。
可控硅，有TO-92的封装和TO-220的封装，可以控制交流，可以控制直流，应用......
【干货】4种升压转换短路保护总结，图文结合，一文帮你快速搞定(2024-11-11 23:11:45)
单节锂电池产生高电压来运行电机。
下图为
升压转换器的简化原理图
，由
电容
、
电感
、
MOS 管
和......
H桥电机驱动解析(2024-03-04)
理图和PCB采用的是网上分享的电路设计（IR2104半桥驱动+LR7843MOS管），为了便于焊接，对其中的一些封装进行了修改，并重新布线。
该电机驱动板有两个H桥电路，可以同时控制双路电机。可通......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
NMOS和PMOS详解;一、简介本文引用地址：MOS管，是的缩写。金属-氧化物半导体场效应晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect......
解析开关电源的冲击电流的几种控制方法(2024-06-10)
来作为积分器对MOS管的开关特性进行精确控制。控制了漏极电压线性度就能精确控制冲击电流。
3.2.2电路描述：
图9所示为基于MOS管的自启动有源冲击电流限制法电路。MOS管
Q1放在DC/DC电源......
MOS管在电路中两大作用？(2024-10-25 10:56:18)
利用反证方式来看看MOS管作为开关时的连接方式。
NMOS和PMOS 的开关连接方式是不同的。
NMOS管：D极接输入，S极接输出，（正常导通）
PMOS管：S极接......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
荷，会导致mos管误触发，可靠的放电电路还是需要依赖mos管g极->D507->驱动芯片地回路来进行可靠的放电。
3）防护漏源极之间过电压 :
虽然漏源击穿电压VDS一般都很大，但如......
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管(2022-11-29)
【干货】抛开教材，从实用的角度聊聊MOS管;我们把单片机的一个IO口接到这个的gate端口，就可以控制这个灯泡的亮灭了。当然别忘了供电。当这个单片机的IO口输出为高的时候，NMOS就等......
基于比较器的过压保护电路设计方案（完整版）(2024-06-17)
后具有高阻态输出，对被控主回路影响很小；
（5）SOT-23-6封装，小尺寸6脚贴片安装。
2.选择MOS管（电路拓扑已选P沟道）
选择MOS管时，主要考虑栅源电压（Ugs，通常约为20V）、漏源......
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析(2024-11-17 11:29:59)
4种开关电源开关管(MOS管)驱动电路分析;
开关电源开关管(MOS管)，有几种驱动电路？你都知道哪一种？
......
电机驱动之PWM互补输出死区时间设定(2024-07-19)
色圈内的波形，高低电平相反，我们把这种波形称为互补PWM波形。
图1
二、添加死区原因
上图1红圈里的互补PWM输出会造成问题的，首先，半导体器件内部都有结电容的，列如MOS管，MOS管导通，需要......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
这个二极管决定了源极和漏极，这样，封装也就固定了，便于实用。
我的老师年轻时用过不带二极管的mos管，非常容易被静电击穿，平时要放在铁质罐子里，它的源极和漏极就是随便接。
解释5：金属氧化物膜
图中有指示，这个膜是绝缘的，用来......
安建半导体获1.8亿元B轮融资，用于MOS和IGBT全系列产品开发等(2022-03-25)
列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。
据悉，安建半导体成立于2016年，目前产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中低电压的SGT-MOS管、高电压的SJ-MOS管......
直流电动机的工作原理简述 直流电机工作原理图 直流电机有几种类型(2024-07-12)
电源负极。按图中电流箭头所示，该流向的电流将驱动电机顺时针转动。
另一对MOS管2相Q3导通的时候(此时必须保证Q1和Q4关断)，电流从右至左流过电机，从而驱动电机沿逆时针方向转动。驱动电机时，保证H桥两......
电源防反接和防倒灌 - 使用MOS 管和运放实现理想二极管(2024-10-21 20:54:06)
对小信号的检测。
为了消除偏置电路引入的噪声和漂移，同时还能提供足够的电流用来驱动MOS 管，比较器的公共端（接地端）悬空连接到电源电压（
V B A T T V_{BATT......
电动车窗开关中MOS管的应用解析(2024-08-16)
地提高了其使用寿命和安全性。
MOS 管 的 优 越 性 能
MOS管以其卓越的开关特性而闻名，能够在微秒级别内迅速切换电流。这为电动车窗的开关提供了高效的能耗管理，显著减少了功率损耗，使得......
在ROS学习平台中常常使用到的直流电机控制原理与驱动电路(2023-09-18)
值电压为4V。但是只是使用4V电压进行驱动MOS管时，MOS管Rds比较大，MOS管不能流过过大电流，如下图所示：
从图中可以看出，随着栅源电压的增大MOS管的通流能力也就随着增大。所以......
MOS管在汽车LED 中的应用方案(2024-07-09)
适合的MOSFET可降低开关损耗，提高电源效率。选型时考虑功率、电压、电流承受、开关速度、热特性和封装类型。微碧半导体的MOSFET产品具有卓越性能和可靠性，为汽车LED驱动提供解决方案。
MOS管在......
pwm风扇转速怎么调节 风扇电机调速电路的PWM波形(2024-07-22)
视频体验下：
2、同时测量MOS管Q1的栅极G和漏极D：
波形如下：
栅极G（黄色波形）为低电平时，在MOS管关断的瞬间，漏极D（紫色波形）上由电机产生感应电动势的峰峰值，竟然高达约28V：
查看......
STM32的GPIO介绍(2024-02-03)
尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽......
STM32中GPIO工作原理详解(2024-10-26 11:28:55)
烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里......
MOS管的导通条件和MOS驱动电流计算(2023-12-20)
能承受的最大电压范围。
d. **VDSS（漏源间可承受的最大电压差值）**：该值一般我们看最小电压值，在实际设计中mos管DS端的电压差值也应远小于该值，并留有较大余量。（例如该mos管为75V，那么......
STM32的GPIO电路原理详解(2023-06-15)
管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟......
STM32的GPIO电路原理(2023-01-09)
-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。这里的电路会在下面很详细地分析到。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数......
详解STM32单片机GPIO的工作原理(2024-04-15)
-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模式。
TTL肖特基触发器：信号经过触发器后，模拟信号转化为0和1的数字信号。但是，当GPIO......
MOS管开通过程的米勒效应及应对措施(2023-02-14)
看出这是一个负反馈的过程。所以Cgd也叫反馈电容。
2. 米勒电容在MOS开通过程中带来的问题
1. dv/dt 限制
当MOS管 DS两端电压迅速上升的时，通过Cgd所产生电流在MOS管GS两端......
STM32的八种GPIO工作方式详解(2023-06-09)
的二极管导通，防止不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和......
STM32的GPIO工作方式与基本结构(2023-07-19)
不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组成的单元电路使得GPIO具有“推挽输出”和“开漏输出”的模......
STM32的GPIO工作原理(2023-03-07)
不正常电压引入芯片导致芯片烧毁。但是尽管如此，还是不能直接外接大功率器件，须加大功率及隔离电路驱动，防止烧坏芯片或者外接器件无法正常工作。
P-MOS管和N-MOS管：由P-MOS管和N-MOS管组......
带不带软启动有什么区别？来看这个MOS管电源开关电路(2024-12-31 09:43:27)
+5V上电，Q2基极被拉低到地，三极管关闭，随后MOS管Q1关闭。
这是因为电源+5V还不稳定，电源无法打开向后级电路输出。
此时电源+5V刚上电，MOS管的G极和S极同......
矽力杰集成功率级DrMOS方案(2023-02-20)
案逐渐被取代，SPS/的解决方案凭借更好的性能表现成为主流。本文引用地址：
01 方案
SQ29663采用业界标准封装，芯片内部集成两个高性能的MOS和驱动及控制单元，通过......
输入冲击电流抑制电路设计(2023-08-09)
正常工作时的损耗。
优缺点分析：
（3）方案三：串入MOS管
该方案是在输入回路串入MOS管（需外加控制电路），利用MOS的可变电阻区进行电流抑制，适用小功率输入冲击电流抑制。
工作......
推挽电路驱动mos管工作原理及应用(2024-10-08 11:25:02)
推挽电路驱动mos管工作原理及应用;
看了该文章可以知道什么？
1.推挽电路
2.为什么要用推挽电路驱动mos管
......
电机驱动电路的两种设计方案解析(2023-01-12)
培!而且也有其可替代产品 BTN7970，它的驱动电流最大也能达七十几安!
其内部结构基本相同如下：
每片芯片的内部有两个 MOS 管，当 IN 输入高电平时上边的 MOS 管导通，常称为高边 MOS......
如何构建脉宽调制信号发生器？看这一文(2024-06-25)
控制 MOS管 Q1。
该MOS管型号为IRF540。
D1是一个LED，通过信号变亮或者变暗。
二极管D2 可以防止来自感性负载（由电机产生）的反电动势损坏MOS管。
通过电阻 R1、R2、 R3......
英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准(2023-04-13)
多世纪以来，JEDEC组织持续领导全球微电子产业进行各项技术，包括封装外型的开放式标准的开发以及出版物编写工作。JEDEC广泛纳入了各种半导体封装，例如 TO220 和 TO247 通孔器件 (THD)——这类......
彻底弄清MOS管 （NMOS为例(2024-01-30)
彻底弄清MOS管 （NMOS为例;来自专栏芯片基础课
说来惭愧，大二学了一遍模电数电，考研专业课又学了一遍模电数电，但拿到如下这张mos管结构图，让我立马说出：【这是什么型mos管，标准......
IGBT在新能源汽车上的应用(2024-10-22 08:01:16)
就要寻求新的突破
点
。
02
MOS管如何呢？
MOS管，又称......
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