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两家国产企业半导体设备有新进展;瑶光半导体激光退火设备顺利验收 据瑶光半导体官微消息，近日，瑶光半导体激光退火设备顺利通过验收。 source:瑶光半导体 该设备......
瑶光半导体宣布自研的SiC激光退火设备交付;9月26日，瑶光半导体公司（下文简称“瑶光半导体”）公众号发文称，公司自研的首批SiC激光退火设备ES500-2量产下线，并举行了交付仪式。 SiC......
省量子计算工程研究中心副主任贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以在生产过程中灵活调节多比特超导量子芯片中量子比特的关键参数。同时，该设备还可用于半导体集成电路芯片、材料表面局域改性处理等领域，目前......
中国科研团队研制成功“量子芯片激光手术刀”; 3日从安徽省量子计算工程研究中心获悉，中国首个专用于量子芯片生产的激光退火仪研制成功，该设备可解决量子芯片位数增加时的工艺不稳定因素，像“手术......
精科成立于2012年5月，主营业务为集成电路制造装备及关键零部件的研发和产业化。目前产品包括光刻机双工件台及其衍生产品超精密运动平台、激光退火设备、晶圆键合设备、晶圆传输系统、主被动隔振器、静电......
比特位数越高，其计算能力越强。 “为了解决更高位数量子计算机中的多比特量子芯片生产问题，我们自主研发了该设备。”贾志龙表示，这台激光退火仪拥有正向和负向两种激光退火方式，可以......
现量子比特电阻快速精准测量，它的应用，可以缩短量子芯片的研发周期，提高量子芯片良品率，目前安徽省量子计算工程研究中心已研发出了NDPT-100无损探针仪。 而“刻蚀机”叫做“激光退火仪”，它是与“无损......
指标满足产品规范，项目成功通线...详情请点击 5 国内半导体设备再突破 据合肥日报报道，国内首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪（简称“激光退火仪”）已研......
金属膜层刻蚀机、化学气相沉积设备、物理气相沉积装备、化学机械抛光机、激光退火装备、光学线宽量测装备等。 封面图片来源：拍信网......
8英寸SiC领域现强强联合！;据报道，近日，新加坡科学技术研究局 (A * STAR) 下属研究机构微电子研究所 (IME) 与德国扩散及退火设备供应商centrotherm......
月，进入晶圆制造领域，产学研合作引进激光退火项目。 产品方面，莱普科技已推出IGBT晶圆激光退火、SiC晶圆激光退火、激光诱导结晶设备、激光诱导外延生长设备等众多产品，主要应用于晶圆制造、先进......
从 50-100 µOhm-cm2 降低至 5 µOhm-cm2。 Soitec 声称的降低背面接触电阻率的值源自 2022 年向 ICSCRM 的演示。他们发现，未经激光退火的SmartSiC 衬底的接触电阻率比经过激光退火......
及应用方案，其中干法去胶、快速热处理、毫秒级快速退火设备在各自细分领域的市场份额均处于世界前列，主要客户涵盖全球主要芯片制造厂商。 信息显示，屹唐半导体北京工厂2018年4月开工建设，2018年9月建......
结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏电流仅为2.5 µA，因此降低了导通损耗，确保......
飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN等材料的加工工艺，并一......
全切机，并首次公开展出工业级多波段脉冲激光器、100W飞秒激光器等。碳化硅领域，大族半导体主要带来SiC 晶锭激光切片设备、SiC激光退火设备等产品。据悉，大族半导体主研应用于硅、SiC、砷化镓、GaN......
A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封装和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极......
需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延片表面缺陷检测和计量。近几年是国产设备厂商的黄金发展3年，我国上述设备在近几年得到较快发展。 在碳......
2L（TO-263AB 2L）表面贴装封装。由于采用MPS结构——利用激光退火背面减薄技术——二极管电容电荷低至28 nC，正向压降减小为1.35 V。此外，器件25 °C下典型反向漏电流仅为2.5......
（LPCVD法）、金刚石单晶生长及外延设备（MPCVD法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。其在第三代、第四......
法）、氮化铝晶体生长设备（PVT法）、碳化硅粉料合成设备、碳化硅晶锭及晶片退火设备和碳化硅晶片氧化设备。 此外，杭州晶驰机电科技有限公司10月初宣布，公司完成数千万首轮融资，由河......
的超导24比特 据介绍，位于安徽合肥的这条生产线于2022年1月投入运营，在这一年的时间里，陆续导入24台生产相关的工艺设备，孵化出了3套自研的量子芯片专用设备（见此前报道我国首台用于量子芯片生产的激光退火......
成功过会。 公开资料显示，拉普拉斯是一家领先的高效光伏电池片核心工艺设备及解决方案提供商，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。公司热制程设备主要包括硼扩散、磷扩散、氧化及退火设备......
热蒸发系统（VTE）等TFT薄膜沉积设备，涂胶机、曝光机、干湿法刻蚀机等TFT图形制作设备，退火炉、退火气体管道、激光退火设备等TFT退火设备，TFT电学测试设备、OLED光学测试设备等检测设备，激光修补机等缺陷检测修补设备......
首个专用于量子芯片生产的MLLAS-100激光退火仪研制成功。2022年底，华为公布的超导量子芯片专利，此项技术可有效降低量子比特之间的串扰难题，大幅提升量子芯片的良率，这是......
是集成电路产业链自主可控的核心环节，可以分为IC制造设备和封测设备两大类。IC制造设备大致可以分为11大类，50多种机型，其核心有光刻机、刻蚀机、薄膜沉积机、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备......
一提的是，去年5月，季华恒一自主研发的高温离子注入设备交付客户，可兼容4至8英寸碳化硅晶片的离子注入工艺；同年12月碳化硅激光退火设备再次交付新订单。 明年7月将投产，长飞先进200亿元......
栅型场效应管）组成的复合型功率半导体器件，由于其能够提高用电效率和质量，应用潜力很大，在新能源汽车、轨道交通、电力传输中不可或缺。 华虹宏力拥有背面薄片、背面高能离子注入、背面激光退火......
品质因数1.3GHz超导加速模组研发上取得了重大突破和创新成果，在国际上率先实现了中温退火高品质因数超导腔模组技术路线，具有完全自主知识产权，使我国高品质因数超导加速器技术走在了国际前沿。 1.3GHz......
（包括刻蚀设备、薄膜沉积设备、立式炉设备、 清洗设备、退火设备及外延设备等）、新兴半导体设备、半导体照明(LED)设备和光伏设备。主要应用于集成电路、新兴半导体、半导体照明（LED）、新能源 光伏......
中电科48所碳化硅设备批量交付;1月9日，据中国电科48所官微消息，中国电科48所立式氧化炉近日完成批量交付。 立式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造关键工艺设备，主要用于高温氧化及退火......
器，包括盘式激光器、光纤激光器和DSSP激光器，以及晶圆切割、退火和太阳能电池加工应用。能够处理更高功率（高达100W）和短脉冲（≥500飞秒），从而可实现冷激光加工并最大限度地减少热影响区（HAZ......
率器件领域，该公司形成了完整的技术和产品布局，积累了丰富的研发和 生产经验，建立了国内领先的工艺平台。在 IGBT方面，该公司具备深沟槽刻蚀、 超薄减薄工艺、高能注入、平坦化工艺、激光退火、双面......
RTP快速退火炉提高SiC晶体生长质量;SiC器件制造过程主要包括“光刻、清洗、掺杂、蚀刻、成膜、减薄”等工艺，其中，离子注入工艺是SiC掺杂的重要步骤，以满足SiC器件耐高压、大电......
中国科大首次研制出氧化镓垂直槽栅场效应晶体管;近日，中国科学技术大学微电子学院龙世兵教授课题组联合中科院苏州纳米所加工平台在氧化镓功率电子器件领域取得重要进展，分别采用氧气氛围退火和N离子......
氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造关键工艺设备，主要用于高温氧化及退火工艺。 据悉，氧化退火对于碳化硅功率器件制造至关重要。氧化退火处理能够优化碳化硅表面的氧化层结构，形成......
于第三代半导体。这项计划包括建立一条试验生产线，配备I线光刻设备、光刻胶显影工具、高温离子注入机、高温退火炉和薄膜工具等必要工具。 据香港特区政府创新科技及工业局局长孙东介绍，特区......
的特性使它还适用于实验室的其他功能，所以这也节省了我们购买脉冲激光和调制生成器等其它设备的费用。为了开发DDS功能，我们与Spectrum仪器公司展开了密切的合作。目前，我们也正在努力扩大DDS功能......
及解决方案提供商，主营业务为光伏电池片制造所需高性能热制程、镀膜及配套自动化设备的研发、生产与销售，并可为客户提供半导体分立器件设备和配套产品及服务。 拉普拉斯半导体分立器件设备产品包括碳化硅基半导体器件用超高温氧化炉和碳化硅基半导体器件用超高温退火......
沉积机、离子注入机、CMP设备、清洗机、前道检测设备和氧化退火设备八大类，前道设备占据了整个市场的80%～85%，其中光刻机、刻蚀机和薄膜设备是价值量最大的三大环节，各自所占的市场规模均达到了前道设备......
的招标信息也显示，晋华预5月采购了1台CVD设备，2台前道检测设备，3台前道计量设备，两台退火设备和1台离子注入设备。 4. 3nm台积电的一道小坎 2023年9月13日，苹果的秋季新品发布会上，与......
度半导体键合机•  激光打标机•  划片机•  注塑机•  切筋/成型设备•  退火炉•  烤炉•  激光打标机•  电镀设备•  半导体封装载板02 论坛议题•  系统级封装技术的现状及挑战•  Mini......
等功率器 件工艺平台的背面加工工艺(如超薄片减薄、背面离子注入、背面激光退火、背 面金属、背面光刻等)方面拥有自研专利技术，帮助产品优化电学性能。 　　与国际龙头企业存在差距的风险 　　在招......
它非常灵活，可以用于其他功能，这样我们就不必为它们购买专用设备。例如，脉冲激光器、啁啾发生器等。我们与仕必纯密切合作，开发了这项 DDS 功能，目前正在努力扩大其在研究中的可能用途，以便......
-Wave 公司发布了一款号称“全球首台商用型量子计算机”的计算设备“D-Wave One”。 　　量子计算正在以惊人的速度发展着。 　　 　　（图源：engineering） 　　虽然......
研究创新地使用了表面活化键合法（SAB），以纳米非晶硅为介质在室温下达成了氮化镓—金刚石键合，系统揭示了退火中键合结构的界面行为及其影响热导和热应力的机理，发现了纳米非晶硅层在退火......
年度展开高层人事调整，原华亚科总经理牟瑞德（Rod）预定农历春节后转调日本，另调派一位新加坡籍华人来台接任。另外，前华亚科总经理梅国勋（Scott Meikle）自美光退休后，正式加入紫光集团，担任高级顾问，为近......
式氧化炉是6-8英寸碳化硅功率器件及硅基集成电路制造的关键工艺设备，在半导体制造领域发挥着重要作用，主要用于高温氧化及退火工艺。 在碳化硅功率器件制造中，氧化退火是至关重要的环节。中国电科48所的立式氧化炉通过氧化退火......
原因初步认定为建筑工地焊接引发，具体损失仍在调查中。 据悉，当地时间周四下午03:37分左右，三星SDI位于京畿道龙仁市基兴区公石洞的基兴工厂发生火灾。下午04:03，消防部门出动18台灭火设备和45名灭......
回路可以被肉眼观察到。 2. 使用简单的微波仪器就能控制，不需要对操作要求苛刻的激光。3. 使用传统计算机芯片制造技术就能生产。 4. 运转速度非常快。 但是，超导技术有一个致命缺陷：环境噪音。即使是控制设备......

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