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，比如在此次JEDEC标准中，英飞凌除了QDPAK和DDPAK之外，还有包括TOLT等一系列顶部散热封装标准，并将其统一制定为2.3mm厚度，从而......
规格表： 新型DFN3820A封装表面贴装标准整流器现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。 推荐阅读： ......
Vishay推出采用先进Power DFN系列DFN3820A封装的额定电流高达;日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新系列汽车级表面贴装标准整流器---2......
方面，我国应加快封装标准制定，提升行业国际竞争力。目前，国内供应商在MEMS封装方面具备一定的基础，应借鉴和引用微电子封装经验和标准，在标准中灵活选择或融合芯片规模封装与表面贴装技术，针对市场主流产品开发出合适的封装标准......
0.86 4 125 175 DFN3820A 新型DFN3820A封装表面贴装标准整流器现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。 VISHAY......
0.86 4 125 175 DFN3820A 新型DFN3820A封装表面贴装标准整流器现可提供样品并已实现量产，供货周期为12周。 VISHAY......
DDR5和LPDDR6最新标准公布; 【导读】微电子行业标准制定领域的全球领导者JEDEC固态技术协会宣布即将推出先进内存模块标准，旨在为下一代高性能计算和AI应用......
英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准;【2023年4月13日，德国慕尼黑讯】追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为......
英飞凌适合高功率应用的QDPAK和DDPAK顶部冷却封装注册为JEDEC标准;追求高效率的高功率应用持续向更高功率密度及成本最佳化发展，也为电动汽车等产业创造了永续价值。为了应对相应的挑战，英飞......
产业园是郧西县一月份重大开工项目之一，由湖北中芯北斗科技有限公司（以下简称“中芯北斗”）建设，总投资31亿元。 据介绍，北斗芯片封装产业园工期22个月，主要建设15.6万平方米芯片封装标准厂房、院士工作站、SIP（系统级封装）芯片封装......
华邦推出符合JEDEC标准的小封装LPDDR4/4X 100BGA，助力节能减碳;2022年7月27日，中国，苏州——全球半导体存储解决方案厂商华邦电子今日宣布，其新封装100BGA LPDDR4......
 性能和 LatchUp 等性能大幅提升至国际标准 JEDEC JS-001-2017、JEDEC STANDARD NO.78E NOVEMBER 2016、JEDEC EIA/JESD22......
HBM4标准放宽，三星、SK海力士推迟引入混合键合技术; 【导读】据ZDNET Korea报道，业界消息称，国际半导体标准组织(JEDEC)的主要参与者最近同意将HBM4产品的标准......
产品以及系统的可靠性。本款产品符合JEDEC及AEC-Q100标准，可pin to pin替换国外同规格产品。 技术特点： 应用位置：液晶仪表/激光雷达/驾驶员监控系统前装/后装：前装封装......
期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM标准的下一个版本：HBM4标准即将完成定稿。 图片来源：JEDEC官网截图 HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时......
系列是国产首款超高速8通道SPI NOR Flash产品，最高时钟频率达到200MHz，数据吞吐率达到业界最高水平的400MB/s。各项规格、指标完全符合最新的JEDEC xSPI以及Xccela联盟的标准......
、x32；内嵌ECC自纠错功能，在提供更高性能更低功耗的同时，保证产品以及系统的可靠性。本款产品符合JEDEC及AEC-Q100标准，可pin to pin替换国外同规格产品。 技术特点： 应用......
，导阻190mΩ的增强型氮化镓芯片，同样采用T0252封装，具备超高开关频率、无反向恢复电荷，低栅极电荷和低输出电荷，符合JEDEC工业应用标准，内置ESD保护，符合RoHS、无铅、欧盟REACH法规......
/MCRDIMM应运而生。 01 JEDEC公布DDR5 MRDIMM标准细节 当地时间7月22日，JEDEC宣布即将推出DDR5多路复用双列直插式内存模组 (MRDIMM) 和下......
，三星最快的DDR5 DIMM的传输速度为7200Mbps，在JEDEC标准下提高了1.7倍，在下一代内存芯片的超频速度下提高了2.36倍。 封面图片来源：拍信网......
技术协会（JEDEC）把DRAM分成标准DDR、LPDDR、GDDR三类，其中DDR主要应用于服务器和PC端，LPDDR主要应用于手机端和消费电子，GDDR的主要应用领域为图像处理领域，近期......
又一存储标准发布;近日，JEDEC固态技术协会宣布发布JESD79-5C DDR5 SDRAM标准。JEDEC DDR5 SDRAM标准的更新包括旨在提高可靠性和安全性，并增......
形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对......
达克股票代码：TGAN）近日宣布新推出一款TOLT封装形式的SuperGaN® FET。新产品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装......
适用于消费类应用的嵌入式高性能全新闪存产品样品[1] ，此产品兼容5.1版JEDEC e-MMC[2]。该新产品将公司较新版本的BiCS FLASH™ 3D闪存[3] 和控制器集成在单个封装中，减少......
还将有机会看到更多基于铠侠UFS 4.0打造的移动端产品，而它们也将一如既往保持着高效、流畅的存储，帮助用户随时随地获得畅快的移动体验。 *1 UFS（通用闪存存储）是根据JEDEC UFS标准......
短路保护的开漏输出三线版本和带电流源接口的两线版本，客户可以选择各种温度补偿的恒定开关点。除了符合JEDEC标准的小型SOT23 SMD封装外，HAL 15xy还有TO92-UA封装形式。 可根......
能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN® d-mode双开......
为 JEDEC、PSRAM 和 HyperRAMTM 的封装尺寸比较。 图 4 封装尺寸比较 HyperRAM 满足新兴物联网设备需求 功耗对于物联网设备至关重要，因为设备大多由电池供电。降低......
将组建一个联合工作组，加强互相间的信息交流，以帮助各自组织制定的标准可以相互增强。 据悉，如果要加入到JEDEC和CXL联盟的联合工作组，必须是两个组织的成员级别，这可......
品TP65H070G4RS 晶体管的导通电阻为72毫欧，为业界首个采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化镓器件。针对不适合使用传统底部散热型表贴器件的系统，TOLT封装......
家提供高可靠性、高性能氮化镓（GaN）功率转换产品的领军企业和全球供应商。公司宣布推出六款表面贴装器件（SMD），采用行业标准PQFN 5x6和8x8封装。这些SMD提供Transphorm专利SuperGaN®......
与 UFS 主控，使用 JEDEC 标准 9mm x 13mm 封装，比前代产品的 11mm x 13mm 封装小 18%。 性能方面，新一代 UFS 4.0 闪存连续写入速度提升 15%、随机......
固外壳）。但由于采用了顶部冷却，SSO10 TSC的性能比标准SSO8高出 20%以上，最高可高出50%（具体取决于所使用的热界面（TIM）材料和TIM的厚度）。SSO10T TSC封装被JEDEC列为......
宣布，推出适用于消费类应用的嵌入式高性能全新闪存产品样品[1] ，此产品兼容5.1版JEDEC e-MMC[2]。该新产品将公司较新版本的BiCS FLASH™ 3D闪存[3] 和控制器集成在单个封装......
电脑等移动式电子产品。 LPDDR5 电源轨需求如下： SC6301 能满足JEDEC 标准对输出电压及时序的要求，通过对EN 和VDDQEN......
-MMC（JEDEC版本5.1）和UFS（JEDEC版本2.1）提供了强大的集成控制器技术，可提供显著的读写速度改进。 与原来的NAND闪存解决方案相比，e-MMC和UFS将NAND闪存和控制器芯片集成在单个封装......
)，与传统封装尺寸(11mm x 13mm)相比，缩小了约18%。Kioxia率先推出UFS技术(5)，并不断开发新产品。 最新的UFS Ver. 4.0器件在JEDEC标准封装......
和TIM的厚度）。SSO10T TSC封装被JEDEC列为开放市场产品，能够与开放市场第二供应商的产品进行广泛兼容。因此，该封装可作为未来顶部冷却标准快速、轻松地推出。 SSO10T半导体封装......
Ball封装，尺寸小至10.0x14.5x1.0mm，满足数据通信、轨道交通、汽车电子、工业自动化等众多工业领域的高质量存储需求。 性能上，该产品遵循JEDEC设计标准，传输......
外媒报导，JEDEC固态技术协会可能将戴尔和英特尔合作开发的CAMM（Compression Attached Memory Module）作为下一代标准，取代SO-DIMM。 近日，国外媒体PCWorld......
即将完成定稿 JEDEC于7月10日表示，备受期待的高带宽存储器 (HBM) DRAM标准的下一个版本：HBM4标准即将完成定稿。 HBM4是目前发布的HBM3标准的进化版，旨在进一步提高数据处理速率，同时......
和控制器集成在JEDEC标准封装中，并结合了MIPI M-PHY5.0和UniPro2.0，支持每通道高达23.2Gbps或每设备46.4Gbps的理论接口速度，并向后兼容UFS3.1。与上一代相比，铠侠......
在显存里，通常显存比共享DRAM带宽要高得多，这样每次运算就无需从UFS中取出，这也是DRAM和显存存在的意义，它的速度比UFS快太多了。 来源：JEDEC 存储行业的标准由JEDEC把持，JEDEC 固态技术协会是微电子产业的领导标准......
有显存的话，就放在显存里，通常显存比共享DRAM带宽要高得多，这样每次运算就无需从UFS中取出，这也是DRAM和显存存在的意义，它的速度比UFS快太多了。 存储行业的标准由JEDEC把持，JEDEC 固态技术协会是微电子产业的领导标准......
无需使用外部分流电阻器，而是将封装中的引线框用作分流器（如图 1 所示）。EZShunt 产品使用温度补偿算法补偿了传统铜引线框的漂移（可高达 3,600ppm/°C）。标准分流电阻器的漂移范围为 50ppm/°C......
无需使用外部分流电阻器，而是将封装中的引线框用作分流器（如图 1 所示）。EZShunt 产品使用温度补偿算法补偿了传统铜引线框的漂移（可高达 3,600ppm/°C）。标准......
, Inc.（纳斯达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意......
. 4.0器件在JEDEC标准封装中集成了公司创新的BiCS FLASH™ 3D闪存和控制器。UFS 4.0整合了MIPI M-PHY 5.0和UniPro 2.0，支持每通道高达23.2Gbps或每......
达克股票代码：TGAN）近日宣布，推出三款TOLL封装的 SuperGaN® FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，这意味着TOLL封装......

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