资讯
中国科大研制出新型隔离电源芯片(2021-02-22)
中国科大研制出新型隔离电源芯片;2月18日，中国科学技术大学教授程林课题组在国际固态电路会议上，提出一种新型隔离电源芯片设计方案。他们提出的架构通过在单个玻璃衬底上利用三层再布线层，实现......
2017 国际固态电路会议（IEEE ISSCC 2017）中国上海发布会(2016-11-22)
2017 国际固态电路会议（IEEE ISSCC 2017）中国上海发布会;IEEE International Solid-State Circuits Conference2017（2017年国际固态电路会议......
清华大学集成电路学院教授李宇根入选2023年度IEEE Fellow(2022-11-23)
线和有线通信芯片技术的发展提供了核心支持。他在清华大学的研究工作除了高性能分数分频锁相环芯片外，还包含用于通信系统的ΔΣ技术。
李宇根教授已发表同行评审的期刊和会议论文150余篇。他在国际固态电路......
SK海力士发布300层堆叠NAND Flash(2023-03-21)
SK海力士发布300层堆叠NAND Flash;
【导读】在日前的第 70 届 IEEE 国际固态电路会议 (ISSCC) 期间，韩国存储芯片大厂 SK 海力士（SK Hynix）展示......
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM(2022-02-16)
Conference，国际固态电路会议）2)大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储......
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM(2022-02-16)
，国际固态电路会议）2)大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory......
SK海力士开发出下一代智能内存芯片技术PIM(2022-02-16)
，国际固态电路会议）2)大会上发布PIM芯片技术的开发成果。随着PIM技术的不断发展，SK海力士期待存储半导体在智能手机等ICT产品发挥更为核心的作用，甚至在未来成功实现“存储器中心计算（Memory......
中国电科38所毫米波芯片刷新国际新纪录(2021-02-19)
中国电科38所毫米波芯片刷新国际新纪录;2月17日，第68届国际固态电路会议（ISSCC 2021）上，中国电科38所发布了一款高性能77GHz毫米波芯片及模组，在国际上首次实现两颗3发4收毫......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 GDDR7 内存，速率 37 Gb/s 领先全球;1 月 29 日消息，2024 年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）将于 2 月 18......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世;近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂展示了最新堆叠第八代3D 快闪存储器原型。表示，新3D 快闪......
三星完成突破性400层NAND技术开发(2024-12-09)
重要里程碑使三星处于NAND闪存技术的前沿，因为它准备与SK海力士等行业对手竞争，后者已宣布量产321层NAND。
三星电子计划于2025年2月在美国举行的ISSCC（国际固态电路会议）2025上提......
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世(2023-03-21)
存储大厂展示300层NAND Flash，预计最快2024年问世;近日，在第70届IEEE国际固态电路会议（ISSCC）上，韩国存储器大厂SK海力士展示了最新300层堆叠第八代3D NAND......
大陆唯一一篇被ISSCC录用的论文是怎么诞生的?(2017-02-14)
大陆唯一一篇被ISSCC录用的论文是怎么诞生的?;
编者按:
一年一度的ISSCC(国际固态电路会议)作为集成电路设计领域级别最高的会议，有 “集成电路领域的奥林匹克”之称......
刘德音：台积电3纳米制程进度超前(2021-02-19)
刘德音：台积电3纳米制程进度超前;台积电董事长刘德音近日于2021年国际固态电路会议（ISSCC 2021）开场线上专题演说时表示，台积电3纳米制程依照计划时程发展，甚至比预期进度超前了一些，有信......
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率(2024-01-30)
三星将在 2024 IEEE ISSCC 上展示 280 层 QLC 闪存，速率;IT之家 1 月 30 日消息，2024 年 IEEE 国际固态电路会议（ISSCC）将于 2 月 18 日至 22......
美国半导体设计公司 Marvell 美满电子联合创始人周秀文去世，享年 63 岁(2024-09-20)
超过 440 项专利。他荣获硅谷知识产权法协会颁发的“年度发明家”称号，并被授予 IEEE 会士，并经常在国际固态电路会议等活动中就半导体设计和计算的未来发表演讲。
Marvell 成立于1995年，总部......
三星9月将向英伟达独家供应12层堆叠HBM3E芯片(2024-03-28)
可能通过验证过程。
在2月18日至21日举行的2024年国际固态电路会议（ISSCC 2024）上，三星宣布即将推出的HBM4拥有2TB/s的带宽，与第......
半导体存储大厂技术革新！(2024-12-10)
电子计划于明年2月在2025年国际固态电路会议 (ISSCC) 上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash快闪存储器。至于量产时间，报道称，三星400层NAND产品将于明年下半年开始。不过......
新型解码芯片创数据传输能效纪录，有望应用于虚拟现实和5G网络等领域(2023-02-24)
麻省理工学院领衔的科学家团队开发出一种解码器芯片，解码数据比传统技术更简单、更快，创纪录的低能耗仅为其他类似硬件的百分之一到十分之一，可广泛应用于虚拟现实和5G网络等领域。相关研究成果在正举行的国际固态电路会议上宣读。
通过......
三星、SK海力士将加速下一代AI GDDR7 DRAM量产(2024-02-01)
美国加利福尼亚州旧金山举行的电气和电子工程师协会 （IEEE） 国际固态电路会议 （） 上展示其16Gb、37Gbps GDDR7 DRAM。三星的演示因其速度比该公司去年7月首次开发和发布的32Gbps GDDR7 DRAM更快......
瑞萨推出集成STT－MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-26)
/s。最后，为了增加芯片的灵活性，瑞萨电子还集成了基于MRAM存储单元击穿技术的0.3Mb一次性可编程（OTP）存储器，该存储器可在需要时进行现场写入操作。瑞萨电子在2024年国际固态电路会议......
瑞萨推出集成STT-MRAM的MCU测试芯片，瞄准物联网与边缘智能(2024-02-23)
测试芯片的写入速度持续达到10.4MB/s。最后，为了增加芯片的灵活性，瑞萨电子还集成了基于MRAM存储单元击穿技术的0.3Mb一次性可编程（OTP）存储器，该存储器可在需要时进行现场写入操作。
瑞萨电子在2024年国际固态电路会议......
东南大学科研团队在氮化镓（GaN）功率驱动芯片技术研究中取得新进展(2021-02-26)
分段驱动技术与固定栅极电流驱动技术EMI噪声对比
图4 分段驱动技术与固定栅极电流驱动技术开启功耗对比
据悉，国际固态电路年度会议（ISSCC）始于1953年，通常是各个时期国际上最尖端固态电路......
北京大学黄如院士团队在“存内计算AI芯片”领域取得重要研究成果(2022-04-01)
北京大学黄如院士团队在“存内计算AI芯片”领域取得重要研究成果;据北京大学集成电路学院3月29日消息，在IEEE国际固态电路（International Solid-State Circuits......
Imec推出基于超声波的植入式设备无线供电概念验证(2024-02-21)
Imec推出基于超声波的植入式设备无线供电概念验证;Imec推出了基于超声波的植入式设备无线供电概念验证。这一概念是在国际固态电路会议上亮相的，其尺寸仅为8毫米x5.3毫米，可实......
Imec在IEEE ISSCC 2024上展示低功耗、高抗干扰的UWB接收器芯片(2024-02-23)
Imec在IEEE ISSCC 2024上展示低功耗、高抗干扰的UWB接收器芯片;在最近召开的IEEE国际固态电路会议(IEEE ISSCC 2024)上，imec成功......
Imec在IEEE ISSCC 2024上展示低功耗、高抗干扰的UWB接收器芯片(2024-02-23)
Imec在IEEE ISSCC 2024上展示低功耗、高抗干扰的UWB接收器芯片;在最近召开的IEEE国际固态电路会议(IEEE ISSCC 2024)上，imec成功......
三星完成400层NAND Flash开发，最快2025年二季度末量产(2024-12-09)
月在美国举行的2025年国际固态电路会议（ISSCC）上详细介绍其1Tb容量400层堆叠TLC NAND Flash闪存，并且预计将于2025年下半年正式开始量产。不过，一些市场专家预测，如果......
瑞士开发出全球首个高性能、微型脑机接口芯片 MiBMI，准确率高达 91%(2024-09-03)
杂志》上（IT之家附 DOI: 10.1109/JSSC.2024.3443254），并在国际固态电路会议上进行了展示。
据介绍，这是全球首个高性能、微型脑机接口系统，为渐冻症（ALS）患者......
三星首发HBM-PIM内存计算技术，面向人工智能市场(2021-02-19)
能力的芯片。
三星关于HBM-PIM的论文被选为在 2月22日举行的著名的国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上发表。三星的HBM-PIM目前正在人工智能加速器内由领先的AI解决方案合作伙伴进行测试，所有......
领先三星、格罗方德！台积电 ISSCC 2017 首揭 7 纳米 FinFET 技术(2016-11-15)
体行业观察台积电、三星、格罗方德等半导体大厂开启在 7 纳米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在 2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits......
瑞萨面向具备视觉AI和实时控制功能的下一代机器人 推出功能强大的单芯片RZ/V2(2024-02-29)
性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。
RZ/V2H集成......
ISSCC跟踪：台积电与三星的7nm策略大不相同(2017-02-10)
ISSCC跟踪：台积电与三星的7nm策略大不相同;
版权声明：本文内容来自eettaiwan，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
在近日于美国举行的年度国际固态电路会议(ISSCC)上......
瑞萨面向具备视觉AI和实时控制功能的下一代机器人(2024-02-29)
需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。
RZ/V2H集成了四个最大工作频率为1.8GHz的Arm® Cortex®-A55 CPU......
瑞萨面向具备视觉AI和实时控制功能的下一代机器人推出功能强大的单芯片RZ/V2H(2024-03-21)
性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议（ISSCC 2024）上公布。
瑞萨面向AI的64位......
第十三届国际固态和集成电路技术会议（ICSICT）在杭州成功召开(2016-11-03)
第十三届国际固态和集成电路技术会议（ICSICT）在杭州成功召开;
由IEEE北京分会、复旦大学和北京大学主办, 由复旦大学承办的第十三届国际固态和集成电路技术会议（2016 IEEE......
消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片(2024-02-05)
消息称三星将发布超高速32Gb DDR5内存芯片;2 月 5 日消息，据报道，将在即将到来的 2024 年 IEEE 国际固态电路峰会上推出多款尖端内存产品。本文引用地址：除了之前公布的 GDDR7......
AMD Zen底层架构大揭秘，有望挑战Intel(2017-02-10)
AMD Zen底层架构大揭秘，有望挑战Intel;
版权声明：本文内容来自快科技，如您觉得不合适，请与我们联系，谢谢。
AMD Ryzen处理器终于快要到来了，日前的国际固态电路......
人工智能机器学习计算和存储同时进行(2022-12-24)
Macronix
团队花费多年时间进行研发的心血结晶。相关技术论文近年来在国际电子器件会议(IEDM)、国际固态电路会议(ISSCC)等全球学术研讨会上受到青睐。而且，FortiX一直......
本月发！国产厂商宣布首款10nm联发科X30手机：8G内存(2017-02-13)
不知道这次是纸面发布还是会拿出真机并公布上市时间、售价。
按照联发科在固态电路会议上的最新披露，Helio X30目前主频略有提升，具体包括两个Cortex-A73 2.8GHz、四个Cortex-A53 2.5GHz......
瑞萨面向高性能机器人应用推出功能强大的单芯片RZ／V2H MPU(2024-03-05)
器采用的剪枝技术显著增强了AI计算效率，将AI推理性能提升至80TOPS。这种性能提升使工程师能够直接在边缘AI设备上处理视觉AI应用，而无需依赖云计算平台。最近，全新DRP-AI3加速技术的细节在美国旧金山举行的国际固态电路会议......
AMD Zen4 IO内核首次揭秘，902亿晶体管(2023-03-07)
国际固态电路大会上，AMD终于揭开了它的神秘面纱。
Zen4处理器无论消费级锐龙，还是服务器级霄龙，CCD部分都是台积电5nm工艺，最多8个核心。
其中，锐龙有1-2个CCD......
思特威加速布局高端手机CIS，推动手机摄像头向专业相机能力看齐(2024-04-26)
器视觉方面，思特威是全球范围内BSI（背照式） + 全局快门技术的先驱者。据介绍，思特威于2019年在素有“集成电路设计领域最高级别会议”的ISSCC（国际固态电路会议）上发表SmartGS技术......
思特威加速布局高端手机CIS，推动手机摄像头向专业相机能力看齐(2024-04-26)
”的ISSCC（国际固态电路会议）上发表SmartGS技术论文，随后其首颗BSI+全局快门图像传感器产品，于次年取得全球新兴领域全局快门CMOS图像传感器出货量领先的市场地位。截至目前，思特......
NAND闪存市场：回暖尚待观望，格局变化已在路上(2023-04-03)
驾驶、智慧交通等应用也在产生海量数据，这些新兴应用都会推动对存储的大量需求，成为NAND闪存市场新的增长动力。
在第70届IEEE国际固态电路会议(ISSCC)期间，SK海力士展示了最新开发的300层堆......
英特尔新推区块链应用芯片，强化虚拟货币市场影响力(2022-02-14)
算法挖矿来说，能效相较当下主流挖矿机GPU要高出1000倍以上，如此可节省更大的能量，提供更高的运算效能。至于，更多技术细节，预计将在本月稍晚的ISSCC国际固态电子电路大会上进一步公布。
报导......
全球首款基于GeSi工艺平台的宽谱3D传感技术发布(2019-12-11)
标准IEC 60825规范及相关计算，即使激光与人眼之间仅数厘米的距离，仍能保持非常高的安全性。
光程研创因采用独特创新的GeSi工艺技术，从而能率先研发出宽谱3D飞行时间传感技术。如今GeSi工艺技术已受国际固态电路......
台积电将首揭7nmFinFet，领先于三星、格罗方德(2016-11-16)
纳米制程争战，而现在台积电有望领先群雄在2017 年国际固态电路研讨会（International Solid-State Circuits Conference，ISSCC）率先发表7 纳米......
思特威加速布局高端手机CIS，推动手机摄像头向专业相机能力看齐(2024-04-28 10:37)
（背照式） + 全局快门技术的先驱者。据介绍，思特威于2019年在素有“集成电路设计领域最高级别会议”的ISSCC（国际固态电路会议）上发表SmartGS技术论文，随后其首颗BSI+全局......
思特威加速布局高端手机CIS，推动手机摄像头向专业相机能力看齐(2024-04-26)
威是全球范围内BSI（背照式） + 全局快门技术的先驱者。据介绍，思特威于2019年在素有“集成电路设计领域最高级别会议”的ISSCC（国际固态电路会议）上发表SmartGS技术论文，随后其首颗BSI+全局......
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