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打造集成电路领域的未来科学与技术战略高地。 据北京科技大学介绍，双方将共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高水平研发平台，重点开展二维半导体材料与器件......
培养等全方位合作。据悉，本次战略合作建立在前沿交叉科学技术研究院张跃院士团队与紫光集团长期深入合作基础上，主要包括共同建设“二维材料与器件集成技术联合研发中心”、“8英寸二维半导体晶圆制造与集成创新中心”等高......
涵盖集成电路“设计-制造-封测-整机”的专业全链条。目前正聚焦宽带通信芯片、计算和人工智能芯片、低功耗物联网芯片、第三代半导体器件与芯片、半导体材料与器件、柔性电子、新型量子器件......
教学中心等教学科研平台。学院研究领域包括微纳电子材料与器件、功率半导体与集成技术、集成电路设计与设计自动化、封装与微系统集成，形成了从材料、器件、设计、工艺、封测到微系统较完善的科研体系，在功率电子、集成薄膜方向国际......
障设备可靠性的基础。 为解决铁电材料疲劳之痛，中国科学家成功创制了一种无疲劳铁电材料，有望实现存储器无限次数擦写。该项研究由中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学......
中。 林雪平大学助理教授周洁。图片来源：OLOV PLANTHABER 自从石墨烯横空出世，越来越多的二维材料家族成员进入人类视野。在电子元器件领域，很多二维材料凭借更高的电荷迁移率、更小......
引用地址：北京时间2023年9月29日，复旦大学周鹏-包文中团队取得重大研究进展，发明了一种面向集成电路制造的二维材料生长方法，能够在工业界主流12英寸（300毫米）晶圆上进行均匀和单层材料......
复旦大学光电研究院德融科技实验室深化建设签约;据宜兴经济技术开发区管理委员会消息，3月19日，光电功能材料与器件技术（宜兴）论坛暨复旦大学光电研究院德融科技实验室深化建设签约仪式举行。 消息......
领军团队。当前研究人员开发了多种策略来制备大面积二维半导体，其中化学气相沉积（CVD）是普遍看好的技术。但是主要研究更多注重实验室级别的性能（Performance）提升，并没有充分考虑材料......
2022(第二届)碳基半导体材料与器件产业发展论坛将于8月3-5日在浙江·宁波举行; 2022（第二届） 碳基半导体材料与器件产业发展论坛 2022年8月3-5日  浙江·宁波......
华灿光电第三代半导体材料与器件省重点实验室通过验收;11月11日，华灿光电（浙江）有限公司（以下简称“华灿光电”）官微发文称，近日，浙江省科学技术厅公布2020年度省重点实验室责任期考核结果，依托公司的浙江省第三代半导体材料与器件重点实验室......
和销售的科技型企业。依托浙江大学硅材料国家重点实验室、浙江大学杭州国际科创中心和浙江省功率半导体材料与器件实验室，已形成一支以中国科学院院士杨德仁院士为首席顾问的研发和生产团队，掌握从设备开发、热场......
大规模应用。因此，发展简单且环保的策略对于制造低成本、大规模的打印二维材料功能器件具有重要意义。   中国科学院化学研究所绿色印刷院重点实验室宋延林课题组在二维原子级厚材料合成和图案化器件......
国家自然基金“十四五”规划：集成电路多个细分领域被划重点;其中，第十二章节公布了115项优先发展领域，包括量子材料与器件、量子信息和量子精密测量、面向5G/6G通信的信息功能材料、材料多功能集成与器件......
狄增峰研究团队基于锗基石墨烯衬底开发出晶圆级金属电极阵列转印技术，在二维材料与金属电极的大面积无损范德华集成研究方面取得进展。相关工作于2022年5月23日以“Graphene-assisted metal transfer......
衬底上研发出高性能、低成本的微波-直流转换芯片。通过探索新型半导体工艺、先进封测技术来提高芯片稳定性、可靠性，团队有信心整体性能达到国际前沿水平。 目前，江南大学建有宽带隙/超宽禁带半导体材料与器件实验室......
国家自然科学基金发展的总体思路、发展目标、重点任务和优先发展领域。 其中，第十二章节公布了115项优先发展领域，包括量子材料与器件、量子信息和量子精密测量、面向5G/6G通信的信息功能材料、材料多功能集成与器件......
方面使一个碳化硅单晶锭切片所获得的碳化硅衬底片数量能够翻倍，所以能够大幅降低碳化硅衬底的成本。 浙江大学杭州国际科创中心先进半导体研究院紧紧围绕国家重大战略需求和浙江省战略性新兴产业发展布局，目前已获批浙江省宽禁带功率半导体材料与器件重点实验室......
重点发展氮化镓，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用;据吴江工信消息，11月20日，英诺赛科（苏州）全球研发中心正式启用，将打造成为新型宽禁带半导体材料与器件研发基地，同时......
国内科研团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展;近日，据华中科技大学官网消息，该校材料成形与模具技术全国重点实验室教授翟天佑团队在二维高性能浮栅晶体管存储器方面取得重要进展，研制了一种具有边缘接触特征的新型二维浮栅晶体管器件......
王金兰教授为论文共同通讯作者。该研究得到了国家自然科学基金、国家重点研发计划、江苏省前沿引领技术基础研究专项等资助，以及南京大学微制造与集成工艺中心的大力支持。 近年来，王欣然教授课题组聚焦二维半导体材料与器件......
原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件中具有优越的短沟道控制能力。 图：硅基二维叠层晶体管的概念、晶圆级制造与器件结构 研究......
异质集成叠层晶体管。该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料集成在硅基芯片上，并利用两者高度匹配的物理特性，成功实现4英寸大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相同的工艺节点下实现了器件......
厂占地55亩，第一期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。 能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件......
高速光互连芯片厂商“傲科光电”产学研升级，与北京大学共建光电联合实验室; 近期，深圳市傲科光电与北大联合成立“北大—傲科光电联合实验室”，是傲科光电致力打造的第一个产业发展平台，以产......
深圳大学射频异质异构集成全国重点实验室获批;据报道，近日，深圳大学2022年牵头或参与申报全国重点实验室6项，其中牵头组建申报的“射频异质异构集成全国重点实验室”已获批立项建设。该实验室系深圳大学建校以来的首个全国重点实验室......
在工业产业化方面具有较高的价值和优势。 根据西安邮电大学介绍，该新型半导体器件与材料重点实验室拥有大约 30 余人，具备完整的氧化镓工艺实验线及超净工艺间，主要研究超宽禁带氧化镓材料与器件......
期投资为3.8亿元，建筑面积1.3万平方米，设计产能为年产3寸氮化镓晶圆6000片，其技术力量和生产规模位于国际前列。 能讯半导体采用了整合设计与制造（IDM）的商业模式，率先在中国开展了第三代半导体氮化镓高能效功率半导体材料与器件......
有技术节点下能够大幅提升集成密度的三维叠层互补晶体管 (CFET) 技术价值凸显，但全硅基 CFET 的工艺复杂度高且性能在复杂工艺环境下退化严重。 据介绍，这种硅基二维互补叠层晶体管利用成熟的后端工艺将新型二维材料......
国内多所高校参与的2D半导体项目实现了新的突破之外，韩国在该领域的发展也迎来了新的进展。 近日，韩国科学技术研究院（KIST）宣布，由光电材料与器件中心的Do Kyung Hwang博士......
研究实现了三方面技术革新： 首先，采用高载流子热速度（更小有效质量）的三层硒化铟作沟道，实现了目前场效应晶体管的最高值； 第二，解决了二维材料表面生长超薄氧化层的难题，制备出2.6纳米......
1纳米以下制程重大突破！台积电等研发出“铋”密武器;在IBM刚刚官宣研发成功2nm芯片不久，台积电也有了新的动作！中国台湾大学、台积电与麻省理工学院共同发表研究成果，首度提出利用半金属铋（Bi）作为二维材料......
大规模三维异质集成互补场效应晶体管。在相同的工艺节点下实现了器件集成密度翻倍，并获得了卓越的电学性能。 据介绍，复旦大学研究团队将新型二维原子晶体引入传统的硅基芯片制造流程，实现了晶圆级异质CFET技术。相比于硅材料，二维原子晶体的单原子层厚度使其在小尺寸器件......
装备研究院(以下简称“重庆储能研究院”)的创新研发和深度合作成果。依托重庆大学潘复生院士团队在镁基储能材料与器件研究开发领域的核心技术和人才，双方将共同建设关键材料研发平台和中试产线，推动镁储能材料......
士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授。 任天令教授团队长期致力于二维材料器件技术研究，从材料、器件结构、工艺、系统集成等多层次实现创新突破，先后在《自然》（Nature......
美国麻省理工学院：成功开发一款超轻太阳能电池; 近年来, 有机半导体材料与器件领域的研究和开发取得了长足的发展，其中有机电致发光二极管、有机薄膜晶体管、有机、有机存储器、有机传感器、有机激光器等相关有机半导体材料与器件......
突破技术壁垒！华东理工自主研发钙钛矿单晶芯片通用生长技术;新华社客户端5日报导，大学清洁能源材料与器件团队，日前自主研发了一种通用生长技术，将晶体生长周期由7天缩短至1.5天，实现了30余种......
学术期刊《自然》。 论文共同第一作者、东南大学教授马亮表示，这份研究不仅突破了大面积均匀双层二硫化钼的层数可控外延生长技术瓶颈，研制了最高性能的二硫化钼晶体管器件，而且双层二硫化钼层数可控成核新机制有望进一步拓展至其他二维材料......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算; 微芯片内的设备和电路的光学显微镜图像。图片来源：《自然》杂志网站 沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在27日出版的《自然》杂志......
二维材料成功集成到硅微芯片内，有望用于高级数据存储和计算;3月27日，沙特阿卜杜拉国王科技大学科学家在《自然》杂志上发表论文指出，他们成功将二维材料集成在硅微芯片上，并实现了优异的集成密度、电子......
教授韩拯课题组、辽宁材料实验室副研究员王汉文课题组、中山大学教授侯仰龙课题组、中国科学院金属研究所研究员李秀艳课题组等合作，提出了一种全新的基于界面耦合的p型掺杂二维半导体方法。 该方......
体、 能源和环境工程、人工智能、材料设计、计算机科学和生物科学等领域的合作伙伴关系网络。 参与签约的高创新中国合作伙伴包括清华大学研究院、深圳大学、深圳英诺克斯学院、国际数字经济学院、X研究所、南方科技大学......
宜的节点来实现密度改进较小的其他一些功能的能力。 在不久之前，我们曾披露，复旦大学微电子学院的周鹏教授，包文中研究员及信息科学与工程学院的万景研究员，创新地提出了硅基二维异质集成叠层晶体管技术。 该技术利用成熟的后端工艺将新型二维材料......
市的数十项研发及产业化项目，与深圳清华大学研究院共建第三代半导体材料与器件研发中心，是国家5G中高频器件创新中心股东单位之一，获批中国科协产学研融合技术创新服务体系第三代半导体协同创新中心、广东省第三代半导体碳化硅功率器件......
开发出不使用硅的替代技术设备，提高能源效率和速度。 描述被调查系统中霍尔效应的图表。图片来源：圣彼得堡国立大学 石墨烯是碳的二维改性形式，是当今所有可用的二维材料中最轻、最坚固的，而且具有高导电性。2018年，圣彼得堡国立大学的研究人员与托木斯克州立大学......
他们打算在高功率的超级电容上做文章。 目前，业内对此主要的研究方法是使用新型的纳米材料，来改善超级电容的性能。此前也有科研团队使用石墨烯等储电性能强的二维材料来制备超级电容，但电容器的性能得到的改善有限。UCF科研团队也曾尝试采用仅仅几个原子厚度的二维材料......
上海微系统所在Nature Electronics报道新型碳基二维半导体材料基本物性研究重大进展;以石墨烯为代表的碳基二维材料自发现以来受到了广泛关注。然而，石墨烯的零带隙半导体性质严重限制了其在微电子器件......
子级薄层沟道支持下，这一超小尺寸器件具备20纳秒超快编程、10年非易失、十万次循环寿命和多态存储性能。有望推动超快颠覆性闪存技术产业化。 据悉，复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室、芯片......
外延”技术是一种独特的方法，它在芯片上形成类似石墨烯的非常薄的二维材料，并在其上生长半导体材料。 ▲ 通过镍应力器进行剥离的实验示意图和样品图像。在GaN生长之前，测试了芯片上形成的二维材料......
中国科学家在锗锡材料分子束外延方面取得重要进展;中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室成步文研究团队研制出工作在中红外波段的硅基锗锡探测器。这是该团队在锗锡材料外延生长取得进展后，在锗锡光电器件......

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