抗疲劳材料出现,存储器无限次数擦写有望实现

发布时间:2024-06-07  

铁电材料是一种常见的功能材料,因其晶体正负电荷中心不重合,产生电偶极矩,从而具有自发电极化的性质,并能够被外场所调控。然而,以商用最广的锆钛酸铅(PZT)为代表的传统铁电材料在使用过程中会发生铁电疲劳。

在全球范围内,铁电疲劳失效是各类电子设备发生故障的主要原因之一。尤其是近年来, 在航空航天、深海探测等重大技术装备领域,利用铁电材料制备的各类器件常被用于在高温高压、高频震动、高强磁场、高强辐射等复杂环境下执行存储、传感、驱动、能量转换等关键任务,铁电器件在外场的反复加载下会逐渐发生疲劳失效,因此对铁电材料的抗疲劳特性进行优化和设计,是保障设备可靠性的基础。

为解决铁电材料疲劳之痛,中国科学家成功创制了一种无疲劳铁电材料,有望实现存储器无限次数擦写。该项研究由中国科学院宁波材料技术与工程研究所柔性磁电功能材料与器件团队联合电子科技大学、复旦大学相关团队联合创制。

据“中国科学院宁波材料所”消息,研究团队基于滑移铁电机制,制备出了无疲劳二维层状滑移铁电材料。通过理论计算发现,相比于常规铁电材料,滑移铁电通过层间滑移实现极化翻转所需电场较小,如此小的电场不足以使带电缺陷移动。并且由于二维材料层状结构,缺陷难以跨越层间进行移动,因此缺陷不会聚集,也不会产生铁电疲劳。

以存储器为例,使用新型二维滑移铁电材料制备的铁电存储器无读写次数的限制。因此对于深海探测或航空航天重大装备领域而言,无疲劳的新型二维层状滑移铁电材料有望极大提升设备可靠性,降低维护成本。

AI运行需要大量的计算资源以进行模型训练与推理,这一过程中要用到高性能计算芯片包括GPU(图形处理器)、ASIC(应用专用集成电路)、人工智能专用芯片,还有HBM等存储器芯片。随着AI大模型持续火热,相关应用不断普及,AI正成为全球半导体产业主要推动力。

6月19日(周三),TrendForce集邦咨询将在深圳隆重举办“2024集邦咨询半导体产业高层论坛(TrendForce Semiconductor Seminar 2024)”。

届时,资深分析师团队发表主题演讲,全方位探讨半导体以及存储器产业现状与未来,并为业界高层提供前瞻性战略规划思考与现场深度交流平台,敬请期待!

封面图片来源:拍信网

文章来源于:全球半导体观察    原文链接
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