资讯
详解12种桥式电路(2024-12-05 16:42:28)
电压必须大于导通晶体管所需的阈值电压。
现在，最大源极漏极电压通常明显高于最大源极栅极电压，限制了电路的输入电压。
如果电源电压超过MOS管的最大源极栅极电压，则应......
从内部结构到电路应用，这篇文章把MOS管讲透了。(2024-04-29)
对称
图示左右是对称的，难免会有人问怎么区分源极和漏极呢？其实原理上，源极和漏极确实是对称的，是不区分的。
但在实际应用中，厂家一般在源极和漏极之间连接一个二极管，起保护作用，正是这个二极管决定了源极和漏极......
比利时imec首次展示功能性单片CFET器件，将在0.7nm A7节点引入(2024-06-21)
一种纳米片特有的功能，可将栅极与源极/漏极隔离。imec CMOS器件技术总监Naoto Horiguchi表示：“我们采用MDI优先方法获得了最佳工艺控制结果，即在源极/漏极凹槽之前–在此步骤中，纳米片和MDI被‘切割......
功率MOSFET的UIS(UIL)特性知多少？(2024-03-19)
MOSFET结构不受重复雪崩HCI效应的影响。
受重复雪崩HCI效应影响的MOSFET直流参数包括BVdss（雪崩电压）、Idss（断态漏极-源极漏电流）、Vth（栅极-源极阈值电压）和Rds......
超级电容二三事之正负极(2023-08-21)
形状分为纽扣型超级电容，引线型超级电容，牛角型超级电容，螺栓型超级电容等。超级电容一般有正、负极之分,不同形状的超级电容电极怎么区分呢？
纽扣型超级电容：因引脚位置的不同而分为V型、H型和C型。V型和H型的......
【泰克应用分享】 FET 生物传感器的直流I-V 特性研究(2023-11-17)
生物晶体传感器基于MOSFET或金属氧化物半导体FET，这是一个带有绝缘栅极的三端或四端FET。
图3显示了一个n沟道MOSFET或nMOS晶体管，具有四个端子：栅极、漏极、源极和体极（块体）。源极和漏极......
MOS管基础及选型指南(2024-03-20)
在电源开关等方面，耗尽型几乎不用。
▉ N和P区分
每一个MOS管都提供有三个电极：Gate栅极（表示为“G”）、Source源极（表示为“S”）、Drain漏极（表示为“D”）。接线时，对于N沟道的电源输入为D......
Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法(2022-12-05)
的 dv/dts 带来了更大的挑战，这是由于半桥配置中第二个开关的栅极漏极电容引起的。可以通过降低 dv/dt 来避免这个问题，但代价是效率的下降。
限制负栅极电压的最佳方法是通过开尔文源极......
指针式万用表对场效应管进行判别方法(2023-02-08)
两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可......
用指针万用表检测场效应管的方法(2023-02-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出......
介绍用指针万用表检测场效应管的方法(2023-03-07)
D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其......
模拟集成电路设计中的MOSFET非理想性(2024-01-18)
电容。
CGB：栅极到本体电容。
CSB：源极到体电容。
CDB：漏极到体电容。
在设计包含MOSFET的模拟IC时，这些电容在电路带宽中起着重要作用。图1显示了它们的位置。
带有寄生电容的NMOS晶体......
具有金属源极和漏极触点的肖特基势垒 (SB) MOSFET 的介绍(2022-12-09)
导通性能和开关动作下降。
本文介绍了 SB MOSFET
的特性和特性，以及为什么次线性是由源极侧而不是漏极侧引起的。为了支持要使用的各种实验和模拟，使用了具有硅化镍源极和漏极触点的双栅极硅纳米线晶体管。
该晶......
使用先进的SPICE模型表征NMOS晶体管(2024-06-18)
-源极电压从0V线性增加到3V，然后变为电平。
VDD是常数1.2V。
图6显示了2ms瞬态模拟的结果。
模拟NMOS晶体管的漏极电流和栅极电压与时间的关系图。
图6。模拟的90nm NMOS晶体管的漏极电流和栅极到源极......
MOSFET开关损耗简介(2024-04-30)
文中，我们将讨论三种类型的意外功耗：
传导损耗。
切换损耗。
栅极电荷损失。
传导损耗
传导损耗是电流流过MOSFET沟道的非零电阻时消耗的功率。完全增强型MOSFET的漏极到源极电阻由RDS......
MOSFET每个参数都讲透了！(2024-10-08 15:24:00)
：栅极/源极间所要电荷量
QGD：栅极/漏极......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-27)
是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。
在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交......
MOSFET共源放大器介绍(2024-02-26)
是为什么有多种基于它们的单级放大器拓扑结构的原因。根据哪个晶体管端子是输入端和哪个晶体管端子是输出端来区分它们。
在本文中，我们将讨论共用源极（CS）放大器，它使用栅极作为其输入端子，使用漏极作为其输出。在交......
SiC仿真攻略手册——详解物理和可扩展仿真模型功能！(2023-12-28)
通过寄生串联电感和电阻或电阻抗和热阻抗影响芯片性能。封装引脚加上键合和金属掩模可增加高达10mΩ的串联电阻。
为了量化这些影响，可以访问三引脚MOSFET的内部节点，如栅极、漏极和源极（参见图5......
MOSFET每个参数都讲透了(2024-09-23 17:38:21)
：漏极与源极......
为什么使用mos管作为电池反向保护?(2024-10-08 16:32:14)
-电池的负极
漏极-电池的负极
源极-设备的负极或接地
栅极-电池......
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？(2023-03-17)
如何利用IT2800源表快速实现MOSFET器件的I-V特性测试？;MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是电路设计中常用的功率开关器件，为压控器件;其特点是用栅极电压来控制漏极电流，具备......
MOS管防护电路解析实测(2023-12-20)
的阻抗很高，漏极与源极间的电压突变会通过极间电容耦合到栅极而产生相当高的栅源尖峰电压，此电压会使很薄的栅源氧化层击穿，同时栅极很容易积累电荷也会使栅源氧化层击穿，所以要在MOS管栅极并联稳压管(图中......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-22)
系列（DTMOSIV（HSD））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5[4] [5]器件......
【CMOS逻辑IC基础知识】——受欢迎的CMOS逻辑IC(2023-02-22)
电压，|Vth|）时，漏极-源极电阻减小，使得MOSFET导通。这种漏极-源极电阻称为导通电阻。n沟道和p沟道MOSFET的栅极和源极之间施加的电压方向不同。图3显示了MOSFET导通的条件。
图3......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29 15:23)
＝10V
3.1
VGS＝6V
6.0
总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC）
83
栅极开关电荷Qsw典型值（nC......
东芝推出100V N沟道功率MOSFET，助力实现电源电路小型化(2023-06-29)
总栅极电荷（栅极-源极+栅极-漏极）Qg典型值（nC......
SiC MOSFET真的有必要使用沟槽栅吗？(2022-12-28)
-Semiconductor Field-Effect Transistor)。MOSFET的简化结构如下图所示：硅片表面生长一层薄薄的氧化层，其上覆盖多晶硅形成门极，门极两侧分别是N型注入的源极和漏极......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护(2023-11-07)
型号
SSM10N961L
极性
N沟道2
内部连接
共漏极
绝对最大额定值
源极-源极电压VSSS（V）
30
栅极-源极电压VGSS（V）
±20
源极电流（DC）IS（A）[1]
9.0
源极......
东芝推出30V N沟道共漏极MOSFET，适用于带有USB的设备以及电池组保护(2023-11-07 16:01)
的发布为电压高于12V的应用提供了更广泛的选择，如USB充电设备电源线路的负载开关以及笔记本电脑与平板电脑的锂离子电池组保护。实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS(ON)）的双向开关需要两个具有低RDS......
上海瞻芯电子申请碳化硅LDMOS结构专利(2025-02-02)
，源极区域包括N+区域和P+区域，并且源极区域与第一阱区域部分重叠；在第三区域的表面制作漏极区域；在源极区域和第三区域之间的表面制作栅极区域，并形成栅极、源极、漏极的电极。本发明的优点在于，通过......
大功率电机驱动器应用的系统设计注意事项(2023-12-19)
泵或自举架构来实现这些电压（例如，VCP 和 VGLS）。
然后来看图 2-1 的中间部分，可以看到功率级的另一个次要功能是调节或控制 FET 栅极上的信号。MOSFET 可以作为开关、电阻器或电流源（这取决于与漏极和源极电压相关的栅极......
NMOS和PMOS详解(2023-12-19)
Transistor, ）。
其中，G是栅极，S是源极，D是漏极。
二、nmos和pmos的原理与区别
英文全称为N-Metal-Oxide-Semiconductor。 意思为N型金......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2023-06-13)
终实现了开关电源效率的提高。
该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极线电感的影响，增强MOSFET的高速开关性能，从而抑制开关过程中的振荡。
未来，东芝......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-29)
/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极之间材料层的有效介电常数，这可以通过在该位置的介电材料中引入空气间隙来实现。这种......
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容(2023-03-28)
引入空气间隙以减少前道工序中的寄生电容;本文引用地址：
减少栅极金属和晶体管的源极/漏极接触之间的寄生电容可以减少器件的开关延迟。减少寄生电容的方法之一是设法降低栅极和源极/漏极......
东芝推出采用超级结结构的600V N沟道功率MOSFET，助力提高电源效率(2023-06-13 11:45)
性能的品质因数）降低了约52%。这有助于确保该系列产品实现导通损耗和开关损耗的双重降低，并最终实现了开关电源效率的提高。该新产品采用TOLL封装，栅极驱动采用开尔文连接。可以通过降低封装中源极......
一文解析MOS管/三极管/IGBT之间的关系(2024-11-09 00:48:11)
层由热氧化生成的氧化层作为介质，称为绝缘栅。在源区、漏区和绝缘栅上蒸发一层铝作为引出电极，就是源极(S)、漏极(D)和栅极(G)。
MOSFET管是压控器件，它的导通关断受到栅极......
浅析基本放大电路！(2024-10-05 18:03:02)
)控制MOS管源极(s)和漏极(d)通断。MOS管分为N沟道与P沟道，所以开关电路主要分为两种。
PMOS管开关电路，栅极与源极之间的电压
V......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-10)
电压(绿色迹线)达到栅极开启电压，漏极-源极电压就会开始降低。请注意，在所有这些测试中，初始漏极电流均为0 A。
•漏源电压的快速下降会导致DESAT输入电压反转。它源于先前在D1和D2高压......
东芝推出新一代DTMOSVI高速二极管型功率MOSFET，助力提高电源效率(2024-02-26)
））的反向恢复特性，并在高温下具有更低的漏极截止电流。此外，新产品的品质因数“漏极-源极导通电阻×栅极-漏极电荷”也更低。相较于东芝现有的TK62N60W5[4] [5]器件，TK042N65Z5的高温漏极......
变频器的30个基础知识（之三）(2024-03-26)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极......
变频器的30个基础知识（三）(2024-04-02)
电气系统使用两根火线和一根中性线来传输电力。
24.什么是三相电源?
三相电源——主要用于商业和工业设施，三相电气系统使用中性线或地线，以及三根火线，每根传输一相交流电。
25.什么是变频器中的漏极和源极?
漏极和源极......
25kW电动汽车SiC直流快充设计指南：经验总结(2022-12-09)
mA。其目的是限制漏极di/dt，以使电源路径寄生电感上的漏极-源极过电压不会损坏MOSFET。在测量波形中，可以明显看到漏极-源极电压转换速度也低很多。
•如图所示，栅极......
如何在大功率应用中减少损耗、提高能效并扩大温度范围(2023-10-07)
）
与其他 MOSFET 类似，沟槽型 MOSFET 单元包含漏极、栅极和源极，但竖向排列。借助场效应，形成竖向沟道，与栅极沟槽平行。电流的流向是从源极竖向流到漏极。与横......
还在为用氮化镓设计高压电源犯难？试试这两个器件(2023-03-29)
强模式或耗尽模式。增强模式 FET 是常闭的，因此必须在栅极上施加相对于漏极/源极的正电压，以使 FET 导通。耗尽型 FET 是常开的，因此必须施加相对于漏极/源极的负栅极电压来关断 FET。耗尽......
SiC MOSFET 器件特性知多少？(2023-10-18)
驱动要求。
SiC MOSFET 特性
1、跨导
开关电源中使用的硅 MOSFET 在两种工作模式或区域之间尽可能快地开关。当栅极-源极电压 VGS 小于栅阈值电压 VTH 时，晶体......
轻松了解功率MOSFET的雪崩效应(2024-02-29)
MOSFET并定义如下术语：
● Iav=雪崩电流
● Ipk=最大雪崩电流=MOSFET关断时的值
● Ipk (fail)=MOSFET失效时的最大雪崩电流（漏极到源极到栅极短路）
● Jpk......
MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
处扫描直流电压时，该测试测量了MOSFET的栅极和源极之间的电容。图9显示了CDS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了漏极和源极之间的电容。图10显示了CRSS配置。该测......
【干货分享】MOSFET器件的高压CV测试详解(2024-06-06)
到图12显示了对每个元件和电路级电容测量的CVIV的每个通道的状态。
图8显示了CGS的配置，当SMU在漏极处扫描直流电压时，该测试测量了MOSFET的栅极和源极之间的电容。图9显示......
相关企业
、阳极基板、玻盖等组成的真空器件。阴极灯丝是在很细的钨丝上，涂覆三元碳酸盐的氧化物，再以适当的张力安装在灯丝支架上，其主要作用是发射电子；栅极是不锈钢类的金属薄片通过光刻蚀加工而成的金属网栅，直接
了可显着提高电动汽车和可再生能源应用性能和效率的变革性技术。我们的栅极驱动器内核，即插即用栅极驱动器中获得专利的增强开关TM技术，适用于SiC和IGBT开关。它们用于各种应用，包括电动汽车，太阳能逆变器，风力涡轮机，储能，电机驱动，储能，牵引
;怎么;;
;法国迪朗西北总代理;;法国迪朗是一家专业的绿色减肥机构。不打针，不吃药，让你快速减肥，想怎么就怎么减。不节食，好处多多。就像你喝水那样简单，减肥方法简单易行。
;强哥伟业;;怎么这么难呀
;上海道径电子深圳办事处;;公司处于深圳罗湖区，货源极为宽广，稳定，信誉第一的原则下，只营各大名牌的原装管。
也杜绝了脚臭，脚气，脚病的传染。广泛用于家庭、楼盘、无尘车间、医院、酒店、宾馆、实验室、微机室、等场所，是我们日常生活、工作中不可缺少的清洁好帮手。 客人来了，拖鞋不够…怎么办？? 客人
;jjrb;;我去年8月购一台5000瓦稳压器不知为何接线的柱给电烧坏了市场一找不到怎么办
;西安市奕纸恒商贸有限公司;;您好，我们是陕西豫中防水有限公司，我们承接：各类大面积防水，专修房屋漏水，卫生间漏水，专业防水堵漏，卫生间漏水维修，地下室漏水，卫生间漏水怎么办 专修房屋漏水，房屋漏水怎么
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