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研发客服国家知识产权局信息显示，上海瞻芯电子科技股份有限公司申请一项名为“碳化硅LDMOS结构的形成方法、碳化硅LDMOS结构及碳化硅LDMOS器件”的专利，公开号CN 119277803 A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，本申请公开了一种碳化硅LDMOS的结构及其形成方法，包括：形成第一阱区域；形成第二阱区域，第二阱区域与第一阱区域部分重叠，并且第二阱区域的注入深度小于第一阱区域的入深度；成第三区域，第三区域包含于第一阱区域中，且与第二阱区域部分重叠，并且第三区域的注入深度小于第二阱区域的注入深度；在第二阱区域的表面制作源极区域，其中，源极区域包括N+区域和P+区域，并且源极区域与第一阱区域部分重叠；在第三区域的表面制作漏极区域；在源极区域和第三区域之间的表面制作栅极区域，并形成栅极、源极、漏极的电极。本发明的优点在于，通过此方法得到的期间具有高耐压、尺寸小的特点，且制造工艺简单，有利于提高成品的良品率。
文章来源于:全球半导体观察 原文链接
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